ROM指的是“只读存储器”,即Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺, 一次性制造,其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉),不能进行修改。这玩意一般在大批量生产时才会被用的,优点是成本低、非常低,但是其风险比较大,在产品设计时,如果调试不彻底,很容易造成几千片的费片,行内话叫“掩砸了”!
  PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1), 以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。
  EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”,即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特点是具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程,但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。这一类芯片特别容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”,一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住, 以防止遭到
阳光直射。
  EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除,也可用电信号写入。EEPROM不能取代RAM的原应是其工艺复杂, 耗费的门电路过多,且重编程时间比较长,同时其有效重编程次数也比较低。
  Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写,而Flash ROM做不到。

参考链接:http://blog.sina.com.cn/s/blog_532c29350100l8wy.html

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