转:http://m.blog.csdn.net/blog/woshixiongge/9017149 Nand Flash是flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案.Nand Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机.MP3随身听 记忆卡.体积小巧的U盘等.NAND型闪存以块为单位进行擦除操作.闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据…

一.NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用 NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘 常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小:NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大.一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据. 1)NAND Flash的物理结构 笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,…

[详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动  :http://www.cnblogs.com/linux-rookie/articles/3016990.html 当读写文件请求到来的时候,流程如下 1.通过vfs进入文件系统, 2.文件系统把文件读写转换为块设备读写,其中有运用算法对读写操作进行合并,排序等,最后把块设备读写放进队列 3.循环从队列中取出读写要求,然后用处理函数(blk_init_queue设置)进行处理. 这个函数就是连接上层(IO调度)跟底层(硬件操作)的桥梁,当…

NAND FLASH是一个存储芯片. 在芯片上的DATA0-DATA7上既能传输数据也能传输地址. 当ALE为高电平时传输的是地址. 当CLE为高电平时传输的是命令. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据. 将数据发给nand Flash后,在发送第二次数据之前还要判断芯片是否处于空闲状态.一般是通过引脚RnB来判断,一般是高电平代表就绪,低电平代表正忙. 操作Nand Flash的一般步骤是: 1. 发命令 选中芯片 CLE设置为高电平 在DATA0-DATA7上输出命令值 发出一个写脉冲…

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP. 在嵌入式世界里,当我们提起XiP设备(支持代码原地执行的存储器),首先想到的应该是NOR Flash.比如中低端MCU内部通常会集成小容量并行NOR Flash(一般2MB以内),用于存放应用程序:而高性能MCU,往往内部不会集成Flash,需要在板级设计时外挂一片稍大容量的NOR Flash(大部分是串行NOR,一般8MB以上). 恩智浦i.MX…

关于NAND FLASH的结构是以页为单位写,以块为单位来擦除: 1Gb     为大页   page=2048Kb    BLOCK=128K 512Mb 为小页   page=512byte    BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块,通常不计入读取范围. 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个字节生产一个24位的值.NAND FLASH在写的时候会生成一个原始的ECC值保存在页的SPARE区,当要读页时也会生产一个ECC值,会跟SPARE的值进行异或比较,看结果…

本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处. 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B),我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K),多走了两天弯路.以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动.本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明:1.Nor读取速度比NAND稍快 2.Na…

2010-10-08 22:26:00 A,nor flash与nand flash的一些区别 1)接口区别: NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据. 通俗的说,就是光给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据.而且都是在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. 2)性能区别 NOR的传输效率很高,在1-4MB的小容量…

一.s3c2440启动后会将nand flash的前4K程序复制到内部的sram中,这个过程是硬件自动完成的,但是如果我们的程序远远大于4K,这个时候就需要将程序从flash拷贝到内存中来运行了. 二.nand flash 接线图可以看出,nand flash没有地址总线,是八根数据线,SDRAM和网卡有地址总接到s3c2440的地址总线了,而nand flash没有地址线,所以他们的寻址方式不一样,SDRAM和网卡的地址是CPU可以看得见的,也就是CPU统一编址,而nand flash呢?也有…

Nand Falsh外围电路:peripheral circuit 1.Nand flash里至少有2个state Machine(controller),即2个主控. 一个主控:负责处理前端事情. 一个主控:负责后端任务处理. 2.DDC:Dynamic Data cache(包括SDC,PDC,TDC,DDC1,DDC2),有的解析为Page buffer,或者sense Amps. 镁光的NAND flash:L94C:单die 8G,L95B:单die 16G 大致的物理结构图: 所以体…