nandflash的读写(2440)
说明:
根据物理结构上的区别 , NandFlash主要分为如下两类:
1)•SLC (Single Level Cell): 单层式存储
2)•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储
@:SLC在存储格上只存一位数据, 而MLC则存放两位数据。
1.nand.c
#define NFCONF (*(volatile unsigned long*)0x4E000000)
#define NFCONT (*(volatile unsigned long*)0x4E000004)
#define NFCMD (*(volatile unsigned char*)0x4E000008)
#define NFADDR (*(volatile unsigned char*)0x4E00000C)
#define NFDATA (*(volatile unsigned char*)0x4E000010)
#define NFSTAT (*(volatile unsigned char*)0x4E000020)
#define TACLS 1
#define TWRPH0 2
#define TWRPH1 1
void select_chip()
{
NFCONT &= ~(1<<1);
}
void deselect_chip()
{
NFCONT |= (1<<1);
}
void clear_RnB()
{
NFSTAT |= (1<<2);
}
void send_cmd(unsigned cmd)
{
NFCMD = cmd;
}
void send_addr(unsigned addr)
{
NFADDR = addr;
}
void wait_RnB()
{
while (!(NFSTAT&(1<<2)))
{
;
}
}
void nand_reset()
{
//选中flash
select_chip();
//清除RnB
clear_RnB();
//发送0xff命令
send_cmd(0xff);
//等待RnB
wait_RnB();
//取消选中flash
deselect_chip();
}
void nandflash_init()
{
//初始化NFCONF
NFCONF = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4);
//初始化NFCONT
NFCONT = (1<<0) | (1<<1);
//复位
nand_reset();
}
void NF_PageRead(unsigned long addr,unsigned char* buff)
{
int i;
//选中nandflash芯片
select_chip();
//清除RnB
clear_RnB();
//发送命令0x00
send_cmd(0x00);
//发送列地址
send_addr(0x00);
send_addr(0x00);
//发送行地址
send_addr(addr&0xff);
send_addr((addr>>8)&0xff);
send_addr((addr>>16)&0xff);
//发送命令0x30
send_cmd(0x30);
//等待RnB
wait_RnB();
//读取数据
for(i=0;i<2048;i++)
{
buff[i] = NFDATA;
}
//取消选中nandflash芯片
deselect_chip();
}
void nand_to_ram(unsigned long start_addr, unsigned char* sdram_addr, int size)
{
int i;
for( i=(start_addr >>11); size>0;)
{
NF_PageRead(i,sdram_addr);
size -= 2048;
sdram_addr += 2048;
i++;
}
}
int NF_Erase(unsigned long addr)
{
int ret;
//选中flash芯片
select_chip();
//清除RnB
clear_RnB();
//发送命令0x60
send_cmd(0x60);
//发送行地址
send_addr(addr&0xff);
send_addr((addr>>8)&0xff);
send_addr((addr>>16)&0xff);
//发送命令D0
send_cmd(0xD0);
//等待RnB
wait_RnB();
//发送命令0x70
send_cmd(0x70);
//读取擦除结果
ret = NFDATA;
//取消选中flash芯片
deselect_chip();
return ret;
}
int NF_WritePage(unsigned long addr,unsigned char *buff)
{
unsigned int i,ret = 0;
//选中nandflash
select_chip();
//清除RnB
clear_RnB();
//发送0x80命令
send_cmd(0x80);
//发送2个列地址
send_addr(0x00);
send_addr(0x00);
//发送3个行地址
send_addr(addr&0xff);
send_addr((addr>>8)&0xff);
send_addr((addr>>16)&0xff);
//发送数据
for(i=0;i<2048;i++)
{
NFDATA = buff[i];
}
//发送0x10命令
send_cmd(0x10);
//等待RnB
wait_RnB();
//发送0x70命令
send_cmd(0x70);
//读取写入结果
ret = NFDATA;
//关闭nandflash
deselect_chip();
return ret;
}
2.uart.c
#define GPHCON (*(volatile unsigned long*)0x56000070)
#define ULCON0 (*(volatile unsigned long*)0x50000000)
#define UCON0 (*(volatile unsigned long*)0x50000004)
#define UBRDIV0 (*(volatile unsigned long*)0x50000028)
#define UTRSTAT0 (*(volatile unsigned long*)0x50000010)
#define UTXH0 (*(volatile unsigned long*)0x50000020)
#define URXH0 (*(volatile unsigned long*)0x50000024)
#define PCLK 50000000
#define BAUD 115200
void uart_init()
{
//1.配置引脚功能
GPHCON &= ~(0xf<<4);
GPHCON |= (0xa<<4);
//2.1 设置数据格式
ULCON0 = 0b11;
//2.2 设置工作模式
UCON0 = 0b0101;
//3. 设置波特率
UBRDIV0 =(int)(PCLK/(BAUD*16)-1);
}
void putc(unsigned char ch)
{
while (!(UTRSTAT0 & (1<<1)));
UTXH0 = ch;
}
unsigned char getc(void)
{
unsigned char ret;
while (!(UTRSTAT0 & (1<<0)));
// 取数据
ret = URXH0;
if ( (ret == 0x0d) || (ret == 0x0a) )
{
putc(0x0d);
putc(0x0a);
}
else
putc(ret);
return ret;
}
nandflash的读写(2440)的更多相关文章
- 外设:K9F2G08 nandflash 底层读写、控制驱动程序,可随机读写
/****************************************************************************** Copyright (C), 2001- ...
