FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停…

转载了,对于我理解两种Flash起到了帮助,希望博主继续再接再厉,更新博文 原文地址:存储器的联系与区别">NOR和NAND 存储器的联系与区别作者:暴走的工程师 一.类型理解    分为NOR(或非)  NAND(与非) 二.接口理解   NOR(或非)----地址.数据总线分开:   NAND(与非)----地址.数据总线共用. 三.读写单位:   NOR(或非)----字节:   NAND(与非)----页. 四.组成结构:    NOR(或非)----扇区.字节:    NAND(…

用generator建立一个手脚架 Representational State Transfer (REST).  具像的状态转存. https://en.wikipedia.org/wiki/Representational_state_transfer RESTful风格的简单的理解: 如何根据一个简单的法则来存取数据.法则包括CRUD的原理和对HTTP的明确定义. redirect_to logger.info "+++ Example +++"  :可以添加log,同时在te…

RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别.SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据.但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面.像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的.DRAM,动态随机存取…

nand flash:适合大容量数据存储,类似硬盘:nor flash:适合小容量的程序或数据存储,类似小硬盘:sdram:主要用于程序执行时的程序存储.执行或计算,类似内存. 区别:nor flash:可以直接执行指令,读取速度较快,写入不太方便,擦除速度较慢.nand flash:读取速度比nor flash略快,但写入.擦除都较快.但可靠性略低,需要做损耗平衡.数据校验等.因此:nor适合做程序存储,nand适合做大容量数据存储.二者都可以掉电保存数据/程序. sdram:掉电后数据不保存…

RAM(Random Access Memory) 随机存储器.存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器.这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序. 按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM). ROM(Read-Only Memory)只读存储器,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器.其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除.通常…

在看上面2440的内存映射的时候,对其中的有些名字,不是完全太懂,所以到网上找了相关的信息. 对于mini2440来说,SDRAM,即内存,程序运行时的地方.选择连接SDRAM的为bank6. 1)S3C2440 支持两种启动模式:一种是从 Nand Flash 启动:一种是从Nor Flash启动.在此两种启动模式下,各个片选的存储空间分配是不同的, 2)左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图,右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图,这里要注意,nGCS0片选…

转载自:http://blog.csdn.net/liangkaiyang/article/details/59556531.什么是内存     什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器.存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作.存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存).外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息…

Flash有掉电数据保存的特点,RAM掉电则数据丢失,但是RAM的速度更高,擦写次数理论上没有限制,而Flash则不行. Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊 处理才可以使用.其主要用于数据存储,大部分U盘都是Nand Flash. Nor Flash读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址是线性结构,多用于程序代码的 存储. SPI Flash同Nand Fl…

为什么会有两种启动方式? 这就是有两种FLASH 的不同特点决定的. NAND FLASH 容量大,存储的单位比特数据的成本要低很多,但是要按照特定的时序对NAND  FLASH  进行读写,因此CPU  无法对NAND  FLASH 的数据进行直接寻址,CPU 对NAND  FLASH 中数据的读写是通过专门的  nand  flash控制器进行的,因此 NAND  FLASH 更适合于存储数据. NOR FLASH 容量小,速度快,对NOR FLASH 进行读写时,输入地址,然后给出读写信号…