本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

这节我们实现nand的ecc,保存环境变量到nand flash 中.然后把我们之前的led灯烧写到nand flash 中.开机启动.在 tiny210.h 中定义宏 CONFIG_S5PV210_NAND_HWECC.CONFIG_SYS_NAND_ECCSIZE.CONFIG_SYS_NAND_ECCBYTES CONFIG_SYS_NAND_ECCSIZE 定义了消息长度.即每多少字节进行 1 次 ECC 校验 CONFIG_SYS_NAND_ECCBYTES 定义为 13Byte,将

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RT系列MCU的Raw NAND启动. 前面铺垫了七篇启动系列文章,终于该讲具体Boot Device了,我们知道i.MXRT支持的外部Boot Device共有6种(Serial NOR&NAND.Parallel NOR&NAND.SD/eMMC.SPI NOR/EEPROM),其中最常用的是Serial NOR&NAND,目前各大社区里讨论最火的也是Serial NOR/NAND启动,有不少大神

无论写什么嵌入式软件,我们都应该首先对硬件有所了解,这样更有助于我们写出高效精简的程序代码.本次活动我们使用的硬件平台是有悠龙公司提供的uTenux\AT91SAM3S4C开发套件,在悠龙公司的主页可以找到该开发板的电路图以及对应的说明文档. 打开电路图,第一页是对uTenux\AT91SAM3S4C开发板的整体结构介绍.该开发板是以ATMEIL公司的Cotex M3处理器 ASM3S(100脚)为核心控制器的.在控制器周围连接有相当多的外设,足够我们学习开发,另外悠龙公司也提供了对应的底层板级

首先下载nand flash驱动 s3c_nand.c ,此文件包含着nand flash驱动具体的实现,将其复制到drivers/mtd/nand下: s3c_nand.c 下载地址 s3c_nand.c 在s3c_nand.c中添加nand flash分区信息,分区内容可以自由设定. #if defined(CONFIG_ARCH_S5PV210) struct mtd_partition s3c_partition_info[] = { { .name= "misc", .off

4.1 nand flash启动u-boot nand flash 启动的时候,CPU 需要将 nand flash 中前面 4KB 的内容复制到 SRAM 中执行,然后将 NAND Flash 中的所有内容拷贝到 SDRAM中. 前4 KB 的拷贝 是硬件自动执行的. 4.1.1 地址空间 原理图如下: nand flash 只有数据总线,并没有像 SDRAM 一样有地址总线.这样就有两种寻址方式就不同. SDRAM 或 网卡.片内4K内存 都是地址总线接到 2440 上,他们的地址都是 CP

本文从本人的163博客搬迁至此. 接下来用USB-6009和LabVIEW实现对二极管最重要的特性曲线“V-I特性曲线”的测试和绘制. 一.什么是二极管V-I特性曲线    康华光版的<电子技术基础——模拟部分>这样介绍二极管的V-I特性:在二极管正向特性(在PN结两端施加N正P负的电压时的特性)的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像一个门坎.硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0.5V,锗管的Vth约为0.

Nand Falsh外围电路:peripheral circuit 1.Nand flash里至少有2个state Machine(controller),即2个主控. 一个主控:负责处理前端事情. 一个主控:负责后端任务处理. 2.DDC:Dynamic Data cache(包括SDC,PDC,TDC,DDC1,DDC2),有的解析为Page buffer,或者sense Amps. 镁光的NAND flash:L94C:单die 8G,L95B:单die 16G 大致的物理结构图: 所以体

Multisim的电路分析方法:主要有直流工作点分析,交流分析,瞬态分析,傅里叶分析,噪声分析,失真分析,直流扫描分析, 灵敏度分析,参数扫描分析,温度扫描分析,零一极点分析,传递函数分析,最坏情况分析,蒙特卡罗分析,批处理分析,用户自定义分析,噪声系数分析.1.直流工作点分析(DC Operating):在进行直流工作点分析时,电路中的交流源将被置零,电容开路,电感短路.2.交流分析(AC Analysis):交流分析用于分析电路的频率特性.需先选定被分析的电路节点,在分析时,电路中的直流源将

flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M

作为一个微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是有必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关,通过电压或者电

相关软件下载地址:http://pan.baidu.com/s/16yo8Y fsc100开发板 交叉编译工具:arm-cortex_a8-linux-gnueabi-gcc Ÿ   添加针对我们平台的Nand flash驱动 拷贝s3c_nand.c到drivers/mtd/nand下 拷贝regs-nand.h到arch/arm/mach-s5pc100/include/mach下 Ÿ   针对平台上的nand flash设备,修改drivers/mtd/nand/nand_base.c第2

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7内核的FlexRAM ECC功能. ECC是"Error Correcting Code"的简写,ECC能够实现错误检查和纠正,含有ECC功能的内存一般称为ECC内存,使用了ECC内存的系统在稳定性和可靠性上得到很大提升.相比前几代不带ECC的i.MXRT10xx型号,新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武装,从eFuse到FlexRAM,从OCRAM到外部存储空间全都

第22章     常用存储器介绍 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 22.1 存储器种类 存储器是计算机结构的重要组成部分.存储器是用来存储程序代码和数据的部件,有了存储器计算机才具有记忆功能.基本的存储器种类见图 221. 图 221 基本存储器种类 存储器按其存储介质特性主要分为"易失性存储器"和"非易失性存储器"两大类.其中的&

一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实

------------------------------------------------------------------------------------------文章1------------------------------------------------------------------------------------------ 摘要 以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌

http://blog.csdn.net/dreambegin/article/details/6904822 原来文章叫--编译内核之初体验.后来想了想,这篇文章让我体验了好多遍.不该叫这么大气的名字,还是改了吧.中间记录了很多在内核移植中可能遇到的问题. 还是把名字改为:愚人的内核移植札记(超曲折版) 千呼万唤始出来,让我们开始移植内核吧! 环境:Ubuntu  +  EABI-4.3.3(就是前边配置好的环境) 内核版本:linux-2.6.34.10          /*这个版本有什么

本文思维导图总纲: 综述 关于ubi子系统,早已有比较正式的介绍,也提供非常形象的介绍ubi子系统ppt 国内的前辈 alloysystem 不辞辛劳为我们提供了部分正式介绍的中文译文,以及找不到原文的转载译文 感谢这些资料让我迅速入门ubi,进而整理出这博文 此博文是对上文的总结以及中文译文的补充 在阅读本文之前,建议先学习PPT和中文译文 概念对比 UBI Vs. MTD 上图非常形象地描述了从Flash到UBIFS的各个层次.从上图我们发现,MTD子系统在实际的Flash驱动之上 ,而UB