NAND闪存是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它的结构及工作原理. 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真正存储数据的单元.请看下图:                   数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的.存储电荷的多少,取决于图中的控制栅极(Control gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷.而数据

HDFS分布式文件系统设计目标 1.            硬件错误  由于集群很多时候由数量众多的廉价机组成,使得硬件错误成为常态 2.            数据流访问  所有应用以流的方式访问数据,设置之初便是为了用于批量的处理数据,而不是低延时的实时交互处理 3.            大数据集   典型的HDFS集群上面的一个文件是以G或者T数量级的,支持一个集群当中的文件数量达到千万数量级 4.            简单的相关模型  假定文件是一次写入,多次读取的操作 5.    

mkubiimg.sh 2 sudo mkfs.ubifs -F -q -r rootfs_ecm_5410 -m 4096 -e 253952 -c 3600 -o ubifs.img 3 4 echo mkfs.ubifs over! 5 sudo ubinize -o ubi.img -m 4096 -p 256KiB -s 4096 -O 4096 ubinize.cfg 6 echo ubinize over! 7 8 sync 9 10 sudo cp ubi.img ~/image

转:http://wiki.laptop.org/go/NAND_Flash_Bad_Block_Table 1 OLPC NAND Bad Block Management 1.1 Introduction 1.2 Basic Concepts 1.3 Multi-Chip Devices 1.4 Bad Block Table Location 1.5 Bad Block Table Format1.6 Consistency Checks 1.5.1 Header Format 1.5.2

一 思路: 1,磁盘物理结构及大小计算 2,分区 MBR GPT知识 3,fdisk分区 挂载 自动挂载 4,格式化文件系统 5,inode block 6,软硬链接 查看磁盘: [root@moban dev]# ls sda sda sda1 sda2 sda3 二 MBR分区机制 512 446 66 ----- 64 分区模式 注意: 分区编号,1-4只能给主分区或扩展分区使用,逻辑分区是基于扩展分区来搞的,编号从5开始. 不能对已挂载的磁盘,进行操作. 只能读写数据. 如果想重新更改文

Block :block 实际上就是 Objective-C语言对闭包的实现 闭包(Closure):闭包就是一个函数,或者一个指向函数的指针,加上这个函数执行的非局部变量.闭包允许一个函数访问声明该函数运行上下文中的变量,甚至可以访问不同运行上文中的变量. 1 block 的原型 和 定义 *block的 原型: int  ( ^ sumblock ) ( int , int ); 上面的代码声明了一个block(^)的原型,名字叫做 sumblock,包含两个 int 型的参数,返回值为 i

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

转载:http://hi.baidu.com/cui1206/item/1d4119e376132513585dd886 基于MTD的NAND驱动(linux-2.6.22.10内核),目前已可以在该驱动的支持下跑cramfs和jffs2文件系统,另外,该驱动也可以同时支持small page(每页512 Byte)和big page(每页2048 Byte)两种NAND芯片.在此整理一下与NAND驱动相关的概念,结构体,驱动框架和流程,同时分析一下基于MTD的NAND驱动的部分函数,尤其是其中

NAND Flash分类 SLC(Single-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存1bit data MLC(Multi-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存2bit data  SLC 「Small page (528 Byte).Large page (2112 Byte)」 在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit),称为单阶储存单元(single-level cell, SLC),使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html 0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

目录 . 引言 . 页表 . 结构化内存管理 . 物理内存的管理 . SLAB分配器 . 处理器高速缓存和TLB控制 . 内存管理的概念 . 内存覆盖与内存交换 . 内存连续分配管理方式 . 内存非连续分配管理方式 . 虚拟内存的概念.特征及其实现 . 请求分页管理方式实现虚拟内存 . 页面置换算法 . 页面分配策略 . 页面抖动和工作集 . 缺页异常的处理 . 堆与内存管理 0. 引言 有两种类型的计算机,分别以不同的方法管理物理内存 . UMA计算机(一致内存访问 uniform memor

继ok6410 u-boot-2012.04.01移植四.五后,开发板基本已支持MLC NAND,支持DM9000.但是通过NAND命令更新u-boot到NAND,还存在问题,需要根据u-boot的nand命令继续修改,最终实现通过网卡tftp程序到内存,接着通过NAND命令写到NAND. 开发环境: 系统:ubuntu 10.04.4 单板:ok6410 NAND FLASH:K9GAG08U0D 2048MB NOR Flash:EN29LV160AB 2MB DDR:K4X1G163PCX

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RT系列MCU的Raw NAND启动. 前面铺垫了七篇启动系列文章,终于该讲具体Boot Device了,我们知道i.MXRT支持的外部Boot Device共有6种(Serial NOR&NAND.Parallel NOR&NAND.SD/eMMC.SPI NOR/EEPROM),其中最常用的是Serial NOR&NAND,目前各大社区里讨论最火的也是Serial NOR/NAND启动,有不少大神

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是ONFI标准及SLC Raw NAND. NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器,对于嵌入式开发而言,NAND主要分为两大类:Serial NAND.Raw NAND,这两类NAND的差异是很大的(软件驱动开发角度而言),即使你掌握其中一种,也不代表你能了解另一种. Raw NAND是相对于Serial NAND而言的,Serial NAND即串行接口的NAND Flash,而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH

Avinash Aravindan reference:https://www.embedded.com/design/prototyping-and-development/4460910/2/Flash-101--NAND-Flash-vs-NOR-Flash Embedded system designers must take into account many considerations when selecting a Flash memory: which type of Fla

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

转载:http://blog.csdn.net/simonjay2007/article/details/43198353 一:mmc的命令如下: 1:对mmc读操作 mmc read addr blk# cnt 2:对mmc写操作 mmc write addr blk# cnt 3:对mmc擦除操作 mmc erase blk# cnt 4:重新搜索mmc设备 mmc rescan 5:列出mmc的分区 mmc part - lists available partition oncurren

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP. 在嵌入式世界里,当我们提起XiP设备(支持代码原地执行的存储器),首先想到的应该是NOR Flash.比如中低端MCU内部通常会集成小容量并行NOR Flash(一般2MB以内),用于存放应用程序:而高性能MCU,往往内部不会集成Flash,需要在板级设计时外挂一片稍大容量的NOR Flash(大部分是串行NOR,一般8MB以上). 恩智浦i.MX