(1)流水灯   1>我们来看原理图                                2>datasheet                             3>leds.c             #define GPFCON  (*(volatile unsigned long *)0x56000050)  //address      #define GPFDAT  (*(volatile unsigned long *)0x56000054)      #d…

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令 选中芯片 CLE设置为高电平 在DATA0-DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲…

1, 要求:在4K 的代码以内,完成 NOR NAND 类型判断,初始化 NAND 复制自身到 SDRAM ,重定向. 2, 在 /arch/arm/cpu/arm920t/ 文件夹里 添加一个 inic.c 的文件,要在这个文件里面做上面说的事情. 修改 /arch/arm/cpu/arm920t/Makefile 加入 inic.c 的 编译. extra-y = start.o obj-y += init.o obj-y += cpu.o init.c 最后有补丁文件 3, 在 start…

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用…

http://blog.csdn.net/renpine/article/details/4572347 http://msdn.microsoft.com/en-US/library/ee482032(v=winembedded.60).aspx WinCE NAND flash - FAL From ESSLabWiki 1. Introduction Flash與一般常見的Disk不同,其特性是無法重複對同一塊記憶體位置去做Write的動作,必須要Erase那塊記憶體位置才可以做Write…

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na…

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + …

1.NAND FLASH 的特殊性. 1)存在坏块.由于NAND生产工艺的原因,出厂芯片中会随机出现坏块.坏块在出厂时已经被初始化,并在特殊区域中标记为不可用,在使用过程中如果出现坏块,也需要进行标记. 2) 易出现位反转.NAND FLASH更易出现位反转的现象,如果位反转出现在关键文件上,会导致系统挂机.所以在使用NAND FLASH的同时,建议使用ECC/EDC算法确保可靠性. 3) 存在Spare Area.正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方,Spare Area就扮演作…

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数…

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中…

NAND Flash 关于NAND FlashS5PV210的NAND Flash控制器有如下特点:1) 支持512byte,2k,4k,8k的页大小2) 通过各种软件模式来进行NAND Flash的读写擦除等3) 8bit的总线4) 支持SLC和MCL的NAND Flash5) 支持1/4/8/12/16bit的ECC6) 支持以字节/半字/字为单位访问数据/ECC寄存器,以字为单位访问其他寄存器.注意:在此使用的Mini210S的NAND Flash类型为SLC,大小为1G,型号为K9K8G…

Avinash Aravindan reference:https://www.embedded.com/design/prototyping-and-development/4460910/2/Flash-101--NAND-Flash-vs-NOR-Flash Embedded system designers must take into account many considerations when selecting a Flash memory: which type of Fla…

NAND FLASH是一个存储芯片那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据,把数据B写到地址A" 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线,     怎么传输地址?答1．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址     当ALE为高电平时传输的是地址, 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令     怎么传入命令?答2．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址,也传输命令     当ALE为高电平时…

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广…

linux的NAND Flash驱动位于drivers/mtd/nand子文件夹下: nand_base.c-->定义通用的nand flash基本操作函数,如读写page,可自己重写这些函数 nand_bbt.c-->与坏块管理有关的函数和结构体 nand_ids.c-->nand_flash_ids[](芯片ID)和nand_manuf_ids[](厂商ID) nand_ecc.c-->软件ECC代码,若系统支持硬件ECC.则不用理会这个文件 pl353_nand.c-->…

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级…

NAND FLASH是一个存储芯片 那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据,把数据B写到地址A" 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线,      怎么传输地址? 答1．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址      当ALE为高电平时传输的是地址, 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令      怎么传入命令? 答2．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址,也传输命令      当A…

u-boot分析(九) 上篇博文我们按照210的启动流程,分析到了初始化串口,由于接下来的取消存储保护不是很重要,所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析. 今天我们会用到的文档: 1.        2440芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949 2.        6410芯片手册:http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965 3.      …

1.       硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).关于什么是非易失性/易失性,从名字中就可以看出,非易失性就是不容易丢失,数据存储在这类设备中,即使断电了,也不会丢失,这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的入硬盘,ROM等,与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内…

[Nand Flash引脚(Pin)的说明] 图3.Nand Flash引脚功能说明 上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能,简单翻译如下: 1.       I/O0 ~ I/O7:用于输入地址/数据/命令,输出数据 2.       CLE:Command Latch Enable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能 3.       ALE:Address Latch Enable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,…

驱动可以参考At91_nand.c,这个比S3c2410.c (drivers\mtd\nand)简单多了 NAND FLASH是一个存储芯片那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据,把数据B写到地址A" 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线, 怎么传输地址?答1．在DATA0-DATA7上既传输数据,又传输地址 当ALE为高电平时传输的是地址, 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令 怎么传入命令?答2．在D…

硬件原理及分析 管脚说明         Pin Name Pin Function R/B(RnB) The R/B output indicates the status of the device operation. When low, it indicates that a program, erase or random read operation is in process and returns to high state upon completion. It is an o…

NAND FLASH是现在非常重要的存储介质,根据出厂时厂家检测结果可分为原片(正片).白片和黑片. 所谓原片就是NAND FLASH生产厂商挑选出来的最好的晶圆,切割下来经过了各项测试之后封装成成品,此时成品再做测试,通过测试的就是原片,没通过测试的就是白片,切割原片时剩下的就是黑片,可能存在各种各样的问题. 从性能上总结起来就是原片>白片>黑片.原片几乎不存在任何问题,白片可能存在部分问题,黑片大概率存在问题(比如容量大小,读写速度等).然后原片就厂商自家生产出售,白片卖给下游厂商,黑片当…

NAND FLASH  优势 : 可以用当硬盘   这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看…

http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html#L_subpage NAND flash sub-pages As it is said here, all UBI I/O should be done in fractions of min. I/O unit size, which is equivalent to NAND page size in case of NAND flash. However, some SLC NAND flas…

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更…

2015.3.27星期五 晴 链接脚本定义代码的排放顺序 硬件系统初始化:一:arm核初始化:(里面有指令)初始化ARM核的时候需要看arm核的手册指令:1.异常向量(最起码有个复位异常,初始化模式-svc) ldr r0, =_start mcr p15, 0, r0, c12, c0, 0 2.处理器模式-SVC3.关闭中断 mrs r0, cpsr bic r0, r0, #0x1f orr r0, r0, #0xd3 @1101 0011 //关闭irq,fiq和设置SVC msr cp…

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.…

1, /include/configs/smdk2440.h 中添加 #define CONFIG_CMD_NAND 编译 drivers/mtd/nand/built-in.o: In function `nand_init_chip': /u-boot-2016.03/drivers/mtd/nand/nand.c:76: undefined reference to `board_nand_init' 发现是少了文件 /drivers/mtd/nand/s3c2410_nand.c 复制为…

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果…