NAND的一些相关概念

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NAND的一些相关概念

chipsize:整个NAND FLASH 的大小,单位为MB pagesize:一页的大小,单位为字节Byte erasesize:最小擦除大小,单位为字节Byte NAND写操作基本单位是页,所以,writesize对应的是pagesize,页大小. 而擦除操作的基本单位是blocksize,块大小,所以也叫它erasesize.…

上一篇:<IDDD 实现领域驱动设计-理解限界上下文> 距离上一篇有几天时间了,<实现领域驱动设计>第三章的内容都是围绕一个词-上下文映射图,我大概断断续续看了几天,总共看了两遍,但模模糊糊也不是很理解,不像前两章有一个可以触动我的地方,但有很多概念是蛮重要的,这篇没有自己的理解,大部分都是整理上下文映射图及其相关概念. 可以看作是示例上下文,大家在画上下文映射图的时候可以参照一下,后面的大部分概念,也都围绕它展开. 上下文映射图(Context Map):可以进行拆分理解,上下文…

BZOJ2908: 又是nand

Description 首先知道A nand B=not(A and B) (运算操作限制了数位位数为K)比如2 nand 3,K=3,则2 nand 3=not (2 and 3)=not 2=5. 给出一棵树,树上每个点都有点权,定义树上从a到b的费用为0与路径上的点的权值顺次nand的结果,例如:从2号点到5号点顺次经过2->3->5,权值分别为5.7.2,K=3,那么最终结果为0 nand 5 nand 7 nand 2=7 nand 7 nand 2=0 nand 2=7,现在这棵树…

嵌入式Linux驱动学习之路(二十三)NAND FLASH驱动程序

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令选中芯片 CLE设置为高电平在DATA0-DATA7上输出命令值发出一个写脉冲…

[原创]java WEB学习笔记105：Spring学习---AOP介绍，相关概念，使用AOP，利用方法签名编写 AspectJ 切入点表达式

本博客的目的:①总结自己的学习过程,相当于学习笔记 ②将自己的经验分享给大家,相互学习,互相交流,不可商用内容难免出现问题,欢迎指正,交流,探讨,可以留言,也可以通过以下方式联系. 本人互联网技术爱好者,互联网技术发烧友微博:伊直都在0221 QQ:951226918 -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------…

(一)Nand FLASH 原理讲解

NAND FLASH 优势 : 可以用当硬盘这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看…

NAND flash sub-pages

http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html#L_subpage NAND flash sub-pages As it is said here, all UBI I/O should be done in fractions of min. I/O unit size, which is equivalent to NAND page size in case of NAND flash. However, some SLC NAND flas…