DRAM与NAND Flash产业六大趋势预测分析
集邦科技(TrendForce)旗下的分析部门DRAMeXchange的研究,针对对DRAM与NANDFlash产业的长久观察下,提出了对2012-2015年间产业发展的六大趋势预测:
趋势一、PC-DRAM现阶段主流规格DDR3将主宰市场至2014年
2011年开始PC-DRAM的主流规格已升级为DDR3,DRAMeXchange预期其主流地位至少将维持到2014年。JEDEC组织虽然在2012年将正式公布DDR4的标准规格,但DRAMeXchange对DDR4是否能遵循DDR与DDR2的历史轨迹,在2014-2015年期间取代DDR3成为市场主流抱持保守的看法。背后理由在于DDR4带给PC效能提升的边际效益幅度是相对有限的,但要注意的是Intel仍将握有最后的关键决定权。
趋势二、TSV与2.5D/3DIC技术的成熟度将成为影响未来MobileDRAM主流的关键
2011年开始MobileDRAM的主流颗粒为LPDDR2Gb,预计2012年开始LPDDR22Gb颗粒的出货量将快速成长,以取代LPDDR的主流地位。行动手持装置对于带宽(BW)的需求随着影音往3D发展,使得LPDDR2只能满足2012年之前的需求。2013年以后的趋势,已确定由LPDDR3胜出。然而,为了满足2014-2015年期间的BW需求,DRAMeXchange认为LPDDR系列与WideI/O仍将持续之前的竞争。DRAMeXchange预期TSV与2.5D/3DIC技术未来的成熟度,将扮演影响WideI/O崛起与否的重要关键。
趋势三、Ultrabook未来可望成为PC-DRAM与MobileDRAM交锋的战场
未来随着Intel新一代平台IvyBridge与Haswell的上市,可搭载的DRAM规格将新增DDR3L与LPDDR3。这表示Ultrabook未来将成为PC-DRAM与MobileDRAM首次交锋的战场。后者的优势在于,同样支持Ultrabook所要求的AOAC(Always-on-Always-Connected)与快速回复等功能上,将较PC-DRAM来得省电,并达成Ultrabook所规定的待机时间要求。DRAMeXchange认为未来MobileDRAM若真能打入Ultrabook供应炼时,总市场规模甚至可能在2015年时超越PC-DRAM,进而转变成DRAM应用的最大市场。
趋势四、预期SSD单位成本在2012年下半年可望跌破一美元水平,成长潜力将涌现
当采用最新制程等级的SSD在2012年下半年正式进入量产后,单位成本将可望下降至一美元以下的水平,达到市场期待已久的甜蜜点。届时DRAMeXchange预期Ultrabook将从倾向采用HybridHDD的解决方案,转变成PureSSD的解决方案,主流容量将大幅提升至128GB水平。估计Ultrabook的市场占有率将自2012年第三季快速拉升,使得固态硬盘的NANDFlash消耗量也将从2011年的5.1%大幅成长至今年的15%,成为众多NANDFlash应用产品中,成长爆发力道最强的类别之一。
趋势五、PC-SSD接口将以SATA3.0为主,未来可望升级至更高速的PCIe-Like接口
2011年PC-SSD(PC用固态硬盘)所采用的标准传输接口仍以SATA2.0为主,2012年开始随着IvyBridge处理器上市后,SATA3.0将逐渐成为主流接口,并将BW推升至600MB/s水平。然而,日后随着ONFI3.0与ToggleDDR2.0接口的NANDFlash开始进入量产,将使得提升SSD产品传输速度瓶颈,转移至控制芯片身上。这样的发展已使得SATA-IO在2011年开始建立「SATAExpress」*(注)的标准制定工作。SATAExpress的最大传输速度将上升至1000MB/s与2000MB/s的水平。依历史经验推估,Intel最快可能会在2014-2015年推出的CPU平台支持SATAExpress或「PCIe-like」的高速接口,以发挥ONFI3.0与ToggleDDR2.0的最大效能。
趋势六、系统产品走向「平价时尚」的趋势下,NANDFlash与DRAM之间的竞争将快速升温
DRAM与NANDFlash两者虽然在功能上是呈现互补,但是在Ultrabook、智能型手机等系统产品逐渐走向平价时尚(高价值/低价格)的趋势下,DRAMeXchange预期DRAM与NANDFlash未来竞争的程度将会逐渐提升。我们认为相关OEM/ODM业者在有限预算下,将会把资源用于NANDFlash而非DRAM,因为如此一来才能让消费者明显感受到产品效能的提升,以吸引消费者的青睐。
注:SATAExpress是结合SATA的软件基础架构(softwareinfrastructure)与PCIe的传输接口
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