20155321 《信息安全系统设计》课堂测试（ch06）

20155321 《信息安全系统设计》课堂测试（ch06）

1. (单选题|1分)下面代码中，对数组x填充后，采用直接映射高速缓存，所有对x和y引用的命中率为（）
   
   
   
   A .1 B .1/4 C .1/2 D. 3/4

• 解析：P431，填充消除了冲突不命中，因此，四分之三的引用是命中的
• 正确答案：D

1. (多选题|1分)有关高速缓存的说法正确的是（）

   A .高速缓存的容量可以用C=SEB来计算

   B .高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（32，8，8，32）

   C .直接映射高速缓存要：组选择、行匹配、字抽取

   D .当程序访问大小为2的幂的数组时，直接映射高带缓存中常发生冲突不命中

• 解析：对于B选项，高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（（ 32 ），8，8，32）
• 正确答案：ACD

1. The following table gives the parameters for a number of different caches. For
   
   each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),and block offset bits (b)
   
   

   A .第三行S为1 B .第一行t为24

   C .第二行b为5 D .第三行s的值为0

• 解析：
  
  

• 正确答案：ACD（？）

1. (多选题|1分)有关缓存的说法，正确的是（）

A .LRU策略指的是替换策略的缓存会选择最后被访问时间距现在最远的块

B .不同层之间以字节为传送单元来回复制

C .缓存不命时，决定哪个块是牺牲块由替换策略来控制

D .空缓存的不命中叫冲突不命中

• 解析：P422-P423。对于B选项，不同层之间不是以字节为传送单元来回复制，而是以块为大小传输单元在层与层之间复制。对于D选项，空缓存的不命中叫强制性不命中或冷不命中
• 正确答案:AC

1. (多选题|1分)下面说法正确的是（）
   
   
   
   A.存储层次结构中最小的缓存是寄存器

   B.存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象

   C.L4主存可以看作是L5：本地磁盘的缓存

   D.L4主存可以看作是L6的缓存

• 解析：P421。对于D选项，因为在存储层次结构中，每一层都缓存来自较低一层的数据，因此L4主存可以看作是L5的缓存，而不是L6，L5可以看作是L6的缓存。
• 正确答案:ABC

1. (单选题|1分)下面代码的步长是（）
   
   
   
   A.1 B.N C. NN D. NN*N

• 解析：P418。因为sum += a[k][i][j]并不是按顺序选取元素，k被放在了第一个位置，因此会增加步长至N*N
• 正确答案:C

1. 下面代码中（）局部性最差

A.

1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

B.

1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 }

C .

1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

D.不确定

• 解析：P418。函数clear1以步长为1访问数组，clear2虽然是依次扫描N个数据，但是步长不是以1的模式，因此clear2的局部性比clear1要差，对于clear3，clear3不仅在结构中跳来跳去，而且还从结构跳到结构，因此空间局部性中它是最差的。
• 正确答案:C

1. (单选题|1分)程序中（）语句具有良好的局部性

   A.顺序 B.分支 C.循环 D.以上都是

• 解析：P419。for循环体里的指令是按照连续的内存顺序执行的，因此循环具有良好的空间局部性。因为循环体会被执行很多次，所以它也有很好的时间局部性。
• 正确答案:C

1. (单选题|1分)下面代码，（）具有差的空间局部性。
   
   A.

1 int sumvec(int v[N])
2 {
3 int i, sum = 0;
4
5 for (i = 0; i < N; i++)
6 sum += v[i];
7 return sum;
8 }

B.

1 int sumarrayrows(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (i = 0; i < M; i++)
6 for (j = 0; j < N; j++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 }

C.

