《浅谈CT》总结
注明来自 http://www.ssdfans.com/?p=1941
这里说的CT,不是医院里面的CT,而是闪存的一种技术:Charge Trap。
闪存不只有Floating Gate,还有Charge Trap。
浮栅极材料是导体,一般为多晶硅。
CTF(Charge Trap Flash)与FGF (Floating Gate Flash)最大不同是存储电荷的元素不同,后者是用导体存储电荷,而前者是用高电荷捕捉(Trap)密度的绝缘材料(一般为氮化硅,SI3N4)来存储电荷。CTF的绝缘材料上面就像布了很多陷阱,电子一旦陷入其中,就难以逃脱,而FGF是导体材料,电子可以在里面自由移动。有人是这样来形容两者区别的:FGF的浮栅极就像水,电子可在里面自由移动;而CTF就像是奶酪,电子在里面移动是非常困难的。
相对FGF来说,CTF的一个优势就是:对Tunnel氧化层不敏感,厚度变薄,或者擦除导致老化,CTF表示压力不大。
CTF相比FGF,有很多好处,如上面提到的,对tunnel氧化层要求不是那么苛刻;更小的cell-to-cell interface;tunnel氧化层磨损更慢;更节能;据说工艺实现也容易;可以在更小的尺寸上实现。但是,CTF也不是完胜。在Read disturb和Program disturb上,CTF较FGF影响更大。为什么?因为tunnel氧化层可以更薄,同样的导通电压,tunnel电场就更强,因此电子越容易跑到Charge Trap里面。总的看来,CTF的一个特点就是,电子容易进不容易出。
CTF看来很好,但很奇怪的是,2D闪存很少看到CTF,不知道为什么。CT技术现在主要是应用在3D闪存上。
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