SRAM（静态）存储器芯片的读/写周期

一、
要保证正确地读/写，必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合。一般存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图。

Intel 2114芯片的读、写周期时序如图所示。

二、 读周期

读操作时，必须保证片选信号为低电平，读写信号为高电平。
tRC （读周期时间）：指对芯片连续两次读操作之间的最小间隔时间。
tA (读出时间)：从给出有效地址后，经过译码电路、驱动电路的延迟，到读出所选单元内容，并经I/O电路延迟，直到数据在外部数据总线上稳定出现所需的时间。显然，读出时间小于读周期时间。
tCO (片选到数据输出稳定的时间)：数据能否送到外部数据总线上，不仅取决于地址，还取决于片选信号。因此，tCO是从有效到数据稳定出现在外部数据总线上的时间。
tCX（片选到数据输出有效时间）：从片选有效到数据开始出现在数据总线上的间隔时间。
tOTD：片选无效后数据还需在数据总线上保持的时间。
tOHA：地址失效后，数据线上的有效数据维持时间，以保证所读数据可靠。

三、写周期

执行写操作时，为低电平，读写信号为低电平。
tW（写入时间）：为保证数据可靠地写入，与同时有效的时间必须大于或等于tW。
tAW（滞后时间）：地址有效后，必须经过tAW时间，WE/信号才能有效（低），否则可能产生写出错。
tWR（写恢复时间）：WE/无效后，经tWR时间后地址才能改变，否则也可能错误地写入。
tDW：写入数据必须在写无效之前tDW时间就送到数据总线上。
tDH：WE/无效后，数据还要保持的时间。此刻地址线仍有效，tWR>tDH，以保证数据可靠写入。
tWC（写周期时间）：表示连续两次写操作之间的最小时间间隔。tWC = tAW + tW + tWR。