所谓的“共面”，即阻抗线和参考层在同一平面，即阻抗线被VCC/GND所包围，
周围的VCC/GND即为参考层。
相较于单端和差分阻抗模型，共面阻抗模型多了一个参数D1，即阻抗线和参
考层VCC/GND之间的间距。
在Palor Si9000中，下面红色标注的工具栏图标为coplanar模型组:
针对共面模型，下面只选几种典型模型来进行说明，更详细全面的内容
请参考同组笔记本下的"常见的阻抗模型---整理版"。
 
另外注意，此组模型都是wavegide模式。
 
1.  Surface coplanar waveguide 1B

适用范围:
外层蚀刻后单线共面阻抗，阻抗线被VCC/GND所包围，
周围的VCC/GND即为参考层，而次外层(innerlay 2)
为线路层，而非VCC/GND参考层。
参数说明:
H1:外层到次外层之间的介质厚度
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
 

2.Coated coplanar waveguide  1B

适用范围:
阻焊后单线共面阻抗，阻抗线被VCC/GND所包围，
周围的VCC/GND即为参考层，而次外层(innerlay 2)
为线路层，而非VCC/GND参考层。
参数说明:
H1:外层到次外层之间的介质厚度
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
CEr1:阻焊介电常数
C1:基材阻焊厚度
C2:线面阻焊厚度(后加工)
3.Surface coplanar waveguide with ground 1B
适用范围:
外层蚀刻后单线共面阻抗，参考层为同一层面的VCC/GND
和次外层VCC/GND。
参数说明:
H1:外层到次外层VCC/GND之间的介质厚度
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚+电镀铜厚
Er1:介质层介电常数
 
4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A 
适用范围:
        内层单线共面阻抗，阻抗线被VCC/GND所包围，
周围的VCC/GND即为参考层，而次外层(innerlay 2)
为线路层，而非VCC/GND参考层。
参数说明:
H1:阻抗线路层到下一层之间的介质厚度
H2:阻抗线路层到上一层之间的介质厚度
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:H1对应介质层介电常数
Er2:H2对应介质层介电常数
 

5.Embedded coplanar waveguide with ground 1B1A

适用范围:
        内层单线共面阻抗，参考层为同一层面的VCC/GND
        和次外层VCC/GND。
参数说明:
H1:阻抗线路层到临近VCC/GND之间的介质厚度
H2:阻抗线路层到上一层之间的介质厚度
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:H1对应介质层介电常数
Er2:H2对应介质层介电常数
6. Offset coplanar waveguide 1B1A

适用范围:
        内层单线共面阻抗，参考层为同一层面的VCC/GND
        和及与其临近的两个VCC/GND层。
参数说明:
H1:阻抗线路层到临近VCC/GND之间的介质厚度
H2:阻抗线路层到较远VCC/GND之间的介质厚度
W2:阻抗线上线宽
W1:阻抗线下线宽
D1:阻抗线和同面参考VCC/GND之间的间距
T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚
Er1:H1对应介质层介电常数
Er2:H2对应介质层介电常数

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