硬件环境:ARM+FPGA通过FMC互联,STM32F767和 EP4CE15F23I7 FMC设置,STM的系统时钟HCLK为216MHz /* FMC initialization function */ void MX_FMC_Init(void) { FMC_NORSRAM_TimingTypeDef Timing; /** Perform the NOR1 memory initialization sequence */ hnor1.Instance = FMC_NORSRAM_DE…

实验现象: 核心代码: module DUAL_PORT_RAM( input CLK_12M, inout WR, input RD, input CS0, :]A, :]DB, output FPGA_LEDR, output FPGA_LEDG, output FPGA_LEDB ); //-------------------------------rst_n---------------------------------// reg rst_n; :]cnt_rst; always@…

本次设计源码地址:http://download.csdn.net/detail/noticeable/9914173 实验现象:通过串口将数据发送到FPGA 中,通过quartus II 提供的in system memory content editor 工具查看RAM中接收到的数据,当需要是,按下按键KEY0,将FPGA 的RAM 中存储的数据通过串口发送出去. 知识点: (1)存储器IP核的使用(2)in system memory content editor 内存查看工具的使用 系统…

在FPGA设计过程中,使用好双口RAM,也是提高效率的一种方法. 官方将双口RAM分为简单双口RAM和真双口RAM. 简单双口RAM只有一个写端口,一个读端口. 真双口RAM分别有两个写端口和两个读端口. 无论是简单双口RAM还是真双口RAM,在没有读操作的情况下,应将读使能rden信号拉成低电平,节省功耗. 在两种情况下,都应当避免read-during-write,虽然可在软件中进行设置,但是,作为设计者,应当尽量避免此种情况. 对于真双口RAM,还应当避免两个读端口或者两个写端口同时操作同…

打开 IP Catalog,搜索 Block Memory Generator,即可看到其 Memory Type 可分为 5 中,分别是单口 RAM(Single Port RAM).伪双口 RAM(Simple Dual Port RAM).真双口 RAM(True Dual Port RAM).单口 ROM(Single Port ROM).双口 ROM(Dual Port ROM). 单口 RAM 与伪双口 RAM.真双口 RAM 的区别在于: 单口 RAM 只有一个时钟(clka)(时…

单口与双口的区别在于,单口只有一组数据线与地址线,因此读写不能同时进行.而双口有两组数据线与地址线,读写可同时进行.FIFO读写可同时进行,可以看作是双口.    双口RAM分伪双口RAM(Xilinx称为Simple two-dual RAM)与双口RAM(Xilinx称为true two-dual RAM).伪双口RAM,一个端口只读,另一个端口只写:而双口RAM两个端口都可以读写.    FIFO也是一个端口只读,另一个端口只写.FIFO与伪双口RAM的区别在于,FIFO为先入先出,没有地…

实验现象: 核心代码: int main(void) { /* USER CODE BEGIN 1 */ int i; int address,data; ; ]; ]; char *p; /* USER CODE END 1 */ /* MCU Configuration----------------------------------------------------------*/ /* Reset of all peripherals, Initializes the Flash i…

实验指导书及代码包下载: http://pan.baidu.com/s/1pLReIc7 iCore3 购买链接: https://item.taobao.com/item.htm?id=524229438677…

// Quartus II Verilog Template// Simple Dual Port RAM with separate read/write addresses and// single read/write clock module simple_dual_port_ram_single_clock#(parameter DATA_WIDTH=8, parameter ADDR_WIDTH=6)( input [(DATA_WIDTH-1):0] data, input [(A…

下面我们进入双端口RAM和多模块存储器的学习.这是提高我们的存储器的访存速度的一些措施. 我们之前已经讲过我们的主存和CPU是进行连接的,那么这就导致了一个问题就是说,随着我们现代科技的发展,计算机的应用领域在不断地扩大,我们所处理的信息量呢也越来越多,所以呢我们的CPU的功能在不断地加强,我们主存的这样一个容量也在不断地扩大,这就导致了一个问题就是说我们的CPU的速度和我们的主存速度是不匹配的,CPU的速度的增长是一个指数级别的增长,而主存的速度的增长只是一个线性的一个增长.所以,我们现在要解…