inand和emmc区别】的更多相关文章

简单来说:inand式sandisk公司做的一款符合emmc标准的一个emmc存储器! ----…
DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G. 3.运行速度不同:DDR3内存运行速度要比eMMC快得多. 4.用途不同:eMMC主要用于数据存储,而…
转自:https://www.cnblogs.com/debruyne/p/9186619.html DDR3内存条和eMMC存储器区别: 1. 存储性质不同:2. 存储容量不同:3. 运行速度不同:4. 用途不同. 具体区别如下: 1.存储性质不同:eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失. 2.存储容量不同:eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-8G.…
转自:https://www.cnblogs.com/PengfeiSong/p/6380447.html nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个blo…
nand 1.nand的单元组织:block与page(大页Nand与小页Nand)(1)Nand的页和以前讲过的块设备(尤其是硬盘)的扇区是类似的.扇区最早在磁盘中是512字节,后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等.Nand也是一样,不同的Nand的页的大小是不同的,也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等.(2)一个block等于多少page也是不定的,不同的Nand也不同.一个Nand芯片有多少block也是不定的,不同的Na…
先说说对升级的理解吧.系统升级是软件更新及BUG修复的主要方式,升级的主要原理就是数据搬移的过程,把我们需要的数据,从某个地方,更新到另外的一个地方.这个过程就叫做升级.一般是当我们系统有了新的功能增加,或者是现有的功能出现缺陷或者漏洞无法正常运行时,我们需要进行系统升级.最终达到修复系统缺陷漏洞,增加新功能的目的. 从升级的方式来看,升级主要分为两大类,本地升级及远程升级,我们常说的OTA(over the air)也就是远程升级.显而易见,我们通过名字也就能明白,本地升级就是从本地获取升级数…
1.cpu与soc 内核版本号与soc版本号由arm公司确定. 芯片型号由各半导体公司确定. soc包括cpu与一些基本内设.(一般提到CPU都指的是soc,实际上cpu只是soc的一部分). RISC与CISC RISC复杂指令集:指令繁多,但是效率高.Intel等桌面pc使用这种指令集.功耗大. CISC精简指令集: 指令少,但是效率略低.优点是功耗低适合嵌入式设备. 统一编址&独立编址 内存通过CPU的地址总线来寻址定位,然后通过CPU数据总线来读写.CPU的地址总线的位数是CPU设计时确…
作者:Younger Liu, 本作品采用知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议进行许可. EMMC与RAND的区别 说到两者的区别,必须从flash的发展历程说起,因为两者都属于flash的范畴. 1.     Flash发展历程 1.1          NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一…
1.NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计. 2.eMMC是NAND flash+主控IC ,对外的接口协议与SD.TF卡类似:对厂家而言简化了电路设计,降低了成本. 3.使用emmc的好处是,除了得到大容量的空间(这一点,只用NAND FLASH多堆叠也可以做到),还有就是emmc可以管理NAND (坏块处理,ECC)等. 4.NAND Flash 主要生产厂家有Samsung, Toshiba,Hynix, Intel, Micron, 5.eMMC控…
本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当…