内存

  内存(Memory)指的是内存存储器,又称为主存,是CPU用来直接寻址和存储的空间,它相当于一座桥梁,用以负责诸如硬盘、主板、显卡等硬件上的数据与处理器之间数据交换处理,我们可以把内存看作数据缓存区,一个高速的缓存区。内存之所以称为内存,是相对于硬盘这些外存而言,我们要用的软件数据都安装存放在外存上,但是当我们运行他们时,就需要把这些软件的数据调入内存,才能运行顺畅,因为CPU和内存间的数据交换速度远高于和外存交换速度。 内存条是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

  内存分ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)两部分,RAM可以理解为主存,ROM只是很小一部分,比如记录BIOS信息的ROM。而硬盘、U盘等存储设备属于外存,和ROM没有关系。

手机内存256G?

  所谓的“256G内存”是一个外存储器。不能将“内部的外存储器”简称为”内存,因为内存是一个特定的概念,为内存储器的简称。从手机角度来看,ROM不仅存储手机相关信息,还会存储很多开启启动的软件之类的,一次写入终身读取,手机刷机,并不能改变手机存储的手机型号等固定的信息。手机部分信息在ROM上,ROM又属于内存,因此我们看到卖家展示的手机参数说内存256G等也有一定道理,但严格意义上不对,因为256G中有90%充当的是外存功能。那么说手机ROM256G合适吗?也不合适,ROM 只读存储器,可以长期保存信息,都说了只读,256G中有90%都是外存性质,只不过没有合适的名称命名手机中存储器罢了。

RAM

  随机存取存储器(Random Access Memory,RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性,即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。

  所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的,读取或写入顺序访问(Sequential Access)存储设备中的信息时,其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。  

  RAM特点为:访问速度快,数据易失(断电会丢失数据,电容器或多或少有漏电的情形,不断电数据也会随时间流失,因此需要指定期读取电容器的状态,然后按照原来的状态重新为电容器充电,这一过程称为“刷新”),静电敏感性(静电会干扰存储器内电容器的电荷,引致数据流失)。

SRAM与DRMA

  静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory),这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

  SRAM有它的缺点,即它的集成度较低,功耗较DRAM大 ,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。

ROM

  ROM 是 read only memory的简称,表示只读存储器。只读存储器(ROM)是一种在正常工作时其存储的数据固定不变,其中的数据只能读出,不能写入,即使断电也能够保留数据,要想在只读存储器中存入或改变数据,必须具备特定的条件。

  ROM主要分为掩膜ROM(专用掩膜板)、PROM(可一次性编程 ROM)、EPROM(紫外线擦除可改写 ROM)、EEROM(电擦除可改写 ROM)、flash ROM(快闪 ROM)等几类。

FLASH闪存

  FLASH闪存是属于内存器件的一种,"Flash"。闪存则是一种非易失性( Non-Volatile )内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

  Flash是非挥发性随机存取存储器(NVRAM),它可以作为缓存或作为直接存储的底层设备。虽然比动态随机存储器(DRAM)慢10倍,但尽管这样,它还比硬盘快得多。它的速度和耐用性,让写操作变得比直接写硬盘快很多。将FLASH作为一个持续的高速缓存,再让它慢慢的写回磁盘作永久数据保存。

  NAND Flash的读写以page为单位,在写入前(在这里称之为编程),需要先擦除,擦除以block为单位,这些操作都会减少器件的寿命。由于NAND Flash的这种特性,使得它在编程时带来了写放大的副作用,并且管理算法更复杂,例如需要垃圾回收算法。所以一般我们对NAND Flash编程的步骤是,先把其中的有效数据page搬移到内存或者其他block中,然后擦除这个block,再把有效数据和新数据写回去。这个过程造成了多余的写入和擦除,这就是所谓的写放大。

  NAND Flash一般不单独使用,需要和专用控制器搭配组成一个系统。目前常见的使用NAND Flash的产品主要有固态硬盘(SSD),eMMC,SD记忆卡,U盘等。其中SSD和eMMC稳定性和性能要求比较高,一般需要使用品质优良的NAND Flash。

内存条

  在计算机诞生初期并不存在内存条的概念,最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上。

  后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片,以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。

  内存芯片的状态一直沿用到286初期,鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病,这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此,内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上,而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。

核心频率

  是内存颗粒内部存储单元的工作频率,即电容的刷新频率。它是内存工作的基础频率,其他频率都是建立在它基础之上的。

时钟频率

  又称内存总线频率,它是主板时钟芯片提供给内存的工作频率。

等效频率

  又称等效数据传输频率,它是内存与外界据交换的实际频率。通常内存标签上贴的就是等效效率。

SDRAM

  同步动态随机存储器(Synchronous

Dynamic RAM),采用3.3V工作电压,内存数据位宽64位,SDRAM与CPU通过一个相同的时钟频率锁在一起,使两者以相同的速度同步工作。SDRAM内存有以下几种:PC66/100/133150/166,核心频率分别为66MHz,100Mz133MHz,150MHz,166MHz。时钟频率、等效频率与核心频率相等单根 SDRAM内存数据传输带宽最高为
166MHz × 64bit ÷ 8 = 1.3GB/s。

