flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M…

Flash有掉电数据保存的特点,RAM掉电则数据丢失,但是RAM的速度更高,擦写次数理论上没有限制,而Flash则不行. Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊 处理才可以使用.其主要用于数据存储,大部分U盘都是Nand Flash. Nor Flash读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址是线性结构,多用于程序代码的 存储. SPI Flash同Nand Fl…

NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.…

基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读.写和擦除.   读:     当我们读取一个存储单元中的数据时(如图2.4),是使用一个门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的gate端则被偏置于Vpass.r(通常为4-5v),这样他们就能够不管阀值电压是多少而能够通过晶体管.事实上,一个被擦除过的Flash存储单元有一个低于0V的Vth值,而一个被写过的存储单元的Vth则一般会有一个正值,并且这个…

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L…

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可…

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术. Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面. 东芝于1989年开发出NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级. 大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些,而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案. NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),用户可以直接…

处理器运行时要做大量的数据计算和交换,要求内存读写速度很快. NOR Flash读取快,写入慢,总线结构,能运行代码,价格贵. NAND Flash读取慢,写入快,非总线结构,不能运行代码,价格便宜. SDRAM读取和写入都很快,掉电不能保存数据,价格贵. 1.SDRAM+NAND Flash 是因为SDRAM快,NAND Flash便宜,现在最好的搭配. 2.NOR Flash + NAND Flash NOR Flash写入慢,NAND Flash便宜. 3.SDRAM + NOR Flas…

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广…