PW2320采用先进的沟道技术,以提供优良的RDS(ON),低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作.该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中. 特征 VDS=20V ID=8A RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V SOTA 3针封装 芯片代理:深圳市夸克微科技  郑R  13528458039 绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明) PW3400A采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON).低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作.该装置适用于电池保护或在其他交换应用中. PW3428…

MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输…

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态…

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电…

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO…

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3…

1.为什么A/D转换前需要采样保持电路,它的基本原理是什么? 因为被取样的信号是动态,随时改变的,而A/D转换需要时间,在这个转换的过程中,信号是变化的,为了弥补A/D转换的时间差,所以需要采样保持.如果A/D转换很快,比信号本身的变化快10倍或者更高,则无需保持电路. 1. MOS管工作原理--MOS管简介 MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管.MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一…

4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS…

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.动态范围大.易于集成.无二次击穿现象.安全工作范围宽等优点. 本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示: 如…

一.A/D转换的基本原理 在一系列选定的瞬间对模拟信号进行取样,然后再将这些取样值转换成输出的数字量,并按一定的编码形式给出转换结果. 整个A/D转换过程大致可分为取样.量化.编码三个过程.二.取样-保持电路 取样-保持电路的基本形式如上图,图中T为N沟道增强型MOS管,作模拟开关使用. 当取样控制信号Vi为高电平时T导通,输入信号Vi经电阻R1和T向电容CH充电.若取R1=RF,且视运算放大器为理想运算放大器,则充电结束后,Vo=Vch=-Vi 当Vi返回低电平以后,MOS管T截止,由于CH上…

基于一种新的蓝牙技术——蓝牙4.0(Bluetooth Low Energy)新型的胎压监测系统(TPMS)的设计方案.鉴于蓝牙4.0(Bluetooth Low Energy)的低成本.低功耗.高稳定性等特点,适用于胎压监测系统,目前业界还没有出现类似的设计方案.本设计为直接式胎压监测系统,即在车辆轮胎上安装压力和温度传感器,通过蓝牙传输方式将胎压的信息传送给搭载蓝牙4.0的iPod.iPhone以及iPad,并在所安装的APP软件上显示实时数据.由此可实时监测车辆的胎压情况,并在胎压异常情况…

VMOS场效应管既有电子管的长处又有晶体管的长处,用它制作的功率放大器声音醇厚.甜美,动态范围大.频率响应好.因此近年来在音响设备中得到了广泛应用. 大功率的场效应管功率放大器.电．路比較复杂.制作和调试难度也较大.而且．成本也非常高.所以不太适合刚開始学习的人制作. 以下介绍的这款VMOS场效应管小功放,电路非常easy,制作调试也非常容易,十分适合初学的爱好者. 仅仅要所用元器件良好,电路·焊接正确,就可一举成功,而且音质也相当不错.本机的缺点是输出功率略显小了一点(约3W~4W).但用作M…

现代的集成电路工艺加工的间隙可达0.5μm 而且很少限制数字I/O 信号的最大电源电压和逻辑电平. 为了将这些低电压电路与已有的5V或其他I/O电压器件连接起来,接口需要一个电平转换器.对于双向的总线系统像I2C 总线电平转换器必须也是双向的,不需要方向选择信号.解决这个问题的最简单方法是连接一个分立的MOS-FET管到每条总线线路,尽管这个方法非常简单但它不仅能不用方向信号就能满足双向电平转换的要求还能将掉电的总线部分与剩下的总线系统隔离开来,保护低电压器件防止高电压器件的高电压毛刺波. 双向…

CMOS门电路 以MOS(Metal-Oxide Semiconductor)管作为开关元件的门电路称为MOS门电路.由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单.集成度高.功耗小以及抗干扰能力强等优点,因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例.与TTL门电路相比,MOS门电路的速度较低. MOS门电路有三种类型:使用P沟道管的PMOS电路.使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的CMOS电路.其中CMOS性能更优,因此CMOS门电路是应用较为普遍的逻辑电路之一. 1. CMOS非…

个人常用 扬声器 spearker 计量表(电流表,电压表) meter 变压器 Trans CT 肖特基二极管 D Schotty 额外补充 英文名称       中文释义 2N3904  NPN型通用放大器 2N3906  PNP型通用放大器 ADC-8   通用的8位AD转换器 Antenna 天线 Battery   电池组 Bell  铃 Bridgel   整流桥堆 Buzzer    蜂鸣器 Cap 电容 Cap Feed       穿心电容器 Cap Semi       半导…

