nor flash之擦除和写入】的更多相关文章

最近研究了下nor flash的掉电问题,对nor的掉电有了更多的认识.总结分享如下 擦除从0变1,写入从1变0 nor flash的物理特性是,写入之前需要先进行擦除.擦除后数据为全0xFF,此时写入操作,实际上是将数据从1改成0. 一般先擦后写,但实际上擦除后每个位置是可以写入多次的,只要每次写入都是让某些bit从1变0即可. 例如在擦除后数据为0xFF,此时写入0x0F,可读出0x0F,再写入0x01,可读出0x01,再写入0x00,可读出0x00. 而对于0x00,就无法再改写成任何值了…
开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH…
编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI…
第50章     读写内部FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 50.1 STM32的内部FLASH简介 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储…
S03_CH11_基于TCP的QSPI Flash bin文件网络烧写 11.1概述 针对ZYNQ中使用QSPI BOOT的应用,将BOOT.bin文件烧写至QSPI Flash基本都是通过USB Cable连接PC,由JTAG口连接板卡后,在SDK软件中使用"Program Flash"功能进行现场在线烧写.然而,这种常规方法存在两个缺点. 速度慢.Flash的擦除(Erase).写入(Program).校验(Verify)3个过程所费的时间总和通常都需要若干分钟. 无法脱离JTAG…
背景 容量低于 16M bytes 的 nor,一般使用 3 字节地址模式,即命令格式是 cmd + addr[2] + addr[1] + addr[0] + ... 使用超过 16M bytes 的 nor flash,则需要了解 4 字节地址模式, 即命令格式是 cmd + addr[3] + addr[2] + addr[1] + addr[0] + ... 原因 为什么呢, 因为用 3 个字节表示地址,则其范围是 0x000000 - 0xffffff = 0 - 16M,超过 16M…
GitHub地址 :https://github.com/WallBreakerX/mcu_firmware_writing_via_androidphone ​ 用途 可在安卓手机上实现向单片机的hex固件烧写. 注意事项 当前暂只支持 NXP的LPC8xx系芯片,故以下引脚连接方式暂只适用于此系芯片. 后续会添加STM32及其他Cortex-M系芯片的支持. 选择Flash时需与实际Flash大小对应(默认为16KB),否则有可能造成Flash的擦除和写入失败. 连接RTS与DTS引脚是为了…
  一.什么是IAP,为什么要IAP       IAP即为In Application Programming(在应用中编程),一般情况下,以STM32F10x系列芯片为主控制器的设备在出厂时就已经使用J-Link仿真器将应用代码烧录了,如果在设备使用过程中需要进行应用代码的更换.升级等操作的话,则可能需要将设备返回原厂并拆解出来再使用J-Link重新烧录代码,这就增加了很多不必要的麻烦.站在用户的角度来说,就是能让用户自己来更换设备里边的代码程序而厂家这边只需要提供给用户一个代码文件即可.…
一设计功能 对SPI_flash进行扇区擦除,分为写指令和扇区擦除两个时序部分. 二设计知识点 我简单理解flash,第一它是掉电不丢失数据的存储器,第二它每次写入新数据前首先得擦除数据,分为扇区擦除和全擦擦. 下面讲讲我自己亲自动手设计的原创代码过程: 自己设计过程: 第一步:就先看了SPI FLASH文档,了解SPI FLAHS的原理:先有写使能信号及其时序波形,然后是扇区擦除指令和地址及时序波形,再是延时3秒回到初始状态. 第二步:自己画出所有的状态及其转移图,还是就是用线性序列机表达写使…
大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是i.MXRT下改造FlexSPI driver以AHB方式去写入NOR Flash. 痞子衡前段时间写过一篇 <串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP>,文章里介绍了 NAND Flash 的 Page Read 等待特性(发完 Read 命令后需要回读 Flash 内部状态寄存器 Busy 位来判断 Page 数据是否已准备好)导致其无法像 NOR Flash 那样通过 AHB 方式被…