CVD-ALD前驱体材料

ALD前驱体源瓶特点是什么

 

ALD前驱体源瓶(起泡器)用于固态、液态及气态超纯物料类的封装,涉及微正压、常压、中低压的危险化学品,对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求。

ALD前驱体源瓶特点:

所有管件采用316L不锈钢,内部经400目机械抛光和电化学抛光,Ra≦0.25微米;

阀门有美国世伟洛克球阀和隔膜阀、日本富士金隔膜阀和韩国TK隔膜阀供选择;

密封垫片选用纯银镀镍垫片;

氦质谱检测泄漏率≦1.0*10-10mbar L/s;

可盛装化学品纯度≧99.9995;

总残余元素量≦50PPb;

坠落试验,通过国家商检部门检测;

介质,TMG\TEG\TMA\TMIN\DEE等;

可选择气动阀门或者实现在注入端子、输出端子以及接口之间的交叉清扫处理等;

可提供非标定做。

集成电路上游材料厂商大力布局国内市场

 

总投资10亿美元的日本Ferrotec大尺寸半导体硅片项目,打破了国内大尺寸半导体硅片完全依靠进口的局面;与此同时,国际著名集成电路上有气体材料供应商应特格(Entegris)新项目。国际集成电路上游材料厂商正在大力布局国内市场。

  在集成电路半导体领域,上游材料的垄断程度比下游高端集成电路产品的垄断度还要高,国内集成电路高端材料全部依赖进口。据悉,Ferrotec项目,成功填补了国内大硅片生产领域的空白,打破了美国、日本对同类型硅片生产核心技术的进口垄断,达产后将达到8英寸年产540万片、12英寸年产288万片硅片的生产能力。

  对于应特格来说,计划成为第一家在中国生产高纯度沉积产品TEOS (硅酸四乙酯)的跨国企业,该合作合作有利于Entegris在中国扩大产能,同时也缩短了中国市场的沉积材料供应链。这些高纯度沉积产品包括TEOS,这种材料对于半导体制造领域采用的3D NAND技术至关重要,该技术用于生产速度更快的先进储存设备与内存,对于支持中国半导体产业的全面发展也具有重要意义。

  高纯度集成电路气体产品,并且首期产品目前已经到达相关用户手中。

  针对国际半导体材料厂商近一段时间以来不断进入国内布厂,业内专家指出,一方面是由于国内市场的崛起,崛起的速度也让这些垄断性厂商不得不重视中国市场;另一方面,需要清醒的是,技术垄断在短期内仍然打不破,国内仍要发奋图强,力求自有技术的实现。

ALD工艺二元、三元单层薄膜前驱体

目前在ALD沉积工艺中,为了能得到二元或三元薄膜,往往通过将不同前驱体交替通入反应腔体,比如沉积Hf-Al-O薄膜,则通过交替通入TEMAH-H2O-TMA-H2O-TEMAH...,并形成叠层薄膜。科研人员通过不断摸索,配制出了不同系列的新型前驱体,可用于沉积二元或三元单层薄膜,而非二元叠层。二元或三元单层薄膜的获取,在催化应用领域,可通过提高或抑制效应,实现催化活性。在集成电路应用领域,可通过调节介电常数等,而实现预想的电学性能。

在原子层沉积(ALD)工艺中,选择合适的前驱体对工艺控制、薄膜性能等方面至关重要。同时根据前驱体特性,如性状、挥发性等,配以合适的源瓶则会对工艺有协同效应。除在前驱体研制方面充分发挥技术优势外,还在ALD源瓶的设计和加工方面积累的丰富经验。找ALD源瓶,优选“爱牟源科学”......

ALD前驱体工艺控制

 

前驱体材料是原子层沉积工艺的基础,目前用于原子层沉积的前驱体包括无机类和金属有机类二种,无机类在沉积速率、稳定性、膜质量等方面存在一些问题,应用会逐渐减少。金属有机类特别是液态金属有机物是开发的重点。前驱体生产过程的控制,对产品的质量稳定性提供了保证,产品研制过程控制如下(分别是制备、纯化、分析):

 

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