flash存储原理

norflash 带有 SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内容每一字节；
nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据，读写操作采用512字节的块（也就是读/写某个字节，必须从其所在的块起始位置开始读/写），这一点有点像硬盘管理类操作，很自然地，基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。

flash存储原理

一、半导体存储设备的原理

　　目前市面上出现了大量的便携式存储设备，这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的。采用半导体存储介质，可以把体积变的很小，便于携带；与硬盘之类的存储设备不同，它没有机械结构，所以也不怕碰撞；没有机械噪声；与其它存储设备相比，耗电量很小；读写速度也非常快。半导体存储设备的主要缺点就是价格和容量。

　　现在的半导体存储设备普遍采用了一种叫做“FLASH MEMORY”的技术。从字面上可理解为闪速存储器，它的擦写速度快是相对于EPROM而言的。FLASH MEMORY是一种非易失型存储器，因为掉电后，芯片内的数据不会丢失，所以很适合用来作电脑的外部存储设备。它采用电擦写方式、可10万次重复擦写、擦写速度快、耗电量小。

1.NOR型FLASH芯片
我们知道三极管具备导通和不导通两种状态，这两种状态可以用来表示数据0和数据1，因此利用三极管作为存储单元的三极管阵列就可作为存储设备。FLASH技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。它具有两个栅极，一个如普通场管栅极一样，用导线引出，称为“选择栅”；另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连，这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下，浮栅不带电荷，则场效应管处于不导通状态，场效应管的漏极电平为高，则表示数据1。编程时，场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压，源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底的二氧化硅层俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层，这时由于选择栅加有高电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅，并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅上，所以信息能够长期保存（通常来说，这个时间可达10年）。由于浮栅为负，所以选择栅为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据0被写入。擦除时，源极加上较高的编程电压，选择栅接地，漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理，浮栅上的电子将穿过势垒到达源极，浮栅上没有电子后，就意味着信息被擦除了。

　　由于热电子的速度快，所以编程时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。

　　每个场效应管为一个独立的存储单元。一组场效应管的漏极连接在一起组成位线，场效应管的栅极连接在一起组成选择线，可以直接访问每一个存储单元，也就是说可以以字节或字为单位进行寻址，属于并行方式。因此可以实现快速的随机访问，但是这种方式使得存储密度降低，相同容量时耗费的硅片面积比较大，因而这种类型的FLASH芯片的价格比较高。

　　特点：数据线和地址线分离、以字节或字为单位编程、以块为单位擦除、编程和擦除的速度慢、耗电量大、价格高。

2.NAND型FLASH芯片
NAND型FLASH芯片的存储原理与NOR型稍有不同，编程时，它不是利用热电子效应，而是利用了量子的隧道效应。在选择栅加上较高的编程电压，源极和漏极接地，使电子穿越势垒到达浮栅，并聚集在浮栅上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过把电压反过来，从而消除浮栅上的电子，达到清除信息的结果。

　　利用隧道效应，编程速度比较慢，数据保存效果稍差，但是很省电。
一组场效应管为一个基本存储单元（通常为8位、16位等）。一组场效应管串行连接在一起，一组场效应管只有一根位线，属于串行方式，随机访问速度比较慢。但是存储密度很高，可以在很小的芯片上做到很大的容量。

　　特点：读写操作是以页为单位的，擦除是以块为单位的，因此编程和擦除的速度都非常快；数据线和地址线共用，采用串行方式，随机读取速度慢，不能按字节随机编程。体积小，价格低。芯片内存在失效块，需要查错和效验功能。 3.AND型FLASH芯片

　　AND技术是Hitachi公司的专利技术。AND是一种结合了NOR和NAND的优点的串行FLASH芯片，它结合了INTEL公司的MLC技术，加上0.18μm的生产工艺，生产出的芯片，容量更大、功耗更低、体积更小、采用单一操作电压、块比较小。并且由于内部包含与块一样大的RAM缓冲区,因而克服了因采用MLC技术带来的性能降低。

　　特点：功耗特别低，读电流为2mA，待机电流仅为1μA。芯片内部有RAM缓冲区，写入速度快。

// MLC(Multi-level Cell)技术，这是INTEL提出的一种旨在提高存储密度的新技术。通常数据存储中存在一个阙值电压，低于这个电压表示数据0，高于这个电压表示数据1，所以一个基本存储单元（即一个场效应管）可存储一位数据（0或者1）。现在将阙值电压变为4种，则一个基本存储单元可以输出四种不同的电压，令这四种电压分别对应二进制数据00、01、10、11，则可以看出，每个基本存储单元一次可存储两位数据（00或者01或者10或者11）。如果阙值电压变为8种，则一个基本存储单元一次可存储3位数据。阙值电压越多，则一个基本存储单元可存储的数据位数也越多。这样一来，存储密度大大增加，同样面积的硅片上就可以做到更大的存储容量。不过阙值电压越多，干扰也就越严重。

