记录一下DRAM的各项基本参数 tCL CAS Latency CAS 潜伏期, 列地址寻找/读写命令执行完毕,准备要读出来,需要一个延时缓一缓 tRAS: RAS Active Timeing 行有效到预充电的最短周期 tRP ROW Precharge timing 预充电有效周期 tRCD 行寻址到列寻址之间的时间间隔周期 tWR 写恢复时间 tRFC 行刷新时间 tWRTR 写到读的延时时间 tRRD 行访问到行访问的时间 tRTP 读到预充电的时间 tFAW DRAM Four Act…