/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE…

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M…

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…

源:http://www.amobbs.com/thread-5484710-1-1.html 从网上找到一些MC34063扩流降压电路图,一个个的试,根本达不到我的基本要求,全都延续了34063的降压低效率,仅把发热点从IC转到功率管上,基本上都是垃圾,另外其他人在网上说,这本来就是很难弄的,等等.最后还是不得不自己折腾,搭出了一个自己满意的电路. MOSFET看起来是很容易使用的一种元件,其最佳工作状态就要么导通,要么全截止,驱动电平高或低,不能模棱两可,否则就成了一种昂贵的加热器.3406…

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥…

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路…

一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现.事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这…

最近在调试MOSFET电路中,发现了更多问题,比如同样的PI反馈控制电路可以很好的控制PMOS工作,却对NMOS不能很好控制.当然你肯定会说那是因为PMOS和NMOS不同呀,这自然没有错,我在上一篇文章中也讨论了载流子不同带来的影响,但是这些差异最终体现在哪些具体的地方,我仍然是含糊不清的.这最集中体现在当我拿到一个商家给的MOSFET的参数表时,很多参数我都不明白什么意思.比如下面两个链接给出的参数表: http://www.mouser.com/ds/2/205/DS99975B(IXTN1…

这部分内容大部分参考W.Y.Choi的课堂讲义第三讲和第四讲:http://tera.yonsei.ac.kr/class/2007_1/main.htm 一.小信号模型 首先要明确一点,大部分情形MOSFET都是工作在饱和区.在饱和区工作的状态我们通常称为静态工作点,在此状态附近考虑一个小的控制信号扰动$v_{GS}$,漏极伴生的附加电流记为$i_D$. 小信号模型就是用于研究这两个物理量之间的关系. 由MOSFET在饱和区的关系$I_D=\frac12\mu_nC_{ox}\frac{W}{…

最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元…

With an n- and p-channel MOSFET, you can easily implement a single-pole double-throw (SPDT) switch to isolate part of a circuit and power it from a secondary supply for standby operation while the rest of the circuit is off (Figure 1). By using a com…

Targeting use in portable-system applications that require raising a battery's voltage to a higher level, IC boost regulators often include output transistors that can drive storage inductors. However, most boost regulators' absolute-maximum input-vo…

The classic LM317 adjustable-output linear voltage regulator offers a relatively high, if package-dependent, current-handling capability. In addition, the LM317 features current limiting and thermal-overload protection. With the addition of a few com…

You would normally use a series linear regulator or a dc/dc converter to obtain 3V dc from a higher supply. However, when breadboarding a concept, you may be able to use a shunt regulator, especially if a series regulator of the correct voltage is un…

http://www.electronic-products-design.com/geek-area/electronics/mosfets/using-mosfets-as-general-switches Using this back to back arrangement of P Channel mosfets, when on current will flow in either direction. When off both sides are isolated. You c…

符號 上面這個是 空乏型 的 MOSFET 符號 (有做過修改), 一個是 P channel, 一個是 N channel, 空乏型本身就有通道,所以中間是沒有斷掉的直線, P 代表 + , 有外放的意味,所以 channel 的箭頭往外,(自己想的) N 代表 - , 有收斂的意味,所以 channel 的箭頭往內,(自己想的) MOSFET 的 S 和 基體接在一起,所以符號二條線連在一起的是 S 極, P channel depletion MOSFET 的 S 和 基體接在一起, 兩個…

Origin mosfet 除了有 n channel 及 p channel 外, 還分為 enhanced 及 depletion 兩種, 引起我注意的是, depletion 代表什麼, Explanation 以 p-channel mosfet 為例, 基體是 n 型, channel 是 p 型, depletion 有一個特色是尚未加上 Vgs 時,就已有 channel,常開, Vgs加上負電壓,在基體上會感應 p 到 channel 上,channel 會更大, 若 Vgs 加…

https://www.cnblogs.com/yeungchie/ MOSFET 线性区(三极管区,\(V_{DS} \leq V_{GS} - V_{TH}\)) \[I_{D} = \mu_{n} C_{ox} {W \over L} [(V_{GS} - V_{TH}) V_{DS} - {1 \over 2} V_{DS}^2] \] \(\mu_{n} C_{ox}\) 是一个系数,与工艺相关,单位 \(A / V^2\) 在 \(V_{DS} = V_{GS} - V_{TH}\)…

