SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM…

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

ROM是Read Only Memory的缩写.RAM是Random Access Memory的缩写.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比S…

处理器运行时要做大量的数据计算和交换,要求内存读写速度很快. NOR Flash读取快,写入慢,总线结构,能运行代码,价格贵. NAND Flash读取慢,写入快,非总线结构,不能运行代码,价格便宜. SDRAM读取和写入都很快,掉电不能保存数据,价格贵. 1.SDRAM+NAND Flash 是因为SDRAM快,NAND Flash便宜,现在最好的搭配. 2.NOR Flash + NAND Flash NOR Flash写入慢,NAND Flash便宜. 3.SDRAM + NOR Flas…

在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只读存储器)中.ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用 户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改.如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份.ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般 只用在大批量应用的场合. 由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM).最初从工厂中制作完…

RAM(Random Access Memory) 随机存储器.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM). ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常…

一.NAND FLASH的特点 S3C6410的NAND FLASH控制器有如下特点 1.自导入模式:复位后,引导代码被送入到8KB的STEPPINGSTONE中,引导代码移动完毕,引导代码将在STEPPINGSTONE中执行.导入期间,NAND FLASH控制器不支持ECC矫正. 2.NAND FLSH 控制器I/F:支持512字节和2KB页 3.软件模式:用户可以直接访问nand flash 控制器,该特性可以用于读/檫/编程nand flash 存储器. 1)写命令寄存器=NAND FLA…

4.1 nand flash启动u-boot nand flash 启动的时候,CPU 需要将 nand flash 中前面 4KB 的内容复制到 SRAM 中执行,然后将 NAND Flash 中的所有内容拷贝到 SDRAM中. 前4 KB 的拷贝 是硬件自动执行的. 4.1.1 地址空间 原理图如下: nand flash 只有数据总线,并没有像 SDRAM 一样有地址总线.这样就有两种寻址方式就不同. SDRAM 或 网卡.片内4K内存 都是地址总线接到 2440 上,他们的地址都是 CP…