LT3756/LT3756-1/LT3756-2 - 100VIN.100VOUT LED 控制器 特点 3000:1 True Color PWMTM调光 宽输入电压范围:6V至 100V 输出电压高达 100V 恒定电流和恒定电压调节 100mV 高端电流检测 可以采用升压.降压模式.降压-升压模式.SEPIC或反激式拓扑结构来驱动 LED 可调频率范围:100kHz至 1MHz 开路 LED保护 具迟滞的可编程欠压闭锁 改善的开路 LED状态引脚 (LT3756-2) 引脚 QFN (3m…

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电…

引言 IR2110 / IR2113是高压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道.逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑.浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达500或600伏. 一.关键参数 1.1 IR2110关键参数 根据上面参数可知,IR2110驱动的功率开关管最高可以工作在500V电压下,IR2113驱动的功率开关管最高可以工作在600V电压下. 二.器件特征 2.1 IR2110/IR211…

一些关于MOS管的基础知识,很多资料来源于网络. 场效应管(FET)分类:(按材料) 1. 结型 2. 绝缘栅型(MOS) 耗尽型:在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子) 增强型:无掺杂. 结型: 工作原理: 在uds=0时: ugs=0V ugs>0V,并没有夹断 ugs>0V,夹断 uds>0时,沟道的变化不会像uds=0那么规则.但是当沟道夹断之后,iD只取决于uGS,即电压控制电流. N沟道增强型MOS: N沟道耗尽型MOS…

/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE…

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M…

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…

用于功率集成电路应用的600伏.10安.4H-碳化硅横向单沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的演示和分析 摘要: 本文报道了一个具有大电流处理能力(10 A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示.为了在横向结构中实现高击穿电压,实现了减小表面电场(RESURF)结构以减轻表面电场拥挤.一个single RESURF(P-top) 被设计在一个6英寸的N型区域.衬底表现出120伏/微米的电压支持能力,导致600伏的击穿电压.交叉栅极指状物的总宽度为198毫米,具有高电流支持能力.对于相对低电…

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立…

这部分数字逻辑课上老师在讲CMOS部分时有讲过,当时在课堂上放了一个全英的视频,没怎么看懂,现在在研究计算机系统,自底层说起,也得从这讲起. 主要参考: <嵌入式C语言自我素养> b站相关科普视频(文中给出链接) 00 从沙子到单晶硅 在所有的半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用:在自然界中,Si是含量第二丰富的元素,如沙子中就含大量二氧化硅. 还记得高中化学必修一的内容吗?从沙子中提取高精度硅: 这时我们得到的是多晶硅,我们将多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒(单晶硅…

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会…

NXP恩智浦P89V51RB2/RC2/RD2单片机解密芯片破解 P89V51RB2/RC2/RD2是一款80C51微控制器,包含16/32/64kB Flash和1024字节的数据RAM. P89V51RB2/RC2/RD2的典型特性是它的X2方式选项.利用该特性,设计工程师可使应用程序以传统的80C51时钟频率(每个机器周期包含12个时钟)或X2方式(每个机器周期包含6个时钟)的时钟频率运行,选择X2方式可在相同时钟频率下获得2倍的吞吐量.从该特性获益的另一种方法是将时钟频率减半而保持特性不…

NXP恩智浦P89V52X2单片机破解P89C52X2BA芯片解密 P89V52X2是一款带有8kB Flash.256B数据RAM和192B数据EEPROM的80C51微控制器.这个器件可以在完全替换P87C52.P87C52X2.P89C52和P89C52X2器件,并在软件上与它们兼容. ###[微信:icpojie]### P89V52X2芯片特性: ■12x模式下的工作频率为0MHz-33MHz,6x模式下的工作频率为20MHz ■8kB的片内Flash用户代码存储器, 256B的RAM…

STC系列STC10F芯片解密STC10L单片机破解 STC10F12XE | STC10F12 | STC10F10XE | STC10F10解密 STC10F08XE | STC10F08 | STC10F06XE | STC10F06解密 STC10F04XE | STC10F04 | STC10F02XE | STC10F02解密 STC10L12XE | STC10L12 | STC10L10XE | STC10L10解密 STC10L08XE | STC10L08 | STC10L0…

意法STM32F1系列MCU单片机解密芯片破解复制 STM32F1系列MCU芯片解密: STM32F100解密 | STM32F101解密 | STM32F102解密 | STM32F103解密 | STM32F105解密 | STM32F107解密 STM32F1系列基础型MCU满足了工业.医疗和消费类市场的各种应用需求.凭借该产品系列,意法半导体在全球ARM Cortex-M 微控制器领域处于领先地位,同时树立了嵌入式应用的里程碑.该系列利用一流的外设和低功耗.低压操作实现了高性能,同时还以…