课堂测试(CH6)

1. 下面代码中,对数组x填充后,采用直接映射高速缓存,所有对x和y引用的命中率为(D)

A .
1
B .
1/4
C .
1/2
D .
3/4

解析:在x[0],y[0]时发生强制不命中,在x[4],y[4]时发生冲突不命中。1-4/16=3/4
2. 有关高速缓存的说法正确的是(ACD)

A .
高速缓存的容量可以用C=SEB 来计算

B .
高速缓存容量为2048,高速缓存结构为( 32 ,8,8,32)

C .
直接映射高速缓存要:组选择、行匹配、字抽取

D .
当程序访问大小为2的幂的数组时,直接映射高带缓存中常发生冲突不命中

解析:高速缓存结构可以用元组(S,E,B,m)来描述。C=SEB;但是不知道B哪里错了。查看别人的博客里面写的是因为((32),8,8,32);
3. 下面说法正确的是(ABC)

A .
存储层次结构中最小的缓存是寄存器
B .
存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象
C .
L4主存可以看作是L5:本地磁盘的缓存
D .
L4主存可以看作是L6的缓存

解析:对于每个k,位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大更慢的存储设备的缓存,即层次结构中的每一层都缓存来自较低一层的数据结构。位于顶端的cpu寄存器组必然是最小的缓存,则L4主存为下一级L5的缓存。
4. 有关缓存的说法,正确的是(AC)

A .
LRU策略指的是替换策略的缓存会选择最后被访问时间距现在最远的块

B .
不同层之间以字节为传送单元来回复制

C .
缓存不命时,决定哪个块是牺牲块由替换策略来控制

D .
空缓存的不命中叫冲突不命中

解析:不同层的数据以块大小为传送单位;空缓存的不命中称为强制不命中和冷不命中。
5. 程序中(C)语句具有良好的局部性

:
A .
顺序

B .
分支

C .
循环

D .
以上都是

6.有关局部性原理,说法正确的是()

:
A .
程序访问一个向量,步长越小或短,空间局部性越好

B .
局部性有两种形式:空间局部性,时间局部性

C .
程序访问一个向量,步长越大空间局部性越好。

D .
硬件、OS,应用程序都会用到局部性原理

解析:程序访问一个向量,步长越小空间局部性越好。
7.下面说法正确的是(ABCD)

:
A .
CPU通过内存映射I/O向I/O设备发命令

B .
DMA传送不需要CPU的干涉

C .
SSD是一种基于闪存或Flash的存储技术

D .
逻辑磁盘块的逻辑块号可以翻译成一个(盘面,磁道,扇区 )三元组。

8.有关磁盘操作,说法正确的是(ACD)

:
A .
对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中,传送时间最小。

B .
磁盘以字节为单位读写数据

C .
磁盘以扇区为单位读写数据

D .读写头总处于同一柱面

解析:磁盘以扇区为单位读写数据
9.下面代码的步长是(C)

A .

1
B .

N
C .

N*N
D .

NNN

解析:假设N为2,则内容依次为000,001,010,011,100,101,110,111.由此可见步长为4.
10.下面(B)是I/O总线

A .
USB

B .
PCI

C .
网卡

D .
图形卡

解析:输入输出设备都是通过I/O总线,例如intel的外围设备互联(Peripheral Component Interconnect,PCI)总线连接到CPU和主存的。
11. 计算下面磁盘的容量(C):4个盘片,100000个柱面,每条磁道400个扇区,每个扇区512个字节

A .
81.92GB
B .
40.96GB
C .
163.84
D .
327.68GB

解析: n×t×s×b;其中n为保存数据的总盘面数;t为每面磁道数;s为每道的扇区数;b为每个扇区存储的字节数。而题目中为4个盘片,所以应有8个盘面;容量=2x4x100000x400x512=16384000000字节=163.84G
12.有关RAM的说法,正确的是(ADEG )

A .
SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。

B .
DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中

C .
一般来说,SRAM比DRAM快

D .
SRAM常用来作高速缓存

E .
DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电

F .
SRAM需要不断刷新

G .
DRAM被组织为二维数组而不是线性数组

### 解析:在p400页课本上,“SRAM的存取比DRAM快”,不知道选项C哪里错了。

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