P-Bank:计算机早期的一个概念。目的:匹配内存芯片和CPU芯片的数据总线的宽度。方法:并联多个内存模块。

L-Bank:对内部存储阵列的分割,避免寻址冲突,提高内存效率。通过ba信号选择bank,每次只能有一个L-Bank工作。

L-Bank中的存储单元是内存中的基本存储单元,每次地址匹配之后,便取出一个存储单元,它的数据位宽就是内存的数据位宽。

一个存储单元由若干bit组成,每个bit都存放在一个单独的存储体中。

一个内存芯片的容量,存储单元数量=行数×列数×L-Bank的数量。

常用的信号线:CLK,CKE,CS,RAS,CAS,WE,A0-A11,BA0-BA1

行有效:Active,进行片选和L-Bank的定址。

列寻址:列地址信号和读写命令同时发出。

读写命令与行有效命令必须有一个间隔:tRCD(RAS至CAS延迟),以时钟个数来表示。

在数据读取过程中,从读取命令发出到第一笔数据出现在数据线上,这个时间:CAS潜伏期(CAS Latency),也叫做read Latency。

这部分时间又由两部分组成,CAS命令到数据在晶体管中被触发的时间:造成一个时钟延时。

数据被触发到S-AMP驱动到数据总线:tAC。

读数据之后,会对数据进行重写,这部分时间与数据的输出同步,不会造成重写延时。

数据写入操作:由于存储电容的预充电需要一定的时间,所以在写入操作中,会留出一个写入矫正时间:tWR(Write Recovery Time)

保证数据被正确的写入。

Burst传输,减少数据传输过程中的控制资源的消耗。可以设置为2/4/8的Burst Length。具体的长度根据应用需要的数据量来确定。

预充电命令和专用的突发传输终止命令,都可以用来中断BL,前者在终端后,进行预充电操作。

在中断读操作时,命令的有效潜伏期与CL相同。中断写入操作时,命令即可有效。

预充电:对工作行中所有的存储体进行数据重写,包括S_AMP中的比较电压,行地址的复位。

DRAM在进行换行操作时,必须进行预充电,关闭现有行,准备打开新行。

目前有两种预充电命令:自动预充电命令,CAS命令的A10控制线,可以使能该功能。

单独预充电命令,A10控制线,表示针对指定L-Bank还是整个L-Bank。

在发出预充电命令后,经过时间tRP(Precharge command Period,预充电有效周期),才可以打开新的行。

(在写操作中,必须等到tWR时间后,才能进行预充电操作,)。

刷新操作与预充电中的重写命令一样,都是S_AMP先读后写,区别是刷新有具体的周期。

刷新操作分为两种:自动刷新(AR,Auto Refrech)和自刷新(SR,Self Refresh),两种操作都不需要外部提供地址信息,

内部会实现行地址的自动累加。刷新间隔=64ms/行数。刷新过程中,所有的Bank都停止工作,

每次的刷新操作占用N个时钟(PC133规定9个)。

SR操作,主要用在休眠状态下的数据保存。在发出AR命令时,将CKE置于无效,进入SR模式。

不再依靠外部时钟工作,使用内部时钟。

在SR期间,重新使能CKE,进入自动工作状态。

数据掩码操作:通过信号DQM,一位的DQM控制一个byte的DQ信号。

在读操作中,数据仍然会从存储体输出,在掩码逻辑单元处,被屏蔽。

DQM在发出命令之后的CL个时钟后有效,与读数据的位置相匹配。

在写操作中,DQM立即有效,与写入数据的位置相匹配。

tRAS:Active to Precharge Command,行有效至预充电命令间隔。以PC133为例,至少在5个时钟周期之后,最大时间视芯片而异。

背靠背式操作:读操作后马上进行写操作,由于没有延时,总线的利用率最高。但是需要在写操作前,进行CL个周期的DQM有效,

来屏蔽数据的输出,这样保证数据的有效写入。

写操作后马上进行读操作,读命令必须在tWR之后,才能发出,在经过CL个时钟,数据才能输出。

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