MOS管

mos工作原理：http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml，

开关特性好，长用于开关电源马达驱动，CMOS相机场合。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化

NMOS：箭头指向G（绝缘层实线的表示耗尽型即不加栅极电压也有导电沟道产生，导通电阻小，成本低容易制造），通常共源接法（源极接GND，Vgs正偏压大于4~10V导通）称为低端驱动。

PMOS：箭头背向G（绝缘层实线的表示耗尽型即不加栅极电压也有导电沟道产生），Vgs正偏压小于一定电压导通称为高端驱动（导通电阻大价格贵）。

一 MOS管栅极加几欧姆~几十欧姆电阻的作用：通常情况下mos管有很高的输入阻抗，在低频下加不加无所谓，但在高频下，栅极的脉冲比较陡峭，此时输入阻抗会降低或变为负值引起控制逻辑震荡，此时加小电阻可以降低这种震荡，电阻太大导通时间变长发热厉害，电阻太小 di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏解决不了震荡问题，当是也没有公式计算这个电阻的大小，可根据额定电压，电流和导通频率综合考量，根据手册上的Td on 和Td off电阻决定

二 MOS管的选型和使用https://www.cnblogs.com/dzcql/p/7593877.html：

2.1 晶体管还是MOS管：MOS管的Vgs从高到低（由导通到截止，通过Rd,电容充电），Vgs从低到高（由截止到导通，通过Rds,电容放电），因为Rds远小于Rd所以放电速度大于充电速度（MOS管从截止到导通，输出电压从H-L的时间比MOS管从导通到截止，输出电压从L-H的时间短）；MOS管的Rd和Rds都比晶体管的饱和电阻Rces和集电极电阻Rc大，所以速度相比要慢。

2.2根据高低端驱动类型选择Nmos/Pmos,根据额定电流进行选型；根据手册的结温和热阻，可计算不同温度下的导通耗散进而算出不同温度下的导通电阻（与Vgs成反比，随温度和电流升高而升高。）

2.3导通功率耗散和切换耗散：导通功率耗散与Rds有关；而切换耗散的降低可以降低切换速度和开关频率。

2.3DS之间寄生二极管（只有单体MOS有，对驱动马达等感性负载很重要）防止DS反接。如果源极和衬底连在一起则DS之间就有了寄生二极管，此时DS不能互换。