最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

第50章     读写内部FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 50.1 STM32的内部FLASH简介 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE

前言 本文重点介绍flash的数据存取特性.flash的内存划分.一个简单的存取图片的内存管理方式,以及对flash写前删的时间.删后读的时间.写后读的时间进行测量的一个小实验.目的在于更全面了解flash本身特点(尤其是限制),从而方便设计出高效的内存管理驱动. 本文参考论文:闪存的存储管理及索引方法研究_赵培_华中科技大博士论文_2011年 e-mail:beautifulzzzz@qq.com 一.Flash的特点  flash有几大奇葩的特点: 闪存具有多种不用于磁盘的特性,例如:(1)

stm32——Flash读写 一.Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作. stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程:在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程

一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存具体的程序代码和用户数据,主存储块是以页为单位划分的, 一页大小为1KB.范围为从地址0x08000000开始的128KB内. 2.信息块   :用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区 二.操作原则 对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则:  stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数

stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作.对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案.并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地.   一. stm32的FLASH分为 1.主存储块:用于保存

1.基本简介 TMS570LS3137内部Flash分为三个 Bank,主Flash 数据存储区3MB,是Bank1和Bank2.还有一个Bank7是作为内部Flash模拟EEPROM使用.内部存储器如下图所示: FEE功能只是用于Bank7,需要使用这块存储器就需要相应的函数实现数据的读取.写入和擦除.Ti为我们准备了F021FLASH-library实现了程序代码和系统存储器之间的桥梁.因此我们只需要调用F021FLASH-library的接口代码即可实现对存储器的读写操作.这可比翻手册写代

复制并修改原有项目 复制之前创建的项目CC+CV操作 需要改动的地方: * 项目名字 * 应用包名 * R文件重新导包 接着修改件/AndroidManifest.xml中的包名:package="com.wuyudong.rwinrom" 简单起见直接改为package="com.wuyudong.rwinrom2" MainActivity.java在的R报错,鼠标指向引入当前包即可搞定 接着修改strings.xml中的app_name <string

@20119-01-29 [小记] STM32擦除内部FLASH时间过长导致IWDG复位分析

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语

u-boot分析(九) 上篇博文我们按照210的启动流程,分析到了初始化串口,由于接下来的取消存储保护不是很重要,所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析. 今天我们会用到的文档: 1.        2440芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949 2.        6410芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965 3.      

012_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理lib库建立 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       紧接011,下面进行lib可的移植 2.       需

011_STM32程序移植之_内部flash开机次数管理 1. 测试环境:STM32C8T6 2. 测试接口: 3. 串口使用串口一,波特率9600 单片机引脚------------CH340引脚 VCC--------------------VCC GND-------------------GND PA9--------------------RXD PA10-------------------TXD 1.       功能: 1.       使用STM32内部falsh进行开机次数记