今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

除法运算中注意: 如果相除的两个数都是整数的话,则结果也为整数,小数部分省略,如8/3 = 2:而两数中有一个为小数,结果则为小数,如:9.0/2 = 4.500000. 取余运算中注意: 该运算只适合用两个整数进行取余运算,如:10%3 = 1:而10.0%3则是错误的:运算后的符号取决于被模数的符号,如(-10)%3 = -1;而10%(-3) = 1. -- C语言中存储类别又分为四类:自动(auto).静态(static).寄存器的(register)和外部的(extern). 1. 

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      本文介绍X-CTR100控制器 板载FLASH存储芯片W25Q64的使用. W25Q64,芯片容量为64M bit,即8M Byte,可用于存储参数.字库.图片等数据. 原理 W25Q64是华邦公司推出的大容量SPI FLASH产品,其容量为64Mb.该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件.W25Q64将8M字节的容

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

C语言和Python语言在存储变量方面的不同 众所周知,Python是脚本语言,边解释边执行,而C语言是编译型语言 存储变量: C语言定义变量,变量本身代表的就是大小,任何一个字母或者数字 符号均可以用Ascii码来表示,例如a代表的就是65,而C语言里面的指针就是变量的地址 Python语言定义变量,变量本身代表的是变量在内存中的地址,如果获取变量的值,就是通过地址然后再找到变量的值,这点就像C语言的指针一样. 如图:

C语言中存储多个字符串的两种方式 方式一    二维字符串数组 声明: char name[][] = { "Justinian", "Momo", "Becky", "Bush" }; 在内存中的存储: J u s t i n i a n \0 M o m o \0 \0 \0 \0 \0 \0 B e c k y \0 \0 \0 \0 \0 B u s h \0 \0 \0 \0 \0 \0 这种方式会造成内存空间的浪费

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上

概述 基本上每种语言都要讨论这个话题,C语言也不例外,因为只有你完全了解每个变量或函数存储方式.作用范围和销毁时间才可能正确的使用这门语言.今天将着重介绍C语言中变量作用范围.存储方式.生命周期.作用域和可访问性. 变量作用范围 存储方式 可访问性 变量作用范围 在C语言中变量从作用范围包括全局变量和局部变量.全局变量在定义之后所有的函数中均可以使用,只要前面的代码修改了,那么后面的代码中再使用就是修改后的值:局部变量的作用范围一般在一个函数内部(通常在一对大括号{}内),外面的程序无法访问它,

动态存储分配 C语言支持动态存储分配,即在程序执行期间分配内存单元的能力,利用动态存储分配,可以根据需要设计扩大(或缩小)的数据结构,虽然可以适用于所有类型的数据,但是动态存储分配更常用于字符串.数组和结构体 本文地址:http://www.cnblogs.com/archimedes/p/c-dynamic-storage-allocation.html,转载请注明源地址. 1.内存分配函数 3种内存分配函数都是声明在<stdlib.h>中: malloc函数--分配内存块,但是不对内存块进

一.关于字符集 字符集(也称字元集,Character Set)就是字符编码表(codepage),一个字符不论英文.中文.韩文等在计算机系统内存或硬盘中通过二进制的字节(Byte)保存,这个二进制的编码就是字符编码(也称内码),字符集就是字符与内码的对应(映射)表. 因为多国语言的原因,就出现了根据本国语言制作的字符集.如使用最广泛的ASCII编码,由美国国家标准局(即ANSI)制定,适用于所有拉丁.英文字符.中国大陆使用GB2312,GBK,GB18030等字符集,这些字符集包含所有汉字字符

Q1:用IAR Embedded Workbench for MSP430 通过JTAG往MSP430上写程序.为了知道片内程序的版本,必须读出Flash 中内容.什么工具软件可以通过JTAG口实现这个功能?A1:熔丝未烧断的话,做个空程序的项目,然后在C-SPY选项里选择保留未改变的区域,DEBUG后看MEMORY里的内容!熔丝烧断的话只能用编程器或BSL,如果加密了,只能通过BSL来读了,不过你要知道中断向量表的32个字节的内容,即密码. Q2:MSP430F449中我想把一个整形的数A存入

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

1.1 SST25VF080B简介 1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. 容量:8MBit: 最高SPI时钟频率:50MHz: 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对串行数据的解码

转载自:http://blog.csdn.net/liangkaiyang/article/details/59556531.什么是内存     什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器.存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作.存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存).外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息

1.C语言中每个变量都有3个性质:存储期限.作用域.链接 1)存储期限:变量的存储期限决定了为变量预留的内存被释放的时间.共2种,自动存储期限(auto),静态存储期限(static),自动存储(auto)的变量在所属块被执行时获得内存单元,并在块终止时释放内存单元,自动的获得或释放内存,故名auto.具有静态存储的变量(static)在程序运行期间始终占有同一内存单元,静止不变,故名static. 2)作用域:变量的作用域指可以使用该变量的那一部分程序文本.共2种,块作用域指从声明位置到所在块

  第12章 存储类别.链接和内存管理 通过内存管理系统指定变量的作用域和生命周期,实现对程序的控制.合理使用内存是程序设计的一个要点. 12.1 存储类别 C提供了多种不同的模型和存储类别,在内存中储存数据. 被储存的每一个值都占用一定的物理内存:C语言把这样一块内存称为对象(object). 对象可以储存一个或多个值.或者并未存储实际的值. C不是面向对象的语言,面向对象编程中的对象指的是类对象. 程序需要一种方法访问对象 ---> 通过声明变量来完成 int entity =3; 该声明创

转载自: http://bbs.elecfans.com/jishu_388272_1_1.html 说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据.     自己收集了一些资料,现将这些资料总结了一下,不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了.FLASH分类       根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程

在做一个用到ucGUI的项目的时候要用到不定的汉字和英文字符,但是ucGUI本身又不支持读取芯片外部flash的字库来显示,于是查了下资料,如下: http://www.cnblogs.com/hiker-blogs/archive/2013/01/04/2843538.html 站在巨人的肩膀上,我找到了将汉字库写进flash后,通过ucGUI的控件显示出来的方法,但是至此,并不能在一个字符串里添加汉字和英文,用于同时显示,因为flash里面没有英文字符的模. 为了让一个控件同时显示汉字和英文

http://bbs.21ic.com/icview-202550-1-1.html 一.内存 我们一般说的内存指的是DRAM,其主要特点是断电会丢失数据,可读写 二.ROM 断电不会丢失数据,数据只读,擦除困难 三.flash(闪存) 断电不会丢数据,数据可读写 NOR FLASH可以直接运行代码

程序编译完成,会乘车program size .. 对STM32容量选型或者 计算FLASH 充当EEPROM起始地址时会用到此参数. 按照下面截图  程序空间 = (16700+732+4580)/1024 = 21.5K 但需要注意的是  程序的起始地址 为0x08000000,所以 flash的 起始地址 必须是 0x08000000 + 0x55FC(22012的16进制)  = 0x080055FC之后 其余的空间都可以作为 其他功能使用.