1.冷复位的时间特性

图1

如图1所示：

T0为200clk

从T0结束到RST变为高电平为40000-45000个clock

从RST变为高电平后，卡片必须在400-40000个clock之间应答，对于终端，必须能正确接收卡片在380-42000个clock之间回复的ATR.

如果卡片未能在400-40000个clock之间给予应答，则终端应在42000个clock后启动deactivation

2.热复位的时间特性

图 2

如图2所示，热复位的时间特性如图所示：

在RST置为低电平后的200clock内，终端和卡片都必须保证io在接收态

在RST置为低电平后的200clock后，终端必须保证其IO在高电平

从RST置为低电平到RST置为高电平之间的时间应在40000-45000个clock1之间

卡片应在RST置为高电平后的400-40000个clock之间给予应答

终端必须能正确接收卡片从RST变为高电平后的380-42000个clock之间的应答

如果卡片未能正确回复或者未回复，则终端应在RST变为高电平后的42000个clock后启动deactivation

3.deactivation序列


                          图3

deactivation的时序如图3所示：

首先RST变为低电平

CLK变为低电平

IO变为低电平

VCC变为低电平，其低电平电压小于0.4V

整个过程在100ms内完成

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