1维FDTD仿真

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FDTD基本原理是把麦克斯韦方程胡两个矢量旋度方程写成差分形式,利用数值方法求其解. 假设电磁场传播方向为x轴方向,电场只有z轴方法分量,磁场只有y轴方向分量.两个旋度方程可以写成下列形式电场.磁场写成下在形式连续方程写成差分形式其中的常数项因子其中为自由空间特性阻抗377欧姆,令,递推关系如下图实现时可用下图表示从而得到差分递推方程如下 hy(mm) = hy(mm) + (ez(mm+1)- ez(mm))/imp0; ez(mm) = ez(mm) + (hy(mm)- hy(…

基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（01）

最近因为肺炎的缘故,宅在家里不能出门,就翻了下一些资料,刚好研究方向是这个,就简单研究了下.参考资料主要如下: 1.<半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程> 唐龙谷 2014 2.<长安大学半导体工艺与器件仿真指导书> 张林 2015 引用本科时社团一姐的一句话:学习PS的精髓在于毁图.个人浅见,学习仿真的话还是要根据实例拆解分析比较快.重复,我是新手,只是个人浅见. 官网实例:https://www.silvaco.com/examples/tcad/sec…

基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（07）

今天主要解决一下defect语句: defect region=1 nta=1.55e20 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e16 wga=2 ntd=1.55e20 ngd=0 wgd=0 之前(02)的例子里还有doping的定义: doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform doping前: doping后: ???可能是掺杂多了??? Amorphous InGaZnO Thin-Film Transis…

基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（06）

在知网看到了江南大学的硕士论文: 双有源层a-IGZO薄膜晶体管的特性仿真 IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究发现,我昨天的文章中参数的设置存在重大失误,如下材料定义语句中: material material=igzo eg300=3.5 nc300=8.5e21 nv300=8.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.35 mup=1 mun=35 eg300:禁带宽度 nc300/nv300:effective density of st…

基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（04）

在eetop上有好多好东西啊: Silvaco_TCAD_中文教程1 不过这个教程里是Linux系统的,而且工艺仿真占了比较大的篇幅. defect region=1 nta=5e17 wta=0.172 nga=5e15 wga=2 ntd=0.0 wtd=0 ngd=0 wgd=0 interface QF=-2e10 S.I model fermi solve init solve vdrain=10 log outf=tft.log solve vgate=-20 vstep=-0.5…

基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（02）

Silvaco的破解用了好久好久,而且之后拷了上次例子的代码,Tonyplot的输出存在报错,还是四连. 当然这个点一下还是会出图的.但是,源代码稍微改了下结构,又有报错,而且程序直接终止. go atlas mesh width=180 outf=tftex10_1.str master.out x.m l=0 s=0.25 x.m l=40 s=0.25 y.m l=0 s=0.0005 y.m l=0.06 s=0.0005 y.m l=0.41 s=0.005 region num=1…

基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（08）

进展比较慢啊... 根据江南大学硕士论文IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究: 其中, gCBa:类受主导带尾态 gVBd:类施主价带尾态 gGd:类施主氧空位态 NDeep:价带尾深施主态 gta:E=Ec时,类受主能态密度 gtd:E=Ev时,类施主能态密度 Ea:导带尾斜率 Ed:价带尾斜率 gd:氧空位能态密度峰值 lamda:氧空位能态标准偏差 tao:氧空位能态平均能量 Ngd:E=Egd时,价带尾深施主态密度峰值 Wgd:价带尾深施主态标准偏差 Egd:价带尾深施主态平…