电可擦写可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory, EEPROM)实现掉电情况下保存数据,设计温湿度变送器采用M24C64芯片．芯片的1,2,3脚确定器件地址．5脚SDA和6脚SCL分别为串行数据引脚和串行同步时钟信号引脚,为IIC总线接口,均连接上拉电阻．7脚WP为写保护引脚,当接入高电平时,芯片数据均处于禁止写入状态,只有在接地时芯片处于正常读写状态．8脚和4脚分别为VCC和GND,分别连接电源正极和电源地．EE…

我造轮子,你造车,创客一起造起来!塔克创新资讯[塔克社区 www.xtark.cn ][塔克博客 www.cnblogs.com/xtark/ ]      本文介绍X-CTR100控制器 板载EEPROM存储芯片AT24C02的使用,EEPROM常用于参数存储,系统掉电后也可以保存数据. 对比FLASH容量小,但是具有更高的擦写寿命. 原理 AT24C02是一个2K位串行CMOS E2PROM, 内部含有256个8位字节,CATALYST公司的先进CMOS技术实质上减少了器件的功耗.AT24C…

目录 STC8H开发(一): 在Keil5中配置和使用FwLib_STC8封装库(图文详解) STC8H开发(二): 在Linux VSCode中配置和使用FwLib_STC8封装库(图文详解) STC8H开发(三): 基于FwLib_STC8的模数转换ADC介绍和演示用例说明 STC8H开发(四): FwLib_STC8 封装库的介绍和使用注意事项 STC8H开发(五): SPI驱动nRF24L01无线模块 STC8H开发(六): SPI驱动ADXL345三轴加速度检测模块 STC8H开发(七…

PW5100满足1.5V转5V的很简洁芯片电路,同时达到了最少的元件即可组成DC-DC电路1.5V转5V的升压转换器系统. PW5100在1.5V转5V输出无负载时,输入效率电流极低,典型值10uA.可以适用于干电池升压5V的同时,要求功耗低,可以使产品的待机时间长的特点. PW5100支持输入电压范围0.7V-5V之间,输入电压范围宽.同时低压升降压芯片可以看PW5410B和PW2224,如2.5V-4.2V,升降压输出3.3V等. PW5100 是一款低静态电流.高效率. PFM 模式控制的…

单片机,大概三年前,就买了一本 <爱上单片机> 最后就学会,用面包板了,编程书上基本没讲. 看原理图,看时序图,看数据手册, 都没讲. 而且书上自带的代码写的很烂. 1,缩近控制不好 2,命名混乱 3,做if 的时候 不变的常量放在左侧,这是很基本的约定 ... 最后,还是什么也没有学会. 直到去年,开始学 ARM 了. 学完了 ARM 前面发的(s3c2440)以后, 在回头看单片机,发现单片机真是,简单的不得了! 但是也发现,单片机,不如 ARM 功能强大.速度也慢.很多控制器,没有,要用…

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前言:这个是2018年上半年完成的,这里只贴出硬件设计部分,软件设计部分可以看上位机说明书. 设计总说明 随着科学技术的不断发展,高集成度.高精度.高可靠性的一体化温湿度变送器开始 得到广泛的应用．同时随着应用场景的增多,更多类如管理不及时.数据丢失.响应速度 慢.不便于远距离传输等问题日益凸显．为满足现代生产实际需要,本文设计并实现了基 于SHT11及同类型传感器的温湿度变送器及温湿度监测软件系统． 本文设计温湿度变送器以STM32为核心控制器,可连接包括SHT11及SHT21.DHT11.…

当使用128KB的EEPROM存储CYUSB3014芯片的固件时,需要注意,不同厂家的EEPROM存储器,其A0.A1.A2功能不一样,在设计时电路也不一样.Microchip对应的128KB的EEPROM存储器芯片型号为24LC1025.Atmel的128KB的EEPROM存储器型号为24C1024.例如, Microchip EEPROM 将引脚 A1 和 A0 用于芯片选择, 并不使用引脚 A2.但 Atmel EEPROM 会将引脚 A2 和 A1 用于芯片选择, 不使用引脚 A0.因此…

转载请注明:@小五义http://www.cnblogs.com/xiaowuyiQQ群:64770604 一.EEPROM简介 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),上电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片,简而言之就是你想断电后arduino还要保存一些参数,就使用EEPROM吧.在各型号的arduino控制器上的AVR芯片均带有EEPROM,也有外接的EEPROM芯片,常见arduino控…

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存…