DDR

  双倍速率同步动态随机存储器(Double data Rate SDRAM,DDR SDRAM,简称DDR),采用2.5V工作电压,内存数据位宽64位,一个时钟脉冲传输两次数据,分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据,因此称为双倍速率的SDRAM。

  DDR内存金手指为184脚。DDR内存有以下几种::DDR
200 / 266 / 333400 / 500。核心频率与时钟频率相等,分别为100 MHz, 133 MHz, 166 MHz, 200
MHz, 250 MHz,等效频分别为200 MHz, 266 MHz, 333 MHz, 400 MHz, 500
MHz,请注意, DDR内存的等效频率是时钟频率的两倍,因为DDR内存是双倍速率工作的。DDR内存核心采用2位数据预读取,也就是一次(一个脉冲)取2位。

  单根DDR内存数据传输带宽最高为500 MHz×64 bit 8-4 GB/s。

DDR2

  DDR2(Double Data Rate 2 SDRAM)采用1.8V工作电压,内存数据位宽64位。 DDR2内存和DDR内存一样,一个时钟脉冲传输两次数据,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存的预读取能力,即4位数据预读取。

  DDR
2内存金手指为240脚。DDR2内存有以下几种: DDR2 533 / 667 / 800 / 066。核心频率分别为133 MHz, 166
MHz, 200 MHz, 266 MHz,时钟频率分别为: 266 MHz,333 MHz, 400 MHz, 533
MHz,等效频率分别为533 MHz, 667 MHz, 800 MHz, 1066 MHz。

  单根DDR2内存的数据传输带宽最高为1066 MH2z X 64 bit 8 - 8.6 GB/s。

DDR3

  DDR3(Double Data Rate 3 SDRAM)采用1.5 V工作电压,内存数据位宽64位。同样, DDR3内存拥有两倍于上一代DDR2内存的预读取能力,即8位数据预读取。

  DDR
3内存有以下几种: DDR3 1066 / 1333 / 1600 / 1800 / 2000。核心频率分别为133 MHz,166 MHz,
200 MHz, 225 MHz, 250 MHz,时钟频率分别分533 MHz, 667 MHz, 800 MHz,900 MHz,
1000 MHz,等效频率分别为: 1066 MHz, 1333 MHz, 1600 MHz, 1800 MHz,2000 MHz。

  单根DDR3内存的数据传输带宽最高为2000 MHz × 64 bit÷ 8 -16 GB/s。

DDR4

  DDR4(Double Data Rate 4 SDRAM)采用1.2V工作电压,内存数据位宽64位, 16位数据预读取。取消双通道机制,一条内存即为一条通道。工作频率最高可达4266 MHz。

  单根DDR4内存的数据传输带宽最高为34 GB/s。

为什么显卡都是DDR5内存,电脑内存才DDR4?

  显卡用的是GDDR5,G就是graphic也就是图形的意思显存是为图形处理器特殊定制和打造的,另外显存与图形处理器之间使用的是固化连接,自然可以提供比插接更高的频率,另外还可以根据不同的GPU来定制合适的显存另外GDDR5已经是DDR3时代的产物,随着内存进入DDR4时代相信下一代显存也快要来了。

内存条接口

DIP

  双列直插内存芯片(Dual
n-Line Package,DIP),它的常见单片容量有256KB,IMB等几种。但现在内存发展这么快,哪里还会是几百KB和几兆容量的内存?

因此DIP接口早已经是淘汰了的内存接口。在SIMM和DIMM接口类型的内存条上,多个RAM芯片焊在一块小电路板上,通过专用插座装在主板或内存扩充板上,因此它们也可以看作是一个内存芯片。

SIMM

  单列直插内存模块(Singleln-Line
Memory
Module,SIMM),这是5x86及较早的PC机中常用的内存接口方式。在更早的PC机中(486以前),多采用30针的SIMM接口,而在Pentium级别的机器中,应用更多的则是72针的SIMM接口,或者是与DIMM接口类型并存。72线的内存条体积稍大,并提供32位的有效数据位,常见容量有4MB.8MB,
16MB和32MB。

DIMM

  双列直插内存模块(Dual
In-Line Memory
Module,DIMM),也就是说这种类型接口的内存的插板的两边都有数据接口触片(俗称为金手指)。这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中,通常为84针,但由于是双边的,所以一共有168针,也就是人们常说的168线内存条。168线内存条的体积较大,提供64位有效数据位。

选购指南

  内存的技术指标主要看类型(DDR3、DDR4等)、容量(8G、16G等)、频率(1066Hz、1333Hz等),选购时,DDR类型要与主板支持的类型严格一致,频率原则上可以向下兼容,即1333Hz的内存条可以在最高支持1066Hz的主板上正常工作,但是最好不要这样做,容量嘛,看你的资金喽。

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