模拟CMOS 衬底噪声:由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声.解决方法:在两个电阻之间加入一个P+注入区(作为P衬底晶圆的衬底接触).P+注入区保护电路免受载流子的影响,由于注入区是一个环形,所以成为保护环. 共质心版图 共质心(共同的中心)版图有助于改善两电阻之间的匹配性能(代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性),另外,共质心也能改善MOS和电容的匹配性能. 3.MOS电容 堆积 (VGS<<Vth) 当VGS<0,来自衬底移动的空穴被吸引(堆积)到栅氧层的下方.当MOS管处于堆

前几天开始自学拉扎维的模设教材,看之前浏览了EETOP论坛里面好多大神们对这本书的看法,当然也有人在抱怨,比如冒出“太科幻”.“一年才看完”之类恐怖的修饰语句,因此在开始看的时候就对此书充满了“敬畏”之情,于是打算以“边看边练”的方法完成课后习题以巩固所学.今天看完了第二章,一个下午只做了2.1-2.5这五道题,看上去不难,做的时候漏洞百出,于是自己打算把遇到的问题回顾一下.由于是半路出家,所以有不对的地方还望各位指出以便改正.刚起步也没做过什么项目,因此说不出什么设计思想,就当是课后习题总结吧

文氏电桥振荡电路(Wien bridge oscillator circuit),简称"文氏电桥",是一种适于产生正弦波信号的振荡电路之一,此电路振荡稳定且输出波形良好,在较宽的频率范围内也能够容易调节,因此应用场合较为广泛. 如下图所示为基本文氏电桥振荡电路: 其中,R1.R2.C1.C2组成的RC串并网络将输出正反馈至同相输入端,R3.R4则将输出负反馈至运放的反相输入端,电路的行为取决于正负反馈那一边占优势(为便于分析,通常都假设R1=R2=R且C1=C2=C,当然这并不是必须的

本文从本人的163博客搬迁至此. 接下来用USB-6009和LabVIEW实现对二极管最重要的特性曲线“V-I特性曲线”的测试和绘制. 一.什么是二极管V-I特性曲线    康华光版的<电子技术基础——模拟部分>这样介绍二极管的V-I特性:在二极管正向特性(在PN结两端施加N正P负的电压时的特性)的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像一个门坎.硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0.5V,锗管的Vth约为0.

做一个电子现金的交易: 第一步当然是选中当前的应用, 方法是调用select命令, 传入当前的应用AID号, 如果卡片的状态码返回9000,则表示选中成功. 下面举一个例子: 发送: 00 a4 04 00 08 A0 00 00 04 44 01 01 05 00    最后的一个字节是Le 卡片返回: 6f 45 84 08 a0 00 00 04 44 01 01 05 a5 39 50 0a 50 42 4f 43 20 44 45 42 49 54 87 01 01 9f 38 09

下面随笔系列将对Hi3559AV100 RFCN实现细节进行解析,因为RFCN用到了VGS加框,因此本篇随笔将给出VGS视频图像子系统的具体说明,便于后面RFCN的细节实现说明. VGS 是视频图形子系统,全称为 Video Graphics Sub-System.支持对一幅输入图像进行处理,如进行缩放.像素格式转换.视频存储格式转换.压缩/解压.打 COVER.打 OSD.画线.旋转.动态范围转换等处理. 基本概念 job VGS 管理 task 的结构,一个 job 里可以包含多个 task

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

原文网址:http://www.blogjava.net/sound/archive/2008/08/21/40499.html 现在的计算机图书发展的可真快,很久没去书店,昨日去了一下,真是感叹万千,很多陌生的出版社,很多陌生的作者,很多陌生的译者,书名也是越来越夸张,什么××天精通××,精通××编程, ××宝典等等,书的印刷质量真的很好,纸张的质量也是今非昔比啊,但书的内容好象却是越来越让人失望,也许是我老了,我的思想我的观念已脱离现实社会,也许是外面的世界变化得太快,我编程数月,出去一走,

理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加低电压N加高电压时,空穴会被P区的外加电压带负电荷的电极向左吸引,电子会被向右吸引.同时空穴会被N区电极向左排斥,电子会被P区电极向右排斥.又因为PN之间自由移动的空穴和电子是有限的数量. 于是形成:P +| |- N  绝缘体部分变的更宽了,外加电压越大,

https://www.cnblogs.com/yeungchie/ MOS管就像一个开关,栅极(Gate)决定源极(Souce)到漏极(Drain)的沟道(Channel)是开还是关.以NMOS为例,图中绿色代表(N型)富电子区域,黄色代表(P型)富空穴区域.P型和N型交界处会有一层耗尽层分隔(也叫空间电荷区,如图中白色分界所示).VT是开关的阈值,超过阈值就开,低于阈值就关.栅电压越大,下方吸引的电子越多,形成的沟道就越深.栅与沟道之间有氧化层隔离.在源漏没有电压时沟道宽窄是一样的,这很好理

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.动态范围大.易于集成.无二次击穿现象.安全工作范围宽等优点. 本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示: 如

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct

Android应用程序由松散耦合的组件组成,并使用应用程序Manifest绑定到一起:应用程序Manifest描述了每一组件和它们之间的交互方式,还用于指定应用程序元数据.其硬件和平台要求.外部库以及必需的权限. 一.应用程序的基本结构模块 · Activity:应用程序的表示层.每个UI都是通过Activity类的一个或多个扩展实现的.Activity使用Fragment和视图来布局和显示信息,以及响应用户动作. · Service:应用程序中不可见的工作者.运行时没有UI,可以更新数据源和A

RC电容触摸感应按键1:RC感应原理 RC采样原理就是通过测量感应极电容的微小变化,来感知人体对电容式感应器(按键.轮键或者滑条)的感应.电极电容(C)通过一个固定的电阻(R)周期性地充放电.(原文件名:image001.png) 固定电压施加在VIN,VOUT的电压随着电容值的变化而相应增加或者降低, 如图2所示.(原文件名:image002.png) 通过计算VOUT的电压达到阀值VTH所需要的充电时间(tC),来得到电容值(C). 在触摸感应应用中,电容值(C)由两部分组成:固定电容(电极

android 应用程序的组成部分 activity 应用表示层,应用程序中每一个UI都是通过activity类或者多个扩展实现的.activity使用fragment和视图来布局和显示信息,以及响应用户动作.(在桌面开发环境中activity就相当于from)   service 应用程序中不可见的工作者.service组件在运行时没有UI,他们可以更新数据源和activity.触发通知和广播intent.他们被用来执行一些运行时间长的任务,或者不需要用户交互的任务.   content pr

Android应用程序由松散耦合的组件组成,并使用应用程序Manifest绑定到一起:应用程序Manifest描述了每一组件和它们之间的交互方式,还用于指定应用程序元数据.其硬件和平台要求.外部库以及必需的权限. 一.应用程序的基本结构模块 · Activity:应用程序的表示层.每个UI都是通过Activity类的一个或多个扩展实现的.Activity使用Fragment和视图来布局和显示信息,以及响应用户动作. · Service:应用程序中不可见的工作者.运行时没有UI,可以更新数据源和A