海力士.东芝等ED3 NAND Flash ED3的TLC编程规则相对于OBP来讲会简单许多,因为ED3的编程规则非常有规律,很容易掌握,ED3的每个WL页数量是固定的. ED3在对行地址的定义上与OBP有着很大的区别:在TLC模式下,ED3的行地址代表的是WL地址.操作的页是WL中的哪个页,是通过命令前的Pre Cmd来确定的. ED3 TLC编程也遵循一个WL需要编程3次的规则,一次WL编程的命令序列如下 第一个命令 09h/0Dh/(空)  分别代表该WL是第几次编程:第一次编程发09h.…

[Nor Flash] Nor Flash的“读取”和RAM很类似,只要能能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据,但不可以直接进行“写”操作: Nor Flash的写操作,需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内的控制单元完成写操作: 在对Nor Flash进行写操作的时候,每个Bit可以通过编程由1变为0,但不可以由0修改为1: 为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作: 擦除操作会把Flash的一个Sector.一个Block或整片Flash的值修改为0xFF: Nor…

这次大概介绍了一下NAND Flash,以及在ASF中使用它的方法. 一. 接线 这个开发板搭载了一个256 MB,8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA).引脚接线如下: 偷个懒,直接上引脚复用的图.其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用.通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑.另外,PC18复用为输入引脚,用以查询芯片的状态. 二. NAND Flash 组织结构与寻址 NAND Flash的容量较大.…

1. 简要说明 JLink的调试功能.烧写Flash的功能都很强大,但是对于S3C2410.S3C2440的Flash操作有些麻烦:烧写Nor Flash时需要设置SDRAM,否则速率很慢:烧写Nand Flash只是从理论上能够达到,但是还没有人直接实现这点. 本文使用一个间接的方法来实现对S3C2410.S3C2440开发板的Nor.Nand Flash的烧写.原理为:JLink可以很方便地读写内存.启动程序,那么可以把一个特制的程序下载到开发板上的SDRAM去,并运行它,然后使用这个程序来…

原文地址:http://www.d5power.com/portal.php?mod=view&aid=27 APIs.Libs.Components1.as3ebaylibhttp://code.google.com/p/as3ebaylib/2.as3youtubelibhttp://code.google.com/p/as3youtubelib/3.as3flickrlibhttp://code.google.com/p/as3flickrlib/4.Yahoo ASTRA Flash C…

1.Flash ajax对比 Flash适合处理多媒体.矢量图形.访问机器:对CSS.处理文本上不足,不容易被搜索. Ajax对CSS.文本支持很好,支持搜索:多媒体.矢量图形.机器访问不足. 共同点:与服务器的无刷新传递消息.用户离线和在线状态.操作DOM…

在汽车ECU软件运行中,软件代码运行安全性是第一,在代码中尽可能的不要固化有flash_erase.flash_write操作存在,主要是防止当出现异常情况时,程序跑飞,误调用erase.write对flash操作,使得原软件受到破坏,以致ECU不能正常工作. Bootloader也称为启动引导加载程序,这段程序是硬件设备在上电复位之后执行的第一段软件代码. 方式一.为了实现在线更新功能,Bootloader程序需要对flash进行操作.一般情况下,我们将FLASH操作程序作为Bootloade…

1.ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据. 2.RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,而且不需要刷新,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM…

4.1 nand flash启动u-boot nand flash 启动的时候,CPU 需要将 nand flash 中前面 4KB 的内容复制到 SRAM 中执行,然后将 NAND Flash 中的所有内容拷贝到 SDRAM中. 前4 KB 的拷贝 是硬件自动执行的. 4.1.1 地址空间 原理图如下: nand flash 只有数据总线,并没有像 SDRAM 一样有地址总线.这样就有两种寻址方式就不同. SDRAM 或 网卡.片内4K内存 都是地址总线接到 2440 上,他们的地址都是 CP…

ROM(Read Only Memory,只读存储器)芯片:在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM芯片中.ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改.如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份.ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合. PROM(Programmable ROM,可编程ROM)芯片:由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了P…