老是被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞混,所以在这里总结一下,也为了更好的分清他们之间的关系,以至于别人问的时候不至于说不清. 我们不谈这些名次的由来,只说明他们是做什么的,能用来干什么,在哪里我们用到过三部分说明 1.Nandflash 是flash非易失性闪存,即一种快速存储的芯片. 是用来存储数据的,类似于SD卡 是用于我们手机内存等,但手机内存一般是flash和DDR合起来的芯片 2.Norflash 是flash非易失性闪存,即一种快速存储的…

本文转载自:http://blog.sina.com.cn/s/blog_6dd8f2b70101le26.html 最近被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞的有点头大,所以在这里总结一下,也为了更好的分清他们之间的关系,以至于别人问的时候不至于说不清. 我们不谈这些名次的由来,只说明他们是做什么的,能用来干什么,在哪里我们用到过三部分说明 1.Nandflash 是flash非易失性闪存,即一种快速存储的芯片. 是用来存储数据的,类似于SD卡 是用于我…

快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度.闪存的写入速度往往明显慢于读取速度. NorFlas…

本文转载自:http://www.veryarm.com/1200.html 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 与硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当它被制成储存卡时非常可靠,即使浸在水中也…

今天在公司我们队长问我个问题,关于cortex的sd启动流程和nandflash的启动流程,一下想不起来了,中午闲来无事就整理了整理当初6410的两种启动方式的区别.在这里写一下.有不对的请指点,我对Rom,Ram,Sram这些实在学不通. 1,sd卡启动6410 首先,sd卡启动0地址在Rom里面,上电后,程序从0地址开始执行,将sd卡的前8Kbootloader拷贝到Sram里面执行,这8Kbootloader会对进行一些设备的初始化,关闭看门狗,初始化nandflash,初始化时钟,初始化…

韦东山的视频里面说S3C2440有4KB的内存,这个其实是不正确的,这4KB的RAM严格说不应该叫内存,严格来说芯片外面的64MB的SDRAM才能叫做内存,里面的那4KB只是当nandflash启动的时候用来加载bootloader的. 关于SRAM.DRAM.SDRAM SRAM:静态随机存储器,不需要刷新电路,这使得静态RAM比动态的RAM要快的多,但是,由于他所含的器件较多,集成度较低,不适合做大容量的内存,一般用在处理器的缓存里面,SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时能够保证数据完整…

一.SDRAM(HY57V561620F)连线分析 1.  S3C2440 有27根地址线ADDR[26:0],8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7,当访问bankx 的地址空间,ngcsx引脚为低电平,选中外设. 2^27=128MByte, 8*128Mbyte = 1Gbyte,所以S3C2440 总的寻址空间是1Gbyte.但市面上很少有32位宽度的单片SDRAM,一般选择2片16位SDRAM 扩展得到32位SDRAM. 2.这里选择的SDARM是HY57V56…

RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何 时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此, 有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类.DRAM由于具有较 低的单位容量价格,所以…

本文转载自:https://blog.csdn.net/shenjin_s/article/details/79761425 UFS PK EMMC UFS作为目前安卓智能手机最先进的非易失存储器(NVM)已经广泛应用在很多手机OEM的旗舰机型上,并会逐渐取代eMMC的地位.它不仅给智能手机带来更高的读写速度更可靠的稳定性,同时M-PHY, UniPro和对SCSI命令集的支持,也大大简化了设计的复杂度,从而缩短了手机上市的时间. UFS不仅具有SSD同级别的读写速度.异步IO接口和可靠的SCS…

以下只是个人看法,有不妥之处,请批评指出. 参考资料:http://www.veryarm.com/1200.html 一.eMMC的发展 ROM→NorFlash→NandFlash→eMMC→UFS 二.eMMC内部结构 输入电压:Vcc.VccQ: 输出电压:VDDi,并联个电容即可. 以下是参考某eMMC的电路设计,具体还是要参考手册或者开发板…