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ROM(只读存储器)按其内容写入方式,一般分为3种:固定内容ROM;可一次编程PROM;可擦除ROM,又分为EPROM(紫外线擦除电写入)和E2PROM(电擦除电写入)等类型。

(1)、固定内容ROM是采用掩模工艺制作的,其内容在出厂时已按要求固定,用户无法修改。由于固定ROM所存信息不能修改,断电后信息不消失,所以常用来存储固定的程序和数据。如在计算机中,用来存放监控、管理等专用程序。

(2)、PROM(Programmable ROM)是可一次编程ROM。这种存储器在出厂时未存入数据信息。单元可视为全“0”或全“1”,用户可按设计要求将所需存入的数码“一次性地写入”,一旦写入后就不能再改变了。PROM在每一个存储单元中都接有快速熔断丝,在用户写入数据前,各存储单元相当于存入“1”。写入数据时,将应该存“0”的单元,通以足够大的电流脉冲将熔丝烧断即可。

(3)、EPROM是为了克服PROM只能写入一次的缺点,出现了可多次擦除和编程的存储器。这种存储器在擦除方式上有两种:

一种是电写入紫外线擦除的存储器EPROM(ErasablePro-grammable Read-only Memory);

另一种是电写入电擦除的存储器,称为EEPROM或E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。

EPROM内容的改写不像RAM那么容易,在使用过程中,EPROM的内容是不能擦除重写的,所以仍属于只读存储器。要想改写EPROM中的内容,必须将芯片从电路板上拔下,将存储器上面的一块石英玻璃窗口对准紫外灯光照射数分钟,使存储的数据消失。擦除时间大约为10min~30min,视型号不同而异。为便于擦除操作,在器件外壳上装有透明的石英盖板,便于紫外线通过。在写好数据以后应使用不透明的纸将石英盖板遮蔽,以防止数据丢失。数据的写入可用软件编程,生成电脉冲来实现。

(4)、E2PROM是一种电写入电擦除的只读存储器,擦除时不需要紫外线,只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作。擦除操作实际上是对E2PROM进行写“1”操作,全部存储单元均写为“1”状态,编程时只要对相关部分写为“0”即可。

(5)、Flash Memory快闪存储器是新一代E2PROM,它具有E2PROM擦除的快速性,结构又有所简化,进一步提高了集成度和可靠性,从而降低了成本。目前除了各种快闪存储器的产品面世外,快闪存储器还向其他应用领域拓展,例如已经应用于计算机上的可移动磁盘,以代替软磁盘。

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