- 嵌入式开发之NorFlash 和NandFlash
http://blog.csdn.net/tigerjibo/article/details/9322035 [摘要]:作为一个嵌入式工程师,要对NorFlash 和NandFlash要有最起码的认知 ...
- 闪存中的NorFlash、NandFlash及eMMC三者的区别【转】
本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器 ...
- NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别
快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存 ...
- NorFlash、NandFlash、eMMC比较区别【转】
本文转载自:http://www.veryarm.com/1200.html 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器. ...
- NorFlash、NandFlash在技术和应用上有些什么区别?
首先你要搞懂什么是Flash Memory? Flash Memory(快闪存储器),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在 ...
- u-boot-2010.09移植(B)
前面我们的u-boot只是在内存中运行,要想在nandflash中运行,以达到开机自启的目的,还需作如下修改 一.添加DM9000网卡支持 1.修改board/fl2440/fl2440.c中的boa ...
- 裸板驱动总结(makefile+lds链接脚本+裸板调试)
在裸板2440中,当我们使用nand启动时,2440会自动将前4k字节复制到内部sram中,如下图所示: 然而此时的SDRAM.nandflash的控制时序等都还没初始化,所以我们就只能使用前0~40 ...
- arm裸板驱动总结(makefile+lds链接脚本+裸板调试)
在裸板2440中,当我们使用nand启动时,2440会自动将前4k字节复制到内部sram中,如下图所示: 然而此时的SDRAM.nandflash的控制时序等都还没初始化,所以我们就只能使用前0~40 ...
随机推荐
- GridView的各种属性
<GridView android:id="@+id/movie_list" android:layout_width="906dp" android:l ...
- button自适应宽度 并根据屏幕宽自动换行排列
这是一个封装好的类TagListView, 1. 只需要调用两个方法 设置宽度,间距,边距 并赋给它需要显示的字符串数组; 2. 遵循tagListView的协议, 并实现返回buttonView的方 ...
- 利用DetachedCriteria构建HQL参数动态匹配
此文章是基于 搭建SpringMVC+Spring+Hibernate平台 1. DetachedCriteria构建类:CriteriaBuilder.java package com.ims.pe ...
- exynos4412中断编程
中断概述 我们知道,ARM核能处理的异常有7种,但仅仅区分异常的种类显然不能够满足需求.拿手机来说,触摸屏幕和按下音量键可能都是irq异常,但是ARM并不能将他们区分开,而事实的情况是针对这两种中断, ...
- 【Linux管理】用户管理
每次玩linux都会去网上找一些命令,想想应该记录一下,希望方便大家,当然更方便自己. 1.添加用户 useradd username//添加用户 passwd username//设置密码 2.配置 ...
- 如何利用报表工具FineReport实现报表列的动态展示
相信动态列的实现困扰了很多人,大数据量,多字段的加载将会非常耗时,数据又做不到真正的动态灵活.现有的方式都是通过变向的隐藏等方式来实现. 那该如何解决呢?这里分享帆软报表设计器FineReport的实 ...
- IBM Bluemix体验:Containers进阶
上一篇中介绍了Bluemix的Containers服务以及如何使用自定义的docker image创建一个容器实例并对外提供服务.除了自定义镜像之外,Bluemix Containers还可以使用Do ...
- [转].NET Core中的认证管理解析
本文转自:http://www.cnblogs.com/durow/p/5783089.html 0x00 问题来源 在新建.NET Core的Web项目时选择“使用个人用户账户”就可以创建一个带有用 ...
- 彻底搞懂编码 GBK 和 UTF8
常用编码格式一览 首先来看一下常用的编码有哪些,截图自Notepad++.其中ANSI在中国大陆即为GBK(以前是GB2312),最常用的是 GBK 和 UTF8无BOM 编码格式.后面三个都是有BO ...
- 【WPF】wpf image控件加载网络图片不显示问题,
1.加载网络图片到内存system.drawing.image对象中2.内存中的image 转Bitmap 再转适合system.windows.controls.image 的BitmapImage ...