1 int sumarraycols(int a[M][N])
2 {
3 int i, j, sum = 0;
4 5
for (j = 0; j < N; j++)
6 for (i = 0; i < M; i++)
7 sum += a[i][j];
8 return sum;
9 }

D. 以上都不对

• 解析：P418。对于函数sumarraycols()，因为它是按照列的顺序来扫描数组，而不是按照行的顺序，因此它是使用步长为N的引用模式来扫描
• 正确答案：C

1. (多选题|1分)有关局部性原理，说法正确的是（）

   A.程序访问一个向量，步长越小或短，空间局部性越好

   B.局部性有两种形式：空间局部性，时间局部性

   C.程序访问一个向量，步长越大空间局部性越好。

   D.硬件、OS，应用程序都会用到局部性原理

• 解析：P418。对于C选项，程序访问一个向量，步长越小空间局部性越好。
• 正确答案：ABD

1. (多选题|1分)下面说法正确的是（）

A.CPU通过内存映射I/O向I/O设备发命令

B.DMA传送不需要CPU的干涉

C.SSD是一种基于闪存或Flash的存储技术

D.逻辑磁盘块的逻辑块号可以翻译成一个（盘面，磁道，扇区 ）三元组。

• 解析：P411、P413
• 正确答案：ABCD

1. (单选题|1分)下面（）是I/O总线

   A.USB B.PCI C.网卡 D.图形卡

• 解析：P411
• 正确答案：B

1. (多选题|1分)有关磁盘操作，说法正确的是（）

   A.对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中，传送时间最小。

   B.磁盘以字节为单位读写数据

   C.磁盘以扇区为单位读写数据

   D.读写头总处于同一柱面

• 解析：P409。对于B、C选项，磁盘以扇区大小的块来读写数据。但对于D选项，书本P409磁盘操作的第一段最后一句写道：在任何时刻，所有的读/写头都位于同一个柱面上。所以D选项为什么不对呢？
• 正确答案：AC（？）

1. (单选题|1分)计算下面磁盘的容量（）：4个盘片，100000个柱面，每条磁道400个扇区，每个扇区512个字节

   A.81.92GB B.40.96GB

   C.163.84 D.327.68GB

• 解析：P408。因为磁盘容量=柱面数 * 磁盘面数 * 扇区数 * 字节数=4x2x100000x400x512=163.84GB
• 正确答案：C

1. (多选题|1分)有关磁盘，说法正确的是（）
   
   A.磁盘的读取时间为毫秒级

   B.每张磁盘有一个表面

   C.表面由磁道组成

   D.每个扇区的面积不同，包含的数据位的数量也不一样

• 解析：P406。对于B选项，每张磁盘有多个表面。对于D选项，每个扇区所包含的数据位的数量是一样的。
• 正确答案:AC

1. (多选题|1分)根据携带信号不同，总线可分为（）

   A.系统总线 B.数据总线

   C.内存总线 D.地址总线

   E.控制总线

• 解析：P405。总线分为数据总线、地址总线、控制总线
• 正确答案:BDE

1. (多选题|1分)关于非易失性存储器，下面说法正确的是（）

   A.DRAM是非易失性存储器

   B.SRAM是非易失性存储器

   C.PROM只能编程一次

   D.EEPROM可以用紫外线进行擦除

   E.存在ROM中的程序通常被称为固件

• 解析：P404
• 正确答案:CE。对于A、B选项，DRAM、SRAM是易失的。对于D选项，EPROM可以用紫外线进行擦除，而不是EEPROM。
  
  B.SRAM是非易失性存储器

1. (单选题|1分)通过使用两个时钟沿作为控制信号，对DRAM进行增强的是（）

   A.FPM DAM B.SDRAM

   C.DDR SDRAM D.VRAM

   E.EDO DRAM

• 解析：P403。DDR SDRAM是对SDRAM的一种增强，它通过使用两个时钟沿作为控制信号，从而使DRAM的速度翻倍。
• 正确答案:C

1. (多选题|1分)有关RAM的说法，正确的是（）
   
   A.SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。

   B.DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中

   C.一般来说，SRAM比DRAM快

   D.SRAM常用来作高速缓存

   E.DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电

   F. RAM需要不断刷新

   G.DRAM被组织为二维数组而不是线性数组

• 解析：P400
• 正确答案:ADEG

1. (多选题|1分)有关计算机存储系统，下面说法正确的是（）

   A.程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较低层次处访问数据，这样节省时间

   B.存储层次涉用不同容量，成本，访问时间的存储设备

   C.存储层次设计基于局部性原理

   D.“存储山”是时间局部性和空间局部性的函数

• 解析：P399。对于A选项，程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较高层次处访问数据。层次越低，访问速度越慢。
• 正确答案:BCD