STM32内部有一个完整的上电复位和掉电复位电路,当供电电压达到2v时系统即能正常工作. STM32内部自带PVD功能,用于对MCU供电电压VDD进行监控.通过电源控制寄存器中的PLS[2:0]位可以用来设定监控电压的阀值,通过对外部电压进行比较来监控电源.当条件触发,需要系统进入特别保护状态,执行紧急关闭任务:对系统的一些数据保存起来,同时对外设进行相应的保护操作. 操作流程:     1).系统启动后启动PVD,并开启相应的中断.     PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVD

上次的问题,看到很多回答里都有关于X电容,Y电容,NPO之类,这些很奇怪的参数到底代表什么意义呢?以前很多次都在BOM表里看到这些参数,一直都无视过去,正好这次的EMC课程里也提到这方面的知识,正好跟大家一起学习一下. NPO\X5R\X7R\Y5V\Z5U电容之间的主要区别是它们的填充介质不同.在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗.容量稳定性等也就不同,所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用.陶瓷电容根据介质的不同,一般分为两类:

一般我们的pcb板的器件有很多种类,但是值得特别关注的,很多人都会说是BGA.接口.IC.晶振之类,因为这些都是layout功能模块以及设计难点.然而数量上占绝对优势的器件却是阻容器件,之前围殴阻抗时,对于电阻已经说了很多了,这次我们从EMC的角度来说说电容.有人肯定要问了:电容的主要作用是旁路.退耦和储能,和EMC有什么关系呢?下面就一一讨论电容不同功能时对整板EMC的作用. 首先来说说旁路电容.我们在原理图中看到很多类似于下面左边的图例,此时电容起什么作用,对于整板的EMC有什么好处呢?众所

使用STM32F4的CCM内存http://www.stmcu.org/module/forum/forum.php?mod=viewthread&tid=604814&fromuid=392580(出处: 意法半导体STM32/STM8技术社区) 很赞的一片文章.

kernel 4.4.12 EETI eGTouch 电容屏驱动移植: 在make menuconfig 里面添加如下选项: 添加通过事件上报接口节点: Device Drivers ---> Input device support ---> <*> Event interface Device Drivers ---> Input device support ---> [*] Miscellaneous devices ---> <*> User

电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解 文章来源:http://www.hzlitai.com.cn/article/ARM9-article/cphard/1777.html 仅供分享学习~   在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家. 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围.具体来说,就是

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

STM32F4相对于STM32F1的改进不只一点点,为了便于初学者了解,我们比对相关资料将改进点进行了汇总. STM32F1和STM32F4 区别   (安富莱整理)u  F1采用Crotex M3内核,F4采用Crotex M4内核. u  F1最高主频 72MHz, F4最高主频168MHz. u  F4具有单精度浮点运算单元,F1没有浮点运算单元. u  F4的具备增强的DSP指令集.F4的执行16位DSP指令的时间只有F1的30%~70%.F4执行32位DSP指令 的时间只有F1的25%

我的STM32F4 Discovery上边有一个加速度传感器LIS302DL.在演示工程中,ST的工程师使用这个传感器做了个很令人羡慕的东西:解算开发板的姿态.当开发板倾斜时候,处于最上边的LED点亮,其他LED不亮.同时,用MicroUSB数据线将开发板连接电脑时,开发板就会虚拟成一个鼠标.倾斜开发板时,鼠标指针会向倾斜的方向移动.归根结底,就是牛B的ST工程师用加速度传感器完成了姿态解算. 在开发板上,加速度传感器使用了SPI方式用STM32F4芯片进行通信.STM32F4的SPI1 作为主

我的PVD的驱动以及例程位于STM32L0xx_Drivers这个库当中,在使用前最好先阅读readme.md文件 PVD 是一种检测MCU供电情况的技术.当供电电压高于或者低于一定阈值的时候,可以在寄存器上体现出来,或者直接产生硬件中断. 在实际使用MCU时,特别是电池供电的方案中,往往会遇到供电不够导致MCU或者外设工作不正常的情况.PVD在这个时候就可以派上用场了. PVD的使用按照数据手册上的说明,就是首先设置PVD阈值(PVD thresholds),当MCU的VDD引脚的电压高于阈值

本节首先介绍常用的E系列标称方法,然后介绍电阻.电容器.电感器.二极管的分类.性能和识别方法,以及简单的实用电路. 一.E系列标称方法 厂家生产的电阻器,并不是包含任何阻值,就像人民币,只有1.2.5三种规格一样. 电阻器.电容器标称值系列通常采用E系列.E系列是一种由几何级数构成的数列.源自Electricity的第一个字母,它是以6√10 ＝1.5 .12√10＝1.2 .24√10＝1.1 为公比的几何级数,分别称为E6系列.E12系列和E24系列.E6系列适用于允差±20%的电阻.电容器

