SLC缓存什么鬼?TLC评测造假要持续多久 2016.5.5来源:中关村在线 TLC的廉价真的将SSD引入了全面普及的高速公路上,谈到TLC我们更多的理解是TLC的P/E(Program/Erase Count)是否经得起长时间的数据写入,但是这又是一个无解的案例,首先随着NAND Flash工艺的提升,NAND中存储数据的Cell(基本存储单元)栅极上的氧化层化学键更难控制,导致P/E次数随着工艺的提升而缩减,TLC NAND的P/E次数约为1000. 好在随着工艺和技术(3D NAND)的进…

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在…

本文转载自:https://blog.csdn.net/weixin_38233274/article/details/79310316 1.一块SSD由主控.DRAM缓存和NAND闪存三种芯片所组成,主控是SSD的大脑,SSD所做的东西全部都是它所控制的:DRAM缓存则是高速缓冲区,具体作用要看主控的算法而定,有些是用来放LBA表的,有些则是拿来做数据缓存的,更有些方案是没有外置DRAM缓存,只在主控内置了小量缓存,这样做的目的有些是为了数据的安全性(如SandForce),有些则是为了降低成…

固态硬盘凭借其存取速率超快等自身优势,被越来越多的电脑爱好者所青睐,并迅速普及到了广大用户的电脑中,因为固态硬盘与传统机械硬盘相比,确实在运行效率等方面有了质的提升,但是亦是美网络小编要提醒大家的是,购买固态硬盘不可盲目跟风,要确保在了解了固态硬盘的一些基本参数.信息后再入手,买东西还要货比三家的嘛,了解一些评判固态硬盘优劣的知识,起码不会让奸商轻易的蒙蔽我们,就拿固态硬盘的闪存芯片架构来说,什么是SLC.MLC.TLC?哪个好?它们的区别是什么?这些都需要我们去了解. 什么是SLC.MLC.T…

转自:https://blog.csdn.net/fc34235/article/details/79584758 转载自:http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html 从前,大家谈TLC色变:如今,TLC攻占SSD半壁江山.是的,这个世界就是这么奇妙. 虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了.百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,下面我们就来详细了解TLC. TLC是什么? 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的…

本文转载自:https://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html [PConline 杂谈]从前,大家谈TLC色变:如今,TLC攻占SSD半壁江山.是的,这个世界就是这么奇妙.不过,如果当你阅读过三年前小编撰写的<你骂我还是要说!TLC引领SSD发展新趋势>一文,你就不会觉得那么意外了.小编还是有先见之明了. 好啦,不抬高自己了,做人要谦虚.回归今天的主题,虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了.百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,这一期的<SS…

固态硬盘凭借其存取速率超快等自身优势,被越来越多的电脑爱好者所青睐,并迅速普及到了广大用户的电脑中,因为固态硬盘与传统机械硬盘相比,确实在运行效率等方面有了质的提升,这里先了解一些评判固态硬盘优劣的知识,固态硬盘的闪存芯片架构来,什么是SLC.MLC.TLC?哪个好?它们的区别是什么? 什么是SLC.MLC.TLC闪存芯片颗粒? 闪存芯片根据内部架构分为SLC.MLC.TLC等,闪存颗粒是由多层闪存芯片构成的方形体. 闪存芯片颗粒直接影响着固态硬盘的存取速率.使用寿命.生产成本等. SLC,英文…

作者:Younger Liu, 本作品采用知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议进行许可. EMMC与RAND的区别 说到两者的区别,必须从flash的发展历程说起,因为两者都属于flash的范畴. 1.     Flash发展历程 1.1          NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一…

====================================================== NAND Flash最小存储单元: 写数据操作: 通过对控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(SOURCE)和汲极(RRAIN)间的N信道(N-Channel)流入电子,等到电流够强,电子获得足够能量时,便会越过浮置闸(Floating Gate)底下的二氧化硅层(SiO2)为单元所捕获,该过程被成为穿隧效应(Tunnel Effect).首先将数据转换为二进制0和…

 调试参考 http://www.docin.com/p-872951702.html AT91SAM9x5 EK Board SoC Features Kit Information Kit Overview Access the console Access the console on DBGU serial port Using RS-232 connector (DBGU J11) Demo Demo archives Flash the demo Run script to flas…