1.NandFlash分类 根据物理结构上的区别,NandFlash主要分为如下两类:•SLC (Single Level Cell): 单层式存储•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储SLC在存储格上只存一位数据,而MLC则存放两位数据. 2.MLC与SLC对比 价格:由于MLC采用了更高密度的存储方式,因此同容量的MLC价格上远低于SLC.访问速度:SLC的访问速度一般要比MLC快3倍以上.使用寿命:SLC能进行10万次的擦写,MLC能进行1万次功耗:MLC功耗比SLC…

------------------------------------------------------------------------------------------文章1------------------------------------------------------------------------------------------ 摘要 以三星公司K9F2808UOB为例,设计了NAND Flash与S3C2410的接口电路,介绍了NAND Flash在ARM嵌…

[ARM编程模型] 硬件: 电路原理图 软件: 体系结构, 指令集, 寄存器组 [ARM编程技术] 汇编/C语言 编译, 链接, 烧写和调试 windows: MDK linux  : gcc [ARM接口编程] 电路原理图 datasheet ------> 裸机程序(不带操作系统,直接操作硬件) 中断技术 初始化程序 [ ARM基础知识] 1. 冯·诺依曼结构特点:      采用二进制表示数据和程序      事先存储程序      利用控制流来驱动程序      五大部件  2. CPU…

转载:http://blog.chinaunix.net/uid-28236237-id-3865045.html u-boot第一阶段分析(一) u-boot 第一阶段分析(二) u-boot 第二阶段分析 U-boot第一阶段分析 u-boot是在单板刚启动的时候执行的一段程序.其作用是将内核从flash.硬盘等介质上拷贝到内存中,并传递给内核一些启动参数并跳转到内核去执行. 由于u-boot的代码非常的依赖于不 同的体系结构.对u-boot的分析也只能提炼出不同体系结构的共性,做相应的总结…

1.读readme获取信息    1.1 由Building the Software可知,需修改顶层makefile,指定架构和编译器    ifeq ($(HOSTARCH),$(ARCH))    CROSS_COMPILE ?= arm-linux-    endif ARCH = arm    CROSS_COMPILE = arm-linux-2.新建一个单板    cd board/samsung/ cp smdk2410 smdk2440 -rf  cd ../../includ…

/****************************************************************************** Copyright (C), 2001-2011, DCN Co., Ltd. ****************************************************************************** File Name : nand.c Version : Initial Draft Author :…

说明: 根据物理结构上的区别 , NandFlash主要分为如下两类:1)•SLC (Single Level Cell): 单层式存储2)•MLC (Multi Level Cell): 多层式存储@:SLC在存储格上只存一位数据, 而MLC则存放两位数据. 1.nand.c #define NFCONF (*(volatile unsigned long*)0x4E000000)#define NFCONT (*(volatile unsigned long*)0x4E000004)#def…

由于喜欢折腾,我是在linux下使用jlink的,既然JLinkExe可以进行内存读写操作,loadbin等操作,并且通过指定命令文件支持批量指令输入,那么首先jlink是可以直接访问内部存储器的,包括它的RAM和各种Soc上外设如存储控制器,串口配置寄存器等,但是不能直接访问外部存储器,如Norflash.这样一来,先关狗,设好时钟,然后通过wmem32一系列命令,操作存储控制器,这样就可以访问SRAM,然后loadbin到内存,再写回到norflash,或者nandflash,其中nandf…

  Flash编程原理都是只能将1写为0,而不能将0写成1.所以在Flash编程之前,必须将对应的块擦除,而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程,块内的所有字节变为0xFF.因此可以说,编程是将相应位写0的过程,而擦除是将相应位写1的过程,两者的执行过程完全相反. (1)闪存芯片读写的基本单位不同        应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块,有时块内还分扇区.读写时需要同时…

转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂. 小时候一直很好奇,一个个死板的电子产品为什么一上电以后就能够工作了呢?为什么一个小小芯片就能够运行我们编写的程序呢?一个开发板从刚上电到整个操作系统能够运行起来是怎么办到的呢?这些东西困扰了好久,参考了好多资料现在才慢慢弄明白其中一些原理. 我们现在接触的大多数电子产品都是使用数字电路设计出来的,数字电路的精髓就…