NAND FLASH的结构如图所示: Denali NAND FLASH控制器模块提供了从AHB总线到外部NAND FLASH存储器芯片IO管脚的访问功能.主要技术特性包括: 1.标准32位AHB总线接口: 2.提供AHB交易缓存异步FIFO,实现速度匹配和数据通路调整,与AHB总线.与NAND FLASH存储器之间的数据通路均可配置(最大64bit): 3.提供数据缓存以提高访问性能: 4.支持内建的BOOT启动访问: 5. 提供4路bank片选信号,每路bank片选信号支持4片外部存储器件(…

8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用 NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似 NAND Flash在掉电后仍可保存 8.1.1 Flash介绍 有NOR Flash和NAND Flash两种 NOR Flash与SDRAM的接口完全相同,可以随机访问任意地址的数据 NOR Flash的块大小是64kb~128kb,NAND的块大小是8kb~64kb NAND Flash一般以512字节为单位进行读写 Flash存储期间的可靠性主要考虑3点:位翻转.…

初始化 NAND FLASH: 1)寄存器 NFCONT,用于开启 NAND FLASH控制器: 2)向寄存器NFCMD写入命令: 3)向寄存器NFADDR写入地址: 4)使用寄存器NFDATA进行数据的读写,在此期间需要不断的检测寄存器NFSTAT来获知 NAND FLASH的状态(忙/闲): 写 NAND FLASH: 1)发送页写入命令0x80: 2)发送页地址: 3)发送要写入的数据: 4)发送写入确定命令0x10: 5)检测忙信号: 读 NAND FLASH: 1)发送页读取命令0x0…

一.nand flash访问原理 地址空间概念 nand的编址 nand命令  命令,地址,数据 使用S3C2440的nand flash控制器访问nand flash 前几个编译出来的文件都小于4k,读出来放到SDRAM中去 SDRAM.dm9000地址-->2440地址 nand 没有地址总线 片内内存:SDRAM:网卡:寄存器  都是CPU统一编址 写地址,读数据   连续读一页                           只进行了读操作,擦除,oob访问都没有 二.源码分析 RA…

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl…

一.NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小:NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大.一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据. 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,…

ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法,分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种,在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路(ECC 生成器)实现的硬件 ECC. ECC 生成器工作过程 当写入数据到 Nand flash 存储空间时, ECC 生成器会在写入数据完毕后自动生成 ECC 码,将其放入到 ECC0-ECC2.当读出数据时 Nand Flash 同样会在读数据完毕后,自动生成 ECC 码将其放到 ECC0-ECC2 当…

对 Nand Flash 存储芯片进行操作, 必须通过 Nand Flash 控制器的专用寄存器才能完成.所以,不能对 Nand Flash 进行总线操作.而 Nand Flash 的写操作也必须块方式进行.对 Nand Flash 的读操作可以按字节读取.   Nand Flash 控制器特性 1. 支持对 Nand Flash 芯片的读.检验.编程控制 2. 如果支持从 Nand Flash 启动, 在每次重启后自动将前 Nand Flash 的前 4KB 数据搬运到 ARM 的内部 RAM…

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果…

出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28852942-id-3992727.html这篇文章不是介绍 nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的.你需要至少了解 你手上的 nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象,你至少也需要看过 s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明. 由于本人也没有专门学过这方面的知识,下面的介绍也是经验之谈. 这里 我用的 K9F2G08-SCB0 这款nand flas…