二、各种各样的半导体存储卡

1.ATA FLASH卡

这种存储卡是基于FLASH技术（通常采用NAND型）的ATA接口的PC卡。在电源管理方面，具备休眠、待命、运行和闲置等4种模式，整体功耗比较小。具有I/O、内存和ATA三种接口方式。由于体积比较大，所以可以使用更多的存储芯片，因而也可以做到更大的容量。主要用于笔记本电脑、数码相机和台式PC机。

从图中可以看出，ATA FLASH卡由控制芯片和存储模块两部分组成。智能化的控制芯片有两个作用，一是对FLASH芯片的控制，另外就是完成PC卡的ATA（IDE)接口功能。由于接口支持IDE模式，所以可以通过简单的转接到PC机的IDE接口。它支持扇区方式读写，可以象操作硬盘一样对它进行各种操作。接口有68个引脚。因为引脚中的电源和地两个引脚比其它引脚要长，保证了信号脚先分离，最后断电，所以支持热插拔。

主要特点：存储容量大（可达1G）、即插即用、支持热插拔、传输速率约10M/s。

ATA FLASH卡需要专用的读写设备，通常笔记本电脑内置了这种读写器。

2.CF卡
　COMPACTFLASH是一种小型移动存储设备。这种标准是在1994年由SCANDISK公司提出的。CF卡兼容PCMCIA-ATA标准、兼容TRUEIDE标准、兼容ATA/ATAPI-4标准。其体积为43mm (1.7") x 36mm (1.4") x 3.3mm (0.13")，有50条引脚。主要用于数码相机、MP3播放器、PDA等便携式产品。

　CF卡的内部结构与ATA FLASH卡类似，也是由控制芯片和存储模块组成。智能化的控制芯片提供一个连接到计算机的高电平接口，这个接口运行计算机发布命令对存储卡以块为单位进行读写操作。块的大小为16K，有ECC效验。控制芯片管理着接口协议、数据存储、通过ECC效验修复数据、错误诊断、电源管理和时钟控制，一旦CF卡通过计算机的设置，它将以一个标准的ATA硬盘驱动器出现，你可以象对其它硬盘一样对它进行操作。

CF卡需要专用的读写设备。但是因为它兼容PCMCIA-ATA标准，所以可以通过一个转接卡当做PCMCIA设备来使用。
3.SM卡
SMART MEDIA CARD简称SM卡，它是基于NAND型FLASH芯片的存储卡。它的最大特点是体积小（45.0mm x 37.0mm x 0.76mm ）、重量轻（2克）。主要用于数码相机、PDA、电子音乐设备、数码录音机、打印机、扫描仪以及便携式终端设备等。

从结构上讲，SM卡实在是简单不过了，卡的内部没有任何控制电路，仅仅是一个FLASH存储器芯片而已，芯片被封装到一个塑料卡片中，引脚与卡片表面的铜箔相连。
SM卡采用NAND型的FLASH芯片，因而与其它存储卡相比具有较低的价格。但因为它只用了一个存储芯片，所以受到了很大的限制，不容易做到大容量。
SM卡可以采用专用的读写器进行读写，也可以通过一个转接卡当做PC卡来读写。

　　主要特点：NAND结构适合于文件存储；高速的读写操作；价格低廉。

4.MEMORY STICK
MEMORY STICK（记忆棒）是SONY公司推出的一种小体积的存储卡。它可用于各种消费类电子设备：数码摄像机、便携式音频播放设备、掌上电脑、移动电话等等。对于音乐等一些收保护的内容具备数字版权保护功能。

　　SONY的MEMORY STICK具有写保护开关，采用10引脚的串行连接方式，具有很高的可靠性。通过一个PC卡适配器，它也可作为一个PC卡在各种PC卡读写设备上使用。 　　MEMORY STICK内部包括控制器和存储模块，控制芯片负责控制各种不同类型的FLASH存储芯片，并将负责并行数据和串行数据之间的相互转换。另外MEMORY STICK采用了一种专用的串行接口，发送数据时附加了一位效验码，最高工作频率为20M。

5.MultiMedia卡（MMC）

这是由美国SANDISK公司和德国西门子公司共同开发的一种通用的低价位的可用于数据存储和数据交换的多功能存储卡。作为一种低价位、小体积、大容量的存储卡，它的应用范围很广。可用于数码相机、数码摄像机、PDA、数码录音机、MP3、移动电话等设备。
MMC卡的数据通讯是基于一种可工作在低电压范围下的串行总线，它有7条引线。它支持MMC总线和SPI总线。
特点：由于工作电压低，耗电量很小。体积小，与一张邮票差不多。可对数据实行密码保护。内置写保护功能。

6.Secure Digital Memory卡

SD卡是由Panasonic、Toshiba及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制的一种基于NAND技术的FLASH存储卡。它的体积非常小，仅有一张邮票大小，但是容量却很大。SD卡的另一个特点是，它具有非常好的数据安全性和版权保护功能。