8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.

初始化 NAND FLASH: 1)寄存器 NFCONT,用于开启 NAND FLASH控制器: 2)向寄存器NFCMD写入命令: 3)向寄存器NFADDR写入地址: 4)使用寄存器NFDATA进行数据的读写,在此期间需要不断的检测寄存器NFSTAT来获知 NAND FLASH的状态(忙/闲): 写 NAND FLASH: 1)发送页写入命令0x80: 2)发送页地址: 3)发送要写入的数据: 4)发送写入确定命令0x10: 5)检测忙信号: 读 NAND FLASH: 1)发送页读取命令0x0

一.nand flash访问原理 地址空间概念 nand的编址 nand命令  命令,地址,数据 使用S3C2440的nand flash控制器访问nand flash 前几个编译出来的文件都小于4k,读出来放到SDRAM中去 SDRAM.dm9000地址-->2440地址 nand 没有地址总线 片内内存:SDRAM:网卡:寄存器  都是CPU统一编址 写地址,读数据   连续读一页                           只进行了读操作,擦除,oob访问都没有 二.源码分析 RA

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

一.NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小:NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大.一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据. 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,

NAND FLASH的结构如图所示: Denali NAND FLASH控制器模块提供了从AHB总线到外部NAND FLASH存储器芯片IO管脚的访问功能.主要技术特性包括: 1.标准32位AHB总线接口: 2.提供AHB交易缓存异步FIFO,实现速度匹配和数据通路调整,与AHB总线.与NAND FLASH存储器之间的数据通路均可配置(最大64bit): 3.提供数据缓存以提高访问性能: 4.支持内建的BOOT启动访问: 5. 提供4路bank片选信号,每路bank片选信号支持4片外部存储器件(

ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法,分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种,在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路(ECC 生成器)实现的硬件 ECC. ECC 生成器工作过程 当写入数据到 Nand flash 存储空间时, ECC 生成器会在写入数据完毕后自动生成 ECC 码,将其放入到 ECC0-ECC2.当读出数据时 Nand Flash 同样会在读数据完毕后,自动生成 ECC 码将其放到 ECC0-ECC2 当

对 Nand Flash 存储芯片进行操作, 必须通过 Nand Flash 控制器的专用寄存器才能完成.所以,不能对 Nand Flash 进行总线操作.而 Nand Flash 的写操作也必须块方式进行.对 Nand Flash 的读操作可以按字节读取.   Nand Flash 控制器特性 1. 支持对 Nand Flash 芯片的读.检验.编程控制 2. 如果支持从 Nand Flash 启动, 在每次重启后自动将前 Nand Flash 的前 4KB 数据搬运到 ARM 的内部 RAM

1, 要求:在4K 的代码以内,完成 NOR NAND 类型判断,初始化 NAND 复制自身到 SDRAM ,重定向. 2, 在 /arch/arm/cpu/arm920t/ 文件夹里 添加一个 inic.c 的文件,要在这个文件里面做上面说的事情. 修改 /arch/arm/cpu/arm920t/Makefile 加入 inic.c 的 编译. extra-y = start.o obj-y += init.o obj-y += cpu.o init.c 最后有补丁文件 3, 在 start

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

关于nandflash的说明,请参考其他. 现在先贴出来韦东山先生的代码,作我学习之用. @************************************************ @ File:head.s @ 功能:设置SDRAM,将程序复制到SDRAM,然后跳到SDRAM继续执行 @************************************************ .text .global _start _start: @函数disable_watch_dog, m

转载请注明出处:http://blog.csdn.net/ruoyunliufeng/article/details/25240909 一.框架总结 watermark/2/text/aHR0cDovL2Jsb2cuY3Nkbi5uZXQvcnVveXVubGl1ZmVuZw==/font/5a6L5L2T/fontsize/400/fill/I0JBQkFCMA==/dissolve/70/gravity/SouthEast" alt=""> 二.硬件原理 water

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand flas

为什么会有两种启动方式? 这就是有两种FLASH 的不同特点决定的. NAND FLASH 容量大,存储的单位比特数据的成本要低很多,但是要按照特定的时序对NAND  FLASH  进行读写,因此CPU  无法对NAND  FLASH 的数据进行直接寻址,CPU 对NAND  FLASH 中数据的读写是通过专门的  nand  flash控制器进行的,因此 NAND  FLASH 更适合于存储数据. NOR FLASH 容量小,速度快,对NOR FLASH 进行读写时,输入地址,然后给出读写信号

一.NAND FLASH的特点 S3C6410的NAND FLASH控制器有如下特点 1.自导入模式:复位后,引导代码被送入到8KB的STEPPINGSTONE中,引导代码移动完毕,引导代码将在STEPPINGSTONE中执行.导入期间,NAND FLASH控制器不支持ECC矫正. 2.NAND FLSH 控制器I/F:支持512字节和2KB页 3.软件模式:用户可以直接访问nand flash 控制器,该特性可以用于读/檫/编程nand flash 存储器. 1)写命令寄存器=NAND FLA

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中

4.1 nand flash启动u-boot nand flash 启动的时候,CPU 需要将 nand flash 中前面 4KB 的内容复制到 SRAM 中执行,然后将 NAND Flash 中的所有内容拷贝到 SDRAM中. 前4 KB 的拷贝 是硬件自动执行的. 4.1.1 地址空间 原理图如下: nand flash 只有数据总线,并没有像 SDRAM 一样有地址总线.这样就有两种寻址方式就不同. SDRAM 或 网卡.片内4K内存 都是地址总线接到 2440 上,他们的地址都是 CP

NAND Flash 关于NAND FlashS5PV210的NAND Flash控制器有如下特点:1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等3) 8bit的总线4) 支持SLC和MCL的NAND Flash5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器,以字为单位访问其他寄存器.注意:在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SLC,大小为1G,型号为K9K8G