NAND Flash可以划分为SLC、MLC和TLC

SLC：单阶存储单元，读写速率快，可擦写次数高

MLC和TLC：多阶存储单元，MLC每个存储单元中存储2 bit数据，可以表示四种数据；SLC每个存储单元中存储3 bit数据，可以表示8中数据，容量大，成本低

SLC在编程时是按页顺序编程的，先编程第一页，再编程第二页，以此类推

TLC在编程时是按照progOrder编程的，下面以Micron B17A为例，介绍一下TLC的多pass编程。

根据Micron B17A的颗粒手册可知：B17A采用two pass编程，第一pass编程lower page data，第二pass编程eXtra page data和upper page data。一个wordLine必须完成two pass编程后才能进入稳定可读状态，否则就会发生UNC。

颗粒手册中有表格记录了每个progOrder需要编程的信息，包括wordLine、需要编程的pageCnt、对应的page、passOrder，根据这些信息就可以对TLC进行编程。

文笔以及总结能力不好，写的比较简单，所以可能很多地方都没有顾到，如有问题，可以评论，我看到就会回复的，大家一起学习探讨

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