ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法.如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错.ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测. 校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含…

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广…

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用…

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数…

Flash型号: NandFlash型号:TC58NVG2S3ETA00 pagesize: 2KB oobsize  : 64B blocksize : 128K 关于ECC可以参考:http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3438001.html,其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法,而这里的512B跟它的方法类似. 这里有一个EXCEL表格,它是对下面将要分析的算法的动态演示,只需要更改其中的16*16的表格中的数字,相应的ECC会自动计算出来…

引子: 今天上嵌入式课程时,老师讲到Linux的文件系统,讲的重点是Linux中对于nand flash的ECC校验和纠错.上课很认真地听完,确实叹服代码作者的水平. 晚上特地下载了Linux最新的内核,找到了作者自己写的那篇文章(路径为"linux-3.13.5\Documentation\mtd\nand_ecc.txt"),现摘录如下: Introduction ============ Having looked at the linux mtd/nand driver and…

ECC的全称是 Error Checking and Correction or Error correction Coding,是一种用于差错检测和修正的算法.NAND闪存在生产和使用中都会产生坏块,BBM就是坏块的管理机制,而要有效管理坏块的首要前提就是有可靠的坏块检测手段.如果操作时序和电路稳定性不存在问题,NAND闪存出错的时候一般不会造成整个Block或Page不能读取甚至全部出错,而是整个Page中只有一个或几个bit出错,这时候 ECC就能发挥作用了.不同颗粒有不同的基本ECC要求…

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块…

MTD,Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中,引入MTD层为NOR FLASH和NAND FLASH设备提供统一接口.MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离. 如上图所示,MTD设备通常可分为四层,从上到下依次是:设备节点.MTD设备层.MTD原始设备层.硬件驱动层. Flash硬件驱动层:Flash硬件驱动层负责对Flash硬件的读.写和擦除操作.MTD设备的Nand Flash芯片的驱动则drivers/mtd/nand/子目录下,No…

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电…

以TC58NVG2S3ETA00 为例: 下面是它的一些物理参数: 图一 图二 图三 图四 图五 图6-0 图6-1 说明一下,在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局,其中Data区域用于存放有效的数据,也就是我们可以通过类似read.write.pread.pwrite可以访问的区域,那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的,他们会自动跳过OOB区域,访问OOB区域需要借助特殊的命令. 简单说明一下:Data A(512B)对应的ECC…

前段时间,研究了一下4G的Nandflash驱动.手头上只有飞凌6410BSP自带的Nandflash驱动,该驱动不支持K9GAG08U0D(2G)和K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.所以就要先把这个Nandflash驱动搞成支持K9GAG08U0D(2G)的. 接下来要弄的就是支持K9LBG08U0D(4G)的Nandflash.由于TE6410板子用的是K9GAG08U0D(2G)的Nandflash,所以先移植到支持这个Nandflash的,再进一步修改成支持K9LBG08…

1.首先和前面的几个驱动程序相似,需要分配一个nand_chip结构体 s3c_nand = kzalloc(sizeof(struct nand_chip), GFP_KERNEL); 然后填充该结构体 /* 2. 设置nand_chip */ /* 设置nand_chip是给nand_scan函数使用的, 如果不知道怎么设置, 先看nand_scan怎么使用 * 它应该提供:选中,发命令,发地址,发数据,读数据,判断状态的功能 */ s3c_nand->select_chip = s3c24…

/****************************************************************************** Copyright (C), 2001-2011, DCN Co., Ltd. ****************************************************************************** File Name : nand.c Version : Initial Draft Author :…

转自:https://www.cnblogs.com/PengfeiSong/p/6380447.html nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个blo…

nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个block等于多少page也是不定的,不同的Nand也不同.一个Nand芯片有多少block也是不定的,不同的Na…

------------------------------------------------------------------------------------------文章1------------------------------------------------------------------------------------------ 摘要 以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌…

----------------------------------------------------------------------文章1---------------------------------------------------------------------- Flash简介: Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Devic…

转自:https://blog.csdn.net/pengrui18/article/details/32337297 今天在看别人如何根据物理地址计算NANDFLASH的列地址(column addres)和页地址(page address),结果看到这篇文章时,感觉有点不对劲.http://blog.csdn.net/feihuxiaozi/article/details/6943124.我在u-boot下根据代码计算,不管怎么计算都和他的例子对不上: 0xBB8CCB8 = 0000101…

nandflash ECC 原理记录. nand ECC 全称是Error Checking and correction. 该算法分为列校验和行校验. 列校验有下图所示: * 如上图所示, CP0 == 所有的 Bit0 ^ Bit2 ^ Bit4 ^ Bit6 CP1 == 所有的 Bit1 ^ Bit3 ^ Bit5 ^ Bit7 CP2 == 所有的 Bit0 ^ Bit1 ^ Bit4 ^ Bit5 CP3 == 所有的 Bit2 ^ Bit3 ^ Bit6 ^ Bit7 CP4 ==…

转:http://blog.csdn.net/zhaocj/article/details/5795254 nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用.相对于norflash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用nandflash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块.nandflash没有地址或数据总线,如果是8位nandflash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令.地址和数据.nandflash主要以page(页)为…

转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html 0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六…

转自:http://blog.csdn.net/gaosentao/article/details/7711311 Bit Flip/Bit Flipping/Bit-Flip/Bit twiddling of Nand Flash Nand Flash由于本身硬件的内在特性,会导致(极其)偶尔的出现位反转的现象.所谓的位反转,bit flip,指的是原先Nand Flash中的某个位,变化了,即要么从1变成0了,要么从0变成1了.Nand Flash的位反转现象,主要是由以下一些原因/效应所导…

ECC内存,即应用了能够实现错误检查和纠正技术(ECC)的内存条.一般多应用在服务器及图形工作站上,这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定.ECC是“Error Checking and Correcting”的简写,中文名称是“错误检查和纠正”.   1基本信息 技术原理 要了解ECC技术,就不能不提到Parity(奇偶校验).在ECC技术出现之前,内存中应用最多的是另外一种技术,就是Parity(奇偶校验).我们知道,在数字电路中,最小的数据单位就是叫“比特(bit)”,也叫数据“位”,“…

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小…

ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法.如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错.ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测.校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含列…

这节我们实现nand的ecc,保存环境变量到nand flash 中.然后把我们之前的led灯烧写到nand flash 中.开机启动.在 tiny210.h 中定义宏 CONFIG_S5PV210_NAND_HWECC.CONFIG_SYS_NAND_ECCSIZE.CONFIG_SYS_NAND_ECCBYTES CONFIG_SYS_NAND_ECCSIZE 定义了消息长度.即每多少字节进行 1 次 ECC 校验 CONFIG_SYS_NAND_ECCBYTES 定义为 13Byte,将…

OBB: 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口.芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样    1 (Page)   = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes)…

引入ECC ECC:Error Checking and Correction,是一种差错检测和修正的算法. NAND闪存在生产和使用中都会有坏块产生,BBM就是坏块的管理机制.而生产坏块已经无法避免,我们只能尽全力减少使用中产生的坏块.一种是利用磨损平衡(WL)提前预防坏块产生,另一种是已经产生“坏块”,我们是否还能继续用? 因此引入了ECC,如果块产生错误,且能够被ECC纠正,那么这个块都不算坏块:但连ECC都纠正不过来,这个块就无法再继续使用,只能标记为坏块. 所以,有效管理坏块的首要前提…

转:http://blog.csdn.net/lanmanck/article/details/4230904 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点:    一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:    1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是…