Description 首先知道A nand B=not(A and B) (运算操作限制了数位位数为K)比如2 nand 3,K=3,则2 nand 3=not (2 and 3)=not 2=5. 给出一棵树,树上每个点都有点权,定义树上从a到b的费用为0与路径上的点的权值顺次nand的结果,例如:从2号点到5号点顺次经过2->3->5,权值分别为5.7.2,K=3,那么最终结果为0 nand 5 nand 7 nand 2=7 nand 7 nand 2=0 nand 2=7,现在这棵树…

[BZOJ2908]又是nand escription 首先知道A nand B=not(A and B) (运算操作限制了数位位数为K)比如2 nand 3,K=3,则2 nand 3=not (2 and 3)=not 2=5. 给出一棵树,树上每个点都有点权,定义树上从a到b的费用为0与路径上的点的权值顺次nand的结果,例如:从2号点到5号点顺次经过2->3->5,权值分别为5.7.2,K=3,那么最终结果为0 nand 5 nand 7 nand 2=7 nand 7 nand 2=…

[BZOJ4811][Ynoi2017]由乃的OJ Description 由乃正在做她的OJ.现在她在处理OJ上的用户排名问题.OJ上注册了n个用户,编号为1-",一开始他们按照编号排名.由乃会按照心情对这些用户做以下四种操作,修改用户的排名和编号:然而由乃心情非常不好,因为Deus天天问她题...因为Deus天天问由乃OI题,所以由乃去学习了一下OI,由于由乃智商挺高,所以OI学的特别熟练她在RBOI2016中以第一名的成绩进入省队,参加了NOI2016获得了金牌保送 Deus:这个题怎么做…

Search GO 说明:输入题号直接进入相应题目,如需搜索含数字的题目,请在关键词前加单引号 Problem ID Title Source AC Submit Y 1000 A+B Problem 10983 18765 Y 1036 [ZJOI2008]树的统计Count 5293 13132 Y 1588 [HNOI2002]营业额统计 5056 13607 1001 [BeiJing2006]狼抓兔子 4526 18386 Y 2002 [Hnoi2010]Bounce 弹飞绵羊 43…

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个…

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand flas…

目录 MTD下的Nand驱动 引入 平台设备资源文件 关键数据结构 平台框架 s3c24xx_nand_probe nand_scan s3c2410_nand_add_partition add_mtd_partitions 字符设备add 块设备add 队列 程序设计 参考 平台设备文件 必备的构造结构 步骤简述 测试 内核配置去除NAND 使用nfs文件系统启动 加载驱动 分区表打印 mtd-utils 复制文件系统回来 完整程序 title: MTD下的Nand驱动 tags: linu…

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html 这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand fla…

http://bbs.21ic.com/icview-586200-1-1.html 百为STM32开发板教程之十二——NAND FLASH 参考资料:百为stm32开发板光盘V3\百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\K9F1208.pdf百为stm32开发板光盘\st官方参考资料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf…

Repost: https://news.mydrivers.com/1/477/477251.htm 上个月底武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地正式动工,在大基金的支持下该项目将投资240亿美元建设国内最大.最先进的存储器芯片基地.如此巨额的投资使得该项目争议不小,不过更应该注意的是国内公司这次进军存储芯片的起点不低,新建的12寸晶圆厂投产后直接生产3D NAND闪存,这可是当前闪存市场的大热门,来势凶猛.那么3D NAND闪存市场现在到底是个什么样呢? 3D NAND闪存是个啥?让国内如…