Everspin 是设计,制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋传递扭矩MRAM(STT-MRAM)的全球领导者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要.Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,为全球MRAM用户奠定了最强大,增长最快的基础. MR25H40是4,194,304位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备系列,组织为524,288个8位字. 对于必须使用少量I / O引脚快…

切换MRAM技术 切换MRAM使用1个晶体管,1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器.Everspin使用获得专利的Toggle电池设计,可提供高可靠性.数据在温度下20年始终是非易失性的. 在读取期间,传输晶体管被激活,并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据.在写入期间,来自写入线1和写入线2的磁场会在两条线的交点处写入单元,但不会干扰任一条线上的其他单元. EVERSPIN MRAM产品采用一个晶体管,一个磁隧道结(MTJ)存储单元作为存储元件.MTJ由固定的磁性层,薄的电介质隧道…

TAMU是由瑞典乌普萨拉的Ångström航空航天公司(ÅAC)开发的高级磁力计子系统.TAMU的目的是提供地球磁场的磁力计数据,以便与子画面观测相关.实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成:3轴地磁传感器,通过3D封装系统技术制造的MPU芯片,制造的4Mbit MRAM(磁性随机存取存储器)芯片由Everspin Technologies和IMU(惯性测量单元)芯片组成. ÅACMicrotec在其Tohoku-ÅACMEMS单元(TAMU)(磁力计子系统)中使用了Everspi…

非易失性寄存器(Non-volatile register)是它的内容必须通过子程序调用被保存的一个寄存器.如果一个程序改变了一个非易失性寄存器的值,它必须保存在改变这个寄存器之前堆栈中保存旧的值和在返回之前恢复那个值.   Nonvolatile Register    Nonvolatile register is a register whose contents must be preserved across subroutine calls. If a routine changes…

Netty:一种非易失堵塞client/server相框 作者:chszs.转载需注明.博客主页:http://blog.csdn.net/chszs Netty是一个异步事件驱动的网络应用框架,为Java网络应用的开发带来了一些新活力.Netty由协议server和client所组成.可用于高速开发可维护的高性能软件.Netty应用框架及其工具简化了网络编程,并且由Netty社区进行维护. Netty还被归类为NIOclient/server框架.用它能够高速.简易地开发网络应用.使得TCP和…

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,由131,072个8位字组成.MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟,并且读/写寿命不受限制. 与其他串行存储器不同,读取和写入都可以在内存中随机发生,而两次写入之间没有延迟.对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用,MR25H10是理想的存储器解决方案. MR25H10提供5mmx6mm8引脚DFN封装或5mmx6mm8引脚DFN小标志封装.两者均与串…

一.多线程 windows系统是一个多线程的操作系统.一个程序至少有一个进程,一个进程至少有一个线程.进程是线程的容器,一个C#客户端程序开始于一个单独的线程,CLR(公共语言运行库)为该进程创建了一个线程,该线程称为主线程.例如当我们创建一个C#控制台程序,程序的入口是Main()函数,Main()函数是始于一个主线程的.它的功能主要 是产生新的线程和执行程序. 在软件中,如果有一种操作可以被多人同时调用,我们就可以创建多个线程同时处理,以提高任务执行效率.这时,操作就被分配到各个线程中分别执…

C#多线程.易失域.锁的分享 一.多线程 windows系统是一个多线程的操作系统.一个程序至少有一个进程,一个进程至少有一个线程.进程是线程的容器,一个C#客户端程序开始于一个单独的线程,CLR(公共语言运行库)为该进程创建了一个线程,该线程称为主线程.例如当我们创建一个C#控制台程序,程序的入口是Main()函数,Main()函数是始于一个主线程的.它的功能主要 是产生新的线程和执行程序. 在软件中,如果有一种操作可以被多人同时调用,我们就可以创建多个线程同时处理,以提高任务执行效率.这时,…

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层.自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO.MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器.它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入.存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息. everspin的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性,即利用极化电流操纵电子的自旋,以建立自由层的所需磁状态,以对存储…

相关研究指出,如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗:如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者.而相较于传统的NAND闪存,PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度,更适合在云端对资料进行存储. MRAM是一种非易失性存储技术,从20世纪90年代开始发展.该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力,快闪存储器的非易…