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会…

问题: ˇ星空-北京:5V的时候,MOS管可以关断:12V的时候关不断: 初步判断在 Q4 上,先建议按以下方式测量数据. (Excel 文件) 等待回复. 参考链接:http://blog.51cto.com/reatherboly/1318695…

A previous Design Idea describes a programmable current source that used a three-terminal National Semiconductor LM317 adjustable regulator (Reference 1). Although that circuit lets you program the output current, the load current flowed through the…

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电…

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PW2320采用先进的沟道技术,以提供优良的RDS(ON),低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作.该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中. 特征 VDS=20V ID=8A RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V SOTA 3针封装 芯片代理:深圳市夸克微科技  郑R  13528458039 绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明) PW3400A采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON).低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作.该装置适用于电池保护或在其他交换应用中. PW3428…

https://wenku.baidu.com/view/ae727da5caaedd3382c4d3b9.html?mark_pay_doc=2&mark_rec_page=1&mark_rec_position=2&clear_uda_param=1…

[原创]:这段时间开始研究stm32,今天撸着一段代码一直追,追到了GPIO口模式的枚举类型这里,遂去网上查看这8种模式到底是什么,网上一查,看到了一个答案被很多博主转载或者原创,那我也就不重复废话了,直接也转过来,方便我以后查看.因为我也不能确定哪一个是真正的原创者,所以如果原创者看到我这篇博文,又不同意我转发,望告知,我一定尊重您的意愿. [转载]: 一.推挽输出:可以输出高.低电平,连接数字器件:推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.高低…

消费类电子电路图设计中往往会涉及到4.2V锂离子电池充电电路.及4.2V转3.3V的LDO稳压电路,这里分享一种简单.便宜的设计方案: RT9193 300mA,Ultra-Low Noise,Ultra-Fast CMOS LDO Regulator. <0.01uA Standby Current When Shutdown. 2.5V~5.5V Input Voltage. SD8017 4.2V Li-Ion电池恒流恒压充电芯片. 可编程充电电流,最大可达800mA. 20uA Supp…

从输入 URL 到浏览器接收的过程中发生了什么事情? 原文:http://www.codeceo.com/article/url-cpu-broswer.html 从触屏到 CPU  首先是「输入 URL」,大部分人的第一反应会是键盘,不过为了与时俱进,这里将介绍触摸屏设备的交互. 触摸屏一种传感器,目前大多是基于电容(Capacitive)来实现的,以前都是直接覆盖在显示屏上的,不过最近出现了 3 种嵌入到显示屏中的技术,第一种是 iPhone 5 的 In-cell,它能减小了 0.5 毫米…

DCDC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换),只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,包括LDO.但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC.      LDO 是低压降的意思,这有一段说明:低压降(LDO)线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,这些是它的突出优点.它需要的外接元件也很少,通常只需要一两 个旁路电容.新的LDO线性稳压器可达到以下指标:输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV.LDO线性稳压器的性 能之所以能够…

第1周的内容,介绍了: 电阻.独立源.受控元件等实体元器件, 电流.电压.功率等抽象名词, 端口.参考方向等分析时的概念工具, KCL.KVL两大分析定律, 解线性电路的普适方法----2B法. 引入电路分析软件:Multisim 第3讲 支路变量 4大支路变量: ·Current:dc&ac ·Voltage ·Potential:the reference point 任意的,电压降: ·Electromotive force 变量为常数,大些:否则小写. 第4讲 参考方向 此点为与高中电路…