Nand Flash 基础

1. 根据物理结构上的区别，Nand Flash主要分为：

SLC(Single Level Cell): 单层式存储

MLC(Multi Level Cell): 多层式存储

TLC(Triple Level Cell): 三层式存储

注：SLC在存储格上只存一位数据（2个状态），MLC存放两位数据（4个状态），TLC存放三位数据（8个状态）。

2. Nand Flash 地址结构

注：

①Row Address即页地址，Column Address即页内偏移

②正常页内容读取用Column Address(A0-A10)，共11位，最大索引地址为2^11 = 2048

③OOB区域索引用Column Address(A0- A12)，共12位，可以索引2048后面的地址

3. Nand Flash 信号引脚

①CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许

②ALE(Address Latch Enable): 地址锁存允许

③CE: 片选

④RE: 读允许

⑤WE: 写允许

⑥WP: 在写或者擦期间，提供写保护

⑦R/B: 读/忙

注：

现代一些SOC都自带Nand Flash控制器，软件工程师只需配置一些控制寄存器，然后按照顺序填写命令寄存器、地址寄存器，操作数据寄存器读写数据。

4. Nand Flash 命令集

5. ECC校验

① ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法

② 校验码生成算法：ECC校验每次对256字节的数据进行操作，包含列校验和行校验

列校验：

注：CP0~CP5为6个Bit位，表示Column Parity（列极性）

行校验：

注：RP0~RP15为16个Bit，表示Row Parity(行极性)

综上，对256字节的数据共生成了6个Bit的列校验结果，16个Bit的行校验结果，共22个Bit