大致介绍一下这个 nand 的基础属性 pagesize == 4096 byte oob == 224 byte block size == 256 Kbyte u-boot configs/xxx.h 里面配置如下参数: 272 #define CONFIG_SYS_NAND_PAGE_SIZE 4096 273 #define CONFIG_SYS_NAND_OOBSIZE 224 274 #define CONFIG_SYS_NAND_BLOCK_SIZE (256*1024) 275

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

0x00 前言 随着物联网IOT的飞速发展,各类嵌入式设备, 路由器安全研究也越来越火. 但因为跟以往纯软件安全研究的要求不同, 这类研究往往需要结合相应的硬件知识. 很多朋友困惑如何开始, 甚至卡在了该选何种工具上. 因此汪汪将会在系列文章中分享一些实战案例和相应的工具使用. 希望能对嵌入式安全研究起到抛砖引玉作用. 在WINKHUB这个案例中我们将使用几款简单的入门工具如万用表; UART 转接头和导线等. 同时将介绍一种通过芯片阻断的方式, 获取系统ROOT权限的攻击方法. 这种方法是俗称

转自:http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意,

转载:http://hi.baidu.com/cui1206/item/1d4119e376132513585dd886 基于MTD的NAND驱动(linux-2.6.22.10内核),目前已可以在该驱动的支持下跑cramfs和jffs2文件系统,另外,该驱动也可以同时支持small page(每页512 Byte)和big page(每页2048 Byte)两种NAND芯片.在此整理一下与NAND驱动相关的概念,结构体,驱动框架和流程,同时分析一下基于MTD的NAND驱动的部分函数,尤其是其中

1) 闪存芯片读写的基本单位不同  应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节.要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块.   2)NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合:NAND闪存是连续存储介质,适

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控

出自http://blog.csdn.net/maopig/article/details/7029930 DM365的视频处理涉及到三个相关处理器,分别是视频采集芯片.ARM处理器和视频图像协处理器(VICP),整个处理流程由ARM核协调.视频处理主要涉及三个处理流程,分别是视频采集.视频编码和对编码后的视频的处理,为了提高性能,通常为每个处理流程提供一个处理线程. 视频采集   TVP5146将采集到的视频数据转化为数字信号,并将这些数据送入DM365的BT656接口,然后通过Resize得

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + 

NAND Flash 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来数据传输.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自己主动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意, PRE功能不支持宽温芯片. MT29F2G08内部有2048个可擦除的块,每一个块分为

一.nand启动和nor启动:[1] CPU从0x00000000位置开始运行程序. 1.nand启动: 如果将S3C2440配置成从NANDFLASH启动(将开发板的启动开关拔到nand端,此时OM0管脚拉低)S3C2440的Nand控制器会自动把Nandflash中的前4K代码数据搬到内部SRAM中(地址为0x40000000),同时还把这块SRAM地址映射到了0x00000000地址.CPU从0x00000000位置开始运行程序. 2.如果将S3C2440配置成从Norflash启动(将开

之前提到nand驱动的初始化分析,有一个结构体 struct mtd_info始终贯穿这些代码 再来分析一下这个结构体的基本功能,如何初始化,如何使用 一.分析过程 看看结构体的出现和使用方式 第一次出现在文件\u-boot-sunxi-sunxi\drivers\mtd\nand\nand.c内: #ifndef CONFIG_SYS_NAND_SELF_INIT static void nand_init_chip(int i) { struct mtd_info *mtd= &nand_i

从命令说起,在u-boot输入下列命令: nand write 40008000 0 20000 命令的意思是将内存0x40008000开始的部分写入nand,从nand地址0开始写,写入长度是0x200000 回车之后,代码如何运行呢?命令的输入,执行之前都已经分析过了,初始化过程也分析了 请参阅: http://blog.csdn.net/andy_wsj/article/details/9335755 http://blog.csdn.net/andy_wsj/article/detail

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1.2 nand flash 控制器介绍 在244

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RT系列MCU的Raw NAND启动. 前面铺垫了七篇启动系列文章,终于该讲具体Boot Device了,我们知道i.MXRT支持的外部Boot Device共有6种(Serial NOR&NAND.Parallel NOR&NAND.SD/eMMC.SPI NOR/EEPROM),其中最常用的是Serial NOR&NAND,目前各大社区里讨论最火的也是Serial NOR/NAND启动,有不少大神

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是ONFI标准及SLC Raw NAND. NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器,对于嵌入式开发而言,NAND主要分为两大类:Serial NAND.Raw NAND,这两类NAND的差异是很大的(软件驱动开发角度而言),即使你掌握其中一种,也不代表你能了解另一种. Raw NAND是相对于Serial NAND而言的,Serial NAND即串行接口的NAND Flash,而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)while判断nRE(读使能)是否为低电平 7)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广