学习目标: 1.了解nor flash存储芯片的概念和特性 2.掌握使用s3c2440芯片对外挂的nor flash进行读写擦除操作 1.NOR Flash的简单介绍 NOR Flash最早是由Intel公司于1988年开发出的,是现在市场上两种主要的非易失性存储器之一,它的出现彻底改变了存储器市场上由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Progr

相对于操作NandFlash,操作NorFlash相对简单,因为基本不需要考虑坏块,NorFlash也没有OOB区域,也跟ECC没有一毛钱关系.它的读写擦除相对容易. int dealwithnor() { // glob_t mtdbuf; struct mtd_info_user mtd; struct erase_info_user erase; ; ; //用于控制擦除的块的个数 ; ; //已写入的字节数,只初始化一次 unsigned int size = StateOfImage.

前言:回校了,辦好手續就著手寫測試篇.初步的norflash控制器已經完成,通過硬件測試.目前的norflash完成扇区块擦除.单字节写.单字节读3个功能.博文最后附上源码. 总结:和之前的博文一样,里面的模块没有做时序分析,这一点会在今后的工程里面改进.另外在测试的过程中,发现写完一个字节后只需经过若干个系统时钟周期即可输出正确的写入内容(设置等待写完成的总线方向为输入,可以看到三态口的数据总线显示之前写入的数值,本人源码写入0xcc,可见stp2抓图).这一点和手册里给的单字节写需要9us的

前言:经过几天修改,norflash控制器基本已经完成,通过仿真.完整的norflash包含2个模块:直接操作硬件的norflash_ctrl.v与控制ctrl模块的驱动norflash_driver.v.目前只具备扇区块擦除.单字节写.单字节读. 设计思路: norflash_driver模块:可以根据外部控制脉冲信号(可以是按键.开关.其他模块产生的脉冲信号)控制其在每个脉冲下产生相应的“指令.读写地址.待写数据.norflash请求”4种信号.指令可以预先用一个lut存储.用这种方式操作n

由于喜欢折腾,我是在linux下使用jlink的,既然JLinkExe可以进行内存读写操作,loadbin等操作,并且通过指定命令文件支持批量指令输入,那么首先jlink是可以直接访问内部存储器的,包括它的RAM和各种Soc上外设如存储控制器,串口配置寄存器等,但是不能直接访问外部存储器,如Norflash.这样一来,先关狗,设好时钟,然后通过wmem32一系列命令,操作存储控制器,这样就可以访问SRAM,然后loadbin到内存,再写回到norflash,或者nandflash,其中nandf

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行

在淘宝上买修改openwrt的路由器,基本上都是改的16MB flash,那么为什么不改到1GB呢? 现在U盘的价格也很便宜啊. 于是我调查了一下,发现flash分为两种,NorFlash与NandFlash. 一般路由器需要一个bootloader来启动,一开始上电启动的时候,从0x00开启运行代码, 这个bootloader代码一般是可写的,不是固化在ROM里的,是烧写在flash里面的. 那么需要从flash里面运行代码这一点,就决定了路由器需要采用NorFlash,而不是NandFlas

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂. 小时候一直很好奇,一个个死板的电子产品为什么一上电以后就能够工作了呢?为什么一个小小芯片就能够运行我们编写的程序呢?一个开发板从刚上电到整个操作系统能够运行起来是怎么办到的呢?这些东西困扰了好久,参考了好多资料现在才慢慢弄明白其中一些原理. 我们现在接触的大多数电子产品都是使用数字电路设计出来的,数字电路的精髓就

以TC58NVG2S3ETA00 为例: 下面是它的一些物理参数: 图一 图二 图三 图四 图五 图6-0 图6-1 说明一下,在图6-1中中间的那个布局表可以看做是实际的NandFlash一页数据的布局,其中Data区域用于存放有效的数据,也就是我们可以通过类似read.write.pread.pwrite可以访问的区域,那每页中的64字节的OOB区域是无法通过前面的几个函数访问的,他们会自动跳过OOB区域,访问OOB区域需要借助特殊的命令. 简单说明一下:Data A(512B)对应的ECC

http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知.本文通过从启动方式.读写方式.容量成本.可靠性.寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比.任何事物都两面 性,因此其本身没有好坏之分,重要的是我们如何使用使其达到性能上的最佳,最后叙述了如何在NorFlash 和NandFlash上进行抉择. 前言: 目 前,各类DDR,SDRAM或者RDRAM都

一.NorFlash概述 1.NorFlash Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面. NOR的优越之处是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪

S3C2440的启动时读取的第一条指令是在0x00上,分为成nand flash和nor flash上启动. 1)nand flash:适合大容量数据存储,类似硬盘: 2)nor flash:适合小容量的程序或数据存储,类似小硬盘: 3)sdram:主要用于程序执行时的程序存储.执行或计算,类似内存. Nor flash的有自己的地址线和数据线,可以采用类似于memory的随机访问方式,在nor flash上可以直接运行程序,所以nor flash可以直接用来做boot,采用nor flash启

为什么程序不能直接在nandflash上执行?出于这个疑惑带来了这篇博文,是我在网上找了很多资料后总结的,假如有误,希望马上指出来,免得我误人子弟.谢谢! nandflash和norflash NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器

目录 NorFlash 学习 NOR/NAND Flash的差别 引脚接口 命令 参数识别(CFI) 写数据 程序设计 程序优化 其他设计点 title: NorFlash 学习 tags: ARM date: 2018-10-19 18:31:59 --- NorFlash 学习 NOR/NAND Flash的差别 NOR NAND 容量 1~32MB 16~512MB XIP 可执行程序 Yes(因为是内存接口), 可以随机访问任意地址的数据 No 擦除 非常慢(5s) 快(3ms) 写 慢

1. NandFlash和NorFlash       Flash存储芯片,俗称闪存,因其具有非易失性.可擦除性.可重复编程及高密度.低功耗等特点,广泛地应用于手机.数码相机.笔记本电脑等产品.       根据制造技术的不同,可将Flash存储芯片分为两类:NorFlash和NandFlash.NorFlash的传输效率很高,但写入和擦除速度较慢:相比之下,NandFlash具有容量大.写速度快.芯片面积小.单元密度高.擦除速度快.成本低等优点,这些优点使得NandFlash更适合嵌入式系统的

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择)     NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR

转:http://blog.csdn.net/zhaocj/article/details/5795254 nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用.相对于norflash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用nandflash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块.nandflash没有地址或数据总线,如果是8位nandflash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令.地址和数据.nandflash主要以page(页)为

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Electrically Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可

1. NandFlash和NorFlash        Flash存储芯片,俗称闪存,因其具有非易失性.可擦除性.可重复编程及高密度.低功耗等特点,广泛地应用于手机.数码相机.笔记本电脑等产品.        根据制造技术的不同,可将Flash存储芯片分为两类:NorFlash和NandFlash.NorFlash的传输效率很高,但写入和擦除速度较慢:相比之下,NandFlash具有容量大.写速度快.芯片面积小.单元密度高.擦除速度快.成本低等优点,这些优点使得NandFlash更适合嵌入式系

了解u-boot之前首先了解下Bootloader,简单说Bootloader就是一段小程序,它在系统上电时开始运行,初始化硬件设备,准备好软件环境,最后调用操作系统内核. u-boot全称:Universal Boot Loader,即通用Bootloader,遵循GPL条款,开放源码. 支持多种嵌入式操作系统内核:Linux.NetBSD.VxWorks等 支持多个处理器系列:如PowerPC.ARM.x86.MIPS等 u-boot的核心最终目的就是从Flash上读出内核,然后启动内核.如