背景 没有电池的嵌入式设备,很容易发生随机掉电.因此要让产品可靠稳定,就必须保证各种场景下的掉电安全. 例如系统更新过程随机掉电,不能导致系统无法启动.例如正常读写flash过程中掉电,最多正在传输的数据丢掉,但不能导致flash其他数据出错,否则轻则丢数据,重则直接变砖无法启动.本文主要分析flash数据出错的情况. 问题:flash掉电数据出错 为什么掉电会导致flash数据出错呢?因为在产品掉电时,对用户来说拔下插头是一瞬间,但对于板子上的各个器件来说,却是存在一个掉电过程,即电压从正常值

转自:http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意,

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个

NAND Flash 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来数据传输.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自己主动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意, PRE功能不支持宽温芯片. MT29F2G08内部有2048个可擦除的块,每一个块分为

简单制作一个Nand Flash驱动(只需要初始化Flash以及读Flash) 打开2440芯片手册,K9F2G08U0M芯片手册(因为2440中Nand Flash是用的256MB(2Gb)内存,8个数据引脚) 在芯片手册中得到K9F2G08U0M=2048块Block=128K页Pages=256MB=2Gb 1块Block=64页Pages 1页=(2K+64)B            (因为每个地址里都存放了一个字节,所以用B表示) 其中64B是存放ECC的OOB地址,(ECC:存放判断

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级

1. 根据物理结构上的区别,Nand Flash主要分为: SLC(Single Level Cell): 单层式存储 MLC(Multi Level Cell): 多层式存储 TLC(Triple Level Cell): 三层式存储 注:SLC在存储格上只存一位数据(2个状态),MLC存放两位数据(4个状态),TLC存放三位数据(8个状态). 2. Nand Flash 地址结构 注: ①Row Address即页地址,Column Address即页内偏移 ②正常页内容读取用Column

一.引脚介绍 引脚名称 引脚功能 CLE 命令锁存功能 ALE 地址锁存功能 /CE 芯片使能 /RE 读使能 /WE 写使能 /WP 写保护 R/B 就绪/忙输出信号 Vcc 电源 Vss 地 N.C 不接 IO0~IO7 数据传输.命令.地址     1. 命令.地址.数据都通过8个I/O口传输     2. 写命令.地址.数据时,都须要将WE.CE信号同一时候拉低     3. 数据在WE信号的上升沿被NAND Flash锁存     4. 命令锁存信号CLE和地址锁存信号ALE用来分辨.

[Nand Flash引脚(Pin)的说明] 图3.Nand Flash引脚功能说明 上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能,简单翻译如下: 1.       I/O0 ~ I/O7:用于输入地址/数据/命令,输出数据 2.       CLE:Command Latch Enable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能 3.       ALE:Address Latch Enable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,

一.NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小:NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大.一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据. 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,

使用命令前用cat /proc/mtd 查看一下mtdchar字符设备:或者用ls -l /dev/mtd*#cat /proc/mtddev:    size   erasesize  namemtd0: 00c00000 00020000 “ROOTFS”mtd1: 00200000 00020000 “BOOTLOADER”mtd2: 00200000 00020000 “KERNEL”mtd3: 03200000 00020000 “NAND ROOTFS partition”mtd4:

Nand flash 芯片型号为 Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB,采用块页式存储管理.8 个 I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片 Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1 块(Block) = 32 页/行(Pages/rows)  ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1 块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数

1.NAND FLASH的硬件连接: 实验用的NAND FLASH芯片为K9F2G08U0C,它是三星公司的存储芯片,它的大小为256M.它的接线图如下所示: 它的每个引脚的分别为LDATA0-LDATA7为数据引脚.CLE为发送命令使能引脚.ALE为发送地址使能引脚.CE为芯片使能引脚.WE为写使能引脚.WP为写保护引脚.R/B为芯片是否繁忙的状态指示引脚,如下图所示: 2.NAND FLASH的操作: 根据NAND FLASH的芯片手册可以知道需要操作NAND FLASH一般的流程是发出命令

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令 选中芯片 CLE设置为高电平 在DATA0-DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲

NAND FLASH  优势 : 可以用当硬盘   这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看

http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html#L_subpage NAND flash sub-pages As it is said here, all UBI I/O should be done in fractions of min. I/O unit size, which is equivalent to NAND page size in case of NAND flash. However, some SLC NAND flas

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.