/*======================================================================== 错误探测 总时间限制: 1000ms 内存限制: 65536kB 描述 给出由0和1组成的矩阵,如果矩阵的每一行和每一列的1的数量都是偶数,则认为符合条件. 你的任务就是检测矩阵是否符合条件,或者在仅改变一个矩阵元素的情况下能否符合条件. "改变矩阵元素"的操作定义为0变成1,1变成0. 输入 包含多个测试数据.每个测试数据有多行,第一行

T01 矩阵交换行 描述 给定一个5*5的矩阵(数学上,一个r×c的矩阵是一个由r行c列元素排列成的矩形阵列),将第n行和第m行交换,输出交换后的结果. 输入 输入共6行,前5行为矩阵的每一行元素,元素与元素之间以一个空格分开.第6行包含两个整数m.n,以一个空格分开.(1 <= m,n <= 5) 输出 输出交换之后的矩阵,矩阵的每一行元素占一行,元素之间以一个空格分开. 样例输入 样例输出 样例 #include<iostream> using namespace std; i

1.1编程基础之输入输出01:Hello, World! 02:输出第二个整数PS:a,b需用longint类型接收 03:对齐输出 04:输出保留3位小数的浮点数 05:输出保留12位小数的浮点数 08:字符三角形 09:字符菱形 10:超级玛丽游戏 1.2编程基础之变量定义.赋值及转换01:整型数据类型存储空间大小 02:浮点型数据类型存储空间大小PS:可利用sizeof函数 03:其他基本数据类型存储空间大小 04:填空:类型转换1 05:填空:类型转换2 06:浮点数向零舍入 07:打印

简介 AddressSanitizer 是一个性能非常好的C/C++ 内存错误探测工具. 它由编译器的插桩模块和替换了malloc函数的运行时库组成. 这个工具可以探测如下这些类型的错误: 对堆.栈和全局内存的访问越界(堆缓冲区溢出,栈缓冲区溢出,和全局缓冲区溢出) UAP(Use-after-free,悬挂指针的解引用,或者说野指针) Use-after-return(无效的栈上内存,运行时标记 ASAN_OPTIONS=detect_stack_use_after_return=1) Use

问题:centos/redhat下使用分区工具fdisk创建大于2TB的分区,无法创建 关键字:MBR.GPT.CHS.LBA MBR:主引导记录 GPT:GUID 分区表 CHS:磁柱 磁头 扇区 LBA:逻辑块寻址 解决:使用分区工具gdisk进行分区,系统默认没有安装,可通过yum安装,gdisk与fdisk用法类似,只是分区类型代码有所不同 #yum -y install gdisk #gdisk /dev/sdb 扩展: MBR分区模式:MBR 将数据存储在大约 4 个分区上,这些分区

RAM和ROM总结 一.在解释之前先备注一些缩写的全称便于记忆: 1.EPROM:(Electrically Programmable Read-Only-Memory)电可编程序只读存储器 2.EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory) 电可擦可编程只读存储器 3.SRAM(Static RAM)静态RAM 4.DRAM(Dynamic RAM)动态RAM 5.DDR SDRAM (Double Date-Rate

一． NAND和NOR的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通 过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存.相"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换 使用.许多

对于flash的认识,比较肤浅,在网上找了些资料,感谢 http://blog.csdn.net/lin364812726/article/details/18815395  的博主, 将其博文转载过来,以便以后查看. flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程. flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash.(1)nor flash:像访问SDRAM一样,按照数据/地址总线直接访问, 可写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似

linux驱动程序设计的硬件基础(一) 本章讲总结学习linux设备程序设计的硬件基础. 一.处理器 1.1通用处理器 通用处理器(GPP)并不针对特定的应用领域进行体系结构和指令集的优化,它们具有一般化的通用体系结构和指令集,以支持复杂的运算并易于新开发功能的添加.一般而言,在嵌入式微控制器(MCU)和微处理器(MPU)中会包含一个通用处理器核.  MPU 通常代表一个 CPU(中央处理器) ,而 MCU 则强调把中央处理器.存储器和外围电路集成在一个芯片中.嵌入式微控制器一般由一个 CPU

NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构.其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听记忆卡.体积小巧的U盘等. NORFLASH: NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术.NOR的特点是芯片内执行

转自 http://m.blog.chinaunix.net/uid-30077524-id-5570244.html 文章对这几个东西讲得很清楚,值得收藏. 寄存器 寄存器是中央处理器内的组成部份.它跟CPU有关.寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令.数据和位址.在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC).在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC). 存储器 存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴.你所说的寄存器

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时

上章回顾 数组和指针相同与不同 通过指针访问数组和通过数组访问指针 指针在什么时候可以加减运算 函数指针的申明和调用 函数数组和数组函数 git@github.com:Kevin-Dfg/Data-Structures-and-Algorithm-Analysis-in-C.gitgit@github.com:Kevin-Dfg/Data-Structures-and-Algorithm-Analysis-in-C.git 附录二 附录二 C语言标准库 C语言标准库 git@github.com

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清

转载自:http://magicpanda.net/2010/10/lua%E6%9E%B6%E6%9E%84%E6%96%87%E6%A1%A3/ Lua架构文档(翻译) 十 102010 前段时间翻译了lua官方关于lua5架构设计的一份文档,现在分享给大家. 注意:所有版权都归lua官方所有,本人仅将其翻译为中文,以方便中文阅读者.翻译中出现任何错误导致的结果,本人不负任何责任. 如果有任何翻译错误,以及意见与建议,请email本人.邮件地址:ice_ok@163.com. 转载请注明原作

http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知.本文通过从启动方式.读写方式.容量成本.可靠性.寿命以及是使用型上进行了全面的分析和对比.任何事物都两面 性,因此其本身没有好坏之分,重要的是我们如何使用使其达到性能上的最佳,最后叙述了如何在NorFlash 和NandFlash上进行抉择. 前言: 目 前,各类DDR,SDRAM或者RDRAM都