因客户有用到了gsl1680 7寸电容屏,所以拿了一块过来,便在329xx的平台上面开始调试了. 大概浏览了一下所提供的资料,只有介绍模组的资料跟一份中文版的datasheet,datasheet只是说了个大概,没有提到读取触摸坐标的寄存器.不过还好有给一份在其他处理器平台的驱动,所以读取坐标的部分代码移植过来就可以了. gsl1680接口跟其他的电容屏一样,也是i2c接口的,貌似市面上的电容屏都是i2c接口,电容屏自带了微控制器MCU,用与处理采样,坐标转换等,还有一些抖动算法处理,完后将坐标

平台信息: 内核:linux3.4.39系统:android4.4 平台:S5P4418(cortex a9) 作者:瘋耔(欢迎转载,请注明作者) 欢迎指正错误,共同学习.共同进步!! 关注博主新浪博客:http://weibo.com/cpjphone   以goodix的gt8105为例 一.总体架构 硬件部分:先看一个总体的图吧,其实触摸屏原理也比较简单,触摸屏和主控芯片间的联系,如下主要有三部分: 1.IIC部分,初始化gt8105的数据和传回主控制的坐标位置信息就是通过IIC这条线传输

平台信息: 内核:linux3.4.39系统:android4.4 平台:S5P4418(cortex a9) 作者:瘋耔(欢迎转载,请注明作者) 欢迎指正错误,共同学习.共同进步!! 关注博主新浪博客:http://weibo.com/cpjphone   电容屏驱动调试先了解Linux电容屏驱动中几个常用的概念:              中断下半部-工作队列:              input机制:              Linux与Android 多点触摸协议.   一.中断下半

平台信息: 内核:linux3.4.39系统:android4.4 平台:S5P4418(cortex a9) 作者:瘋耔(欢迎转载,请注明作者) 欢迎指正错误,共同学习.共同进步!! 关注博主新浪博客:http://weibo.com/cpjphone   一.电容屏工作原理 触摸屏的工作原理概括来说就是上报坐标值,X轴.Y轴的值.前面我们分析了电阻触摸屏,它是通过ADC来检测计算X.Y轴坐标值,下面我们分析一下电容触摸屏的工作原理,看它是如何去检测计算X.Y坐标的值. 与电阻式触摸屏不同,电

原理说明: 通过检测感应按键PAD的电容量变化来判断是否有触摸动作.当手指触摸PAD时,电容量增加,充放电时间变长. 本方案中利用M48的20个双向IO口实现了20个触摸按键,而且所用原器件最少.其中R1~R20的10K电阻是消除干扰用的,如果采用软件算法,用数字滤波来消除干扰,这20个电阻也可以省略.这样就只需要10只1M的充放电电阻(R21~R30)就可以了. 最基本的按键单元是两个PAD分别接M48的两个IO引脚,两个引脚之间用一个1M的电阻相连.如图: PB1(PAD1) O------

关键词:android  电容屏 tp 工作队列 中断 坐点计算  电容屏主要参数平台信息:内核:linux2.6/linux3.0系统:android/android4.0  平台:S5PV310(samsung exynos 4210)  作者:xubin341719(欢迎转载,请注明作者) android 电容屏(一):电容屏基本原理篇 android 电容屏(二):驱动调试之基本概念篇 android 电容屏(三):驱动调试之驱动程序分析篇 以goodix的gt8105为例 一.总体架构

关键词:android  电容屏 tp 工作队列 中断 多点触摸协议平台信息:内核:linux2.6/linux3.0系统:android/android4.0 平台:S5PV310(samsung exynos 4210)  作者:xubin341719(欢迎转载,请注明作者) 参考网站:http://edsionte.com/techblog/archives/1582这部分参考别人的多一点 android 电容屏(一):电容屏基本原理篇 android 电容屏(二):驱动调试之基本概念篇

关键词:android  电容屏 tp  ITO 平台信息:内核:linux2.6/linux3.0系统:android/android4.0 平台:S5PV310(samsung exynos 4210)  作者:xubin341719(欢迎转载,请注明作者) android 电容屏(一):电容屏基本原理篇 android 电容屏(二):驱动调试之基本概念篇 android 电容屏(三):驱动调试之驱动程序分析篇 一.电容屏工作原理 触摸屏的工作原理概括来说就是上报坐标值,X轴.Y轴的值.前面

NPO贴片电容简述 NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容.它的容量稳定,几乎不随温度.电压.时间的变化而变化.尤其适用于高频电子电路. NPO(COG)贴片电容特性 具有最高的电容量稳定性,在-55℃-125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG).0±60ppm/℃(COH).层叠独石结构,具有高可靠性. 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊. 应用于各种高频电路,如:振荡.计时电路等. NPO贴片电容容量范围对照表 厚度与符号对应表 符号 A C

Y5V贴片电容简述 Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容.它的电容量受温度.电压.时间变化影响大. Y5V贴片电容特性 具有较差的电容量稳定性,在-25℃-85℃工作温度范围内,温度特性为+30%,-80%. 层叠独石结构,具有高可靠性. 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊. 应用于温度变化小的退耦.隔直等电路中. 厚度与符号对应表 符号 A C E G J K M N P Q X Y Z 最大厚度毫米(英寸) 0.33(0.013) 0.56(0